碳化硅(sic)mosfet 文章 最新資訊
通過節省時間和成本的創新技術降低電源中的EMI
- 隨著電子系統變得越來越密集并且互連程度越來越高，降低電磁干擾 (EMI) 的影響日益成為一個關鍵的系統設計考慮因素。鑒于 EMI 可能在后期嚴重阻礙設計進度，浪費大量時間和資金，因此必須在設計之初就考慮 EMI 問題。開關模式電源 (SMPS) 是現代技術中普遍使用的電路之一，在大多數應用中，該電路可提供比線性穩壓器更大的效率。但這種效率提高是有代價的，因為 SMPS 中功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET) 的開關會產生大量 EMI，進而影響電路可靠性。EMI 主要來自不連續的輸入電流、開關節
- 關鍵字： MOSFET
功率半導體－馬達變頻器內的關鍵組件
- 全球有約 30% 的發電量用于驅動工業應用中的馬達，而全球工業產業消耗的能源量預期到 2040 年將成長一倍。隨著對能源成本和資源有限的意識不斷提高，未來提升驅動馬達用電效率的需求將會越來越顯著。
- 關鍵字： IGBT7 SiC MOSFET 馬達變頻器 功率半導體 英飛凌
功率器件和被動元件點亮第97屆中國電子展，CEF下半年成都上海再相見
- 2021年4月11日，為期三天的第97屆中國電子展在深圳會展中心圓滿落幕，展會與第九屆中國電子信息博覽會（CITE2021）同期舉辦，現場有超1500家參展商參展，共發布近萬件新產品、新技術，全方位、多角度展示我國電子信息產業的最新發展成果。同時，博覽會期間還舉辦了近100場同期活動，吸引了超過10萬名專業觀眾到場參觀，500余萬觀眾線上觀展。據主辦方介紹，展會以“創新驅動 高質量發展”為主題，展覽展示、論壇會議和現場活動三大板塊聯動，三位一體，亮點紛呈。亮點一展覽：展示最新產品?9號館——基礎
- 關鍵字： MOSFET
Vishay推出全球領先的汽車級80 V P溝道MOSFET，以提高系統能效和功率密度
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc. 近日推出通過AEC-Q101認證、全球先進的p溝道80 V TrenchFET? MOSFET---SQJA81EP。新型Vishay Siliconix SQJA81EP導通電阻達到80 V p溝道器件優異水平，可提高汽車應用功率密度和能效。SQJA81EP采用歐翼引線結構5.13 mm x 6.15 mm PowerPAK? SO-8L小型單體封裝，10 V條件下最大導通電阻僅為17.3 mW /典型值為14.3 mW。日前發布的汽車級M
- 關鍵字： MOSFET
碳化硅(sic)mosfet介紹
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