碳化硅(sic)mosfet 文章 最新資訊
如何選擇合適的電路保護
- 問題：有什么有源電路保護方案可以取代TVS二極管和保險絲？答案：可以試試浪涌抑制器。摘要所有行業的制造商都在不斷推動提升高端性能，同時試圖在此類創新與成熟可靠的解決方案之間達成平衡。設計人員面臨著平衡設計復雜性、可靠性和成本這一困難任務。以一個電子保護子系統為例，受其特性限制，無法進行創新。這些系統保護敏感且成本高昂的下游電子器件（FPGA、ASIC和微處理器），這些器件都要求保證零故障。許多傳統的可靠保護解決方案（例如二極管、保險絲和TVS器件）能夠保持待保護狀態，但它們通常低效、體積龐大且需要維護。為
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東芝支持功能安全的車載無刷電機預驅IC的樣品出貨即將開始
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，已開始供應“TB9083FTG”的測試樣品，這是一種面向汽車應用的預驅IC（其中包括電動轉向助力系統和電氣制動器使用的無刷電機）。東芝將在2022年1月提供最終樣品，并將在2022年12月開始量產。TB9083FTG是一種3相預驅IC，能夠控制和驅動用于驅動3相直流無刷電機的外置N溝道功率MOSFET。該產品支持ASIL-D[1]功能安全規范[2]且符合ISO 26262標準第二版的要求，適用于高安全級別的汽車系統。這種新型IC內置三通道預驅，用于控制和
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Vishay SiC45x系列microBUCK同步降壓穩壓器榮獲21IC 2021年度Top 10電源產品獎
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其Vishay Siliconix SiC45x系列microBUCK?同步降壓穩壓器被《21IC中國電子網》評為2021年度Top 10電源產品獎獲獎產品。這款穩壓器采用PowerPAK? 5 mm x 7 mm小型封裝，以其高達40 A的額定輸出電流，優于前代穩壓器的功率密度和瞬變響應能力受到表彰。Top 10電源產品獎已連續舉辦十九屆，成為業內創新電源產品的標志性獎項。獲獎產品由工程師投票，經21IC編委會綜合技術創新、能效、應用開
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雙脈沖測試基礎系列：基本原理和應用
- 編者按雙脈沖是分析功率開關器件動態特性的基礎實驗方法，貫穿器件的研發，應用和驅動保護電路的設計。合理采用雙脈沖測試平臺，你可以在系統設計中從容的調試驅動電路，優化動態過程，驗證短路保護。雙脈沖測試基礎系列文章包括基本原理和應用，對電壓電流探頭要求和影響測試結果的因素等。為什么要進行雙脈沖測試？在以前甚至是今天，許多使用IGBT或者MOSFET做逆變器的工程師是不做雙脈沖實驗的，而是直接在標定的工況下跑看能否達到設計的功率。這樣的測試確實很必要，但是往往這樣看不出具體的開關損耗，電壓或者電流的尖峰情況，以及
- 關鍵字： MOSFET
基于NCL35076或NCL30076的高能效、高精度、高可靠性的可調光LED照明降壓方案
- 本文主要介紹安森美 (onsemi)的基于NCL35076連續導通模式 (CCM) DC-DC 降壓控制器的75 W方案和基于NCL30076準諧振(QR)降壓控制器的100 W及240 W方案。兩款方案的典型應用是LED照明系統、模擬/PWM可調光LED驅動器，模擬調光范圍寬，從1%到100%。安森美專有的LED電流計算技術和內部檢測及反饋放大器的零輸入電壓偏移，在整個模擬調光范圍內進行精確的穩流，穩流精度在滿載時<±2%，在1%的負載時<±20%。卓越的調光特性可根據負載情況在CCM (N
- 關鍵字： MOSFET
面向工業環境的大功率無線電力傳輸技術
- 1.?? 簡介隨著無線電力傳輸技術在消費類電子產品中的日益普及，工業和醫療行業也把關注焦點轉移至這項技術及其固有優勢。在如 WLAN 和藍牙（Bluetooth）等各項無線技術的推動下，通信接口日益向無線化發展，無線電力傳輸技術也成為一種相應的選擇。采用一些全新的方案，不僅能帶來明顯的技術優勢，還能為新的工業設計開辟更多可能性。這項技術提供了許多新的概念，特別是在需要對抗腐蝕性清潔劑、嚴重污染和高機械應力等惡劣環境的工業領域，例如 ATEX、醫藥、建筑機械等。比如，它可以替代昂貴且易損
- 關鍵字： MOSFET
仿真看世界之SiC MOSFET單管的并聯均流特性
- 開篇前言關于SiC MOSFET的并聯問題，英飛凌已陸續推出了很多技術資料，幫助大家更好的理解與應用。此文章將借助器件SPICE模型與Simetrix仿真環境，分析SiC MOSFET單管在并聯條件下的均流特性。特別提醒仿真無法替代實驗，僅供參考。1、選取仿真研究對象SiC MOSFETIMZ120R045M1(1200V/45mΩ)、TO247-4pin、兩并聯Driver IC1EDI40I12AF、單通道、磁隔離、驅動電流±4A(min)2、仿真電路Setup如圖1所示，基于雙脈沖的思路，搭建雙管并
- 關鍵字： MOSFET
意法半導體收購Norstel AB 強化碳化硅產業供應鏈
- 近年隨著電動汽車產業崛起，碳化硅（SiC）功率半導體市場需求激增，吸引產業鏈相關企業的關注，國際間碳化硅(SiC)晶圓的開發驅使SiC爭奪戰正一觸即發。與硅(Si)相比，碳化硅是具有比硅更寬的能帶隙(energy bandgap，Eg)的半導體；再者，碳化硅具有更高的擊穿電場 (breakdown electric field，Ec)，因此可被用于制造功率組件應用之電子電路的材料，因為用碳化硅制成的芯片即使厚度相對小也能夠經受得起相對高的電壓。表一分別示出了硅和碳化硅的能帶隙(Eg)、擊穿電場(Ec)和電
- 關鍵字： 意法半導體 Norstel AB 碳化硅 SiC
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