2013年12月4日,英飛凌科技股份公司(法蘭克福股票交易所股票代碼:IFX / 美國柜臺交易市場股票代碼:IFNNY)宣布,在今年的電氣自動化系統(tǒng)及元器件(SPS IPC Drives)貿(mào)易展上,英飛凌科技股份有限公司推出針對絕緣電壓高達(dá)1200伏的應(yīng)用的1EDI EiceDRIVERTM Compact單通道柵極驅(qū)動器。
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英飛凌 驅(qū)動器 IGBT MOSFET
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出采用PowerPAK? ChipFET?和PowerPAK 1212-8S封裝的新器件,擴(kuò)充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。
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Vishay MOSFET 導(dǎo)通電阻
摘要:本課題的主要研究內(nèi)容是根據(jù)《公路隧道通風(fēng)照明設(shè)計規(guī)范》要求研究設(shè)計了網(wǎng)絡(luò)化智能調(diào)光LED隧道燈控制系統(tǒng)。
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智能調(diào)光 LED 隧道照明 光耦 MOSFET 201312
摘要:傳統(tǒng)高功率LED驅(qū)動電源大多采用直流并聯(lián)LED的方式工作,成本低,容易實現(xiàn),但目前高亮度LED消耗的電流可達(dá)350mA甚至更高,因此傳統(tǒng)方法的損耗極大,效率低;本文提出了一種串聯(lián)輸入多并聯(lián)驅(qū)動電源的實現(xiàn)方法,具有高性價比,輸出電流大,失真度低,且具有優(yōu)異的串電流調(diào)節(jié)功能等優(yōu)點。
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LED 照明驅(qū)動 DC/DC SIMPLE MOSFET 201312
2013年11月22日,日本半導(dǎo)體制造商株式會社東芝(Toshiba)旗下東芝半導(dǎo)體&存儲產(chǎn)品公司宣布,在第十五屆中國國際高新技術(shù)成果交易會(簡稱高交會)電子展上圍繞“智慧與科技的雙贏,盡在東芝智能社區(qū)”這一主題,重點展示了面向移動終端、家用電器、汽車電子、工業(yè)電子以及存儲等五大應(yīng)用領(lǐng)域的創(chuàng)新技術(shù)與解決方案。
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東芝 存儲卡 MOSFET
引言對電能轉(zhuǎn)換而言,可再生能源電子細(xì)分市場是一個復(fù)雜且多樣化的競技場。在一些負(fù)載點應(yīng)用中,開關(guān)型功率轉(zhuǎn)換...
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IGBT MOSFET
電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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MOS管 驅(qū)動電路 MOSFET 導(dǎo)通特性 AN799
一、LED的出現(xiàn)打破了傳統(tǒng)光源的設(shè)計方法與思路,目前有兩種最新的設(shè)計理念。1.情景照明:是2008年由飛...
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LED MOSFET
在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中,通常包括單脈沖雪崩能量EAS,雪崩電流IAR,重復(fù)脈沖雪崩能量EAR等參數(shù),而許多電子工...
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MOSFET 電源設(shè)計
用于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者 Power Integrations公司(納斯達(dá)克股票代號:POWI)日前宣布推出HiperTFS?-2系列IC - 一款同時集成了高壓MOSFET、雙管正激和反激電源控制器的IC。如此高的集成度可節(jié)省超過20個元件,從而減小外形尺寸并提高功率密度。
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Power MOSFET HiperTFS-2
在電路板尺寸不斷縮小的新一代服務(wù)器和電信系統(tǒng)供電應(yīng)用中,提高效率和功率密度是設(shè)計人員面臨的重大挑戰(zhàn)。
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飛兆 MOSFET SPS 驅(qū)動器
日前,德州儀器 (TI) 宣布面向智能手機(jī)與平板電腦等空間有限手持應(yīng)用推出業(yè)界最小型低導(dǎo)通電阻 MOSFET。該最新系列 FemtoFET? MOSFET 晶體管采用超小型封裝,支持不足 100 毫歐的導(dǎo)通電阻。
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TI MOSFET 導(dǎo)通電阻
現(xiàn)在的專業(yè)軟件都是越做越大,功能成倍成倍地增加,而處理的對象也是越來越復(fù)雜,特別是使用一些仿真軟件在高精度下建模仿真的時候,因為PC上硬件的發(fā)展速度慢于軟件功能復(fù)雜化的速度,就造成了我們的仿真看起來是越跑越慢了。
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Simulink 仿真速度 操作系統(tǒng) MOSFET
東京—東芝公司(TOKYO:6502)日前宣布將擴(kuò)充其650V碳化硅(SiC)肖特基勢壘二極管(SBD)系列,為其現(xiàn)有的6A、8A和12A產(chǎn)品陣容中增添一款10A產(chǎn)品。該產(chǎn)品將于即日起批量交付。
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東芝 碳化硅
MOSFET,中文名金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。
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MOSFET 晶體管 datasheet 漏極電流
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