- 為了達到PCM改進高性能/高密度發展進程中的下一個里程碑，正在采用的一個途徑是在截面尺寸10-100nm的高深寬比 ...
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相變 存儲器 GeSbTe MOCVD
- 相變存儲器(PCM)與存儲器技術簡介,相變存儲器(PCM)是新一代非揮發性存儲器技術。透過比較PCM與現有的SLC和MLC NAND快閃存儲器以及硬碟驅動器(HDD) 和固態硬碟(SSD)等系統解決方案，*估PCM的相對成本、效能和可靠度，可以了解PCM適用于哪里些應用領域，
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- 相變存儲器(PCM)與存儲器技術的比較分析, 相變存儲器(PCM)是新一代非揮發性存儲器技術。透過比較PCM與現有的SLC和MLC NAND快閃存儲器以及硬碟驅動器(HDD) 和固態硬碟(SSD)等系統解決方案，*估PCM的相對成本、效能和可靠度，可以了解PCM適用于哪里些應用領域
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- 相變存儲器--非易失性計算機存儲器技術介紹,相變存儲器(可縮略表示為PCM、PRAM或PCRAM)是一種新興的非易失性計算機存儲器技術。它可能在將來代替閃存，因為它不僅比閃存速度快得多，更容易縮小到較小尺寸，而且復原性更好，能夠實現一億次以上的擦寫次數。本文
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- 摘要：基于相變存儲器(PCM) 已有的2T2R 結構，提出一種以比值為導向的狀態定義方法，以實現2T2R 結構下PCM 的多值存儲。它在相變電阻具有4 態可編寫的能力下，可以實現單元內8 態存儲，同時對小尺寸驗證，而對PCM 存
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- 實現全新存儲器使用模型的新型存儲器--相變存儲器,從下面的幾個重要特性看，相變存儲器（PCM）技術均符合當前電子系統對存儲器子系統的需求：容量
ndash; 因為消費電子、計算機、通信三合一的應用趨勢，所有電子系統的代碼量都以冪指數的速率增長，數據增長速率甚
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- 相變存儲器(PCM)單元中儲存多個位元的方法,BM蘇黎世研究中心的科學家們日前表示，已經發現能夠可靠地在相變存儲器(PCM)單元中儲存多個位元的方法。該小組采用90nm工藝技術，在200k單元陣列中實現了每存儲單元為四層(2位元)，并表示已開發出一種編碼方法，能克
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- 引言 相變存儲器（PC2RAM）是一種新型半導體存儲器，在研發下一代高性能不揮發存儲技術的激烈競爭中，PC2RAM在讀寫速度、讀寫次數、數據保持時間、單元面積、功耗等方面的諸多優勢顯示了極大的競爭力，得到了較快
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- 相變存儲器(PCM)與存儲器技術的比較, 相變存儲器(PCM)是新一代非揮發性存儲器技術。透過比較PCM與現有的SLC和MLC NAND快閃存儲器以及硬碟驅動器(HDD) 和固態硬碟(SSD)等系統解決方案，*估PCM的相對成本、效能和可靠度，可以了解PCM適用于哪里些應用領
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- 相變存儲器--非易失性計算機存儲器技術, 相變存儲器(可縮略表示為PCM、PRAM或PCRAM)是一種新興的非易失性計算機存儲器技術。它可能在將來代替閃存，因為它不僅比閃存速度快得多，更容易縮小到較小尺寸，而且復原性更好，能夠實現一億次以上的擦寫次數。
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- 相變存儲器：能實現全新存儲器使用模型的新型存儲器,從下面的幾個重要特性看，相變存儲器（PCM）技術均符合當前電子系統對存儲器子系統的需求： 容量
C 因為消費電子、計算機、通信三合一的應用趨勢，所有電子系統的代碼量都以冪指數的速率增長，數據增長速率甚至更
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- 日立有限公司與瑞薩科技（Renesas）宣布，為了滿足新一代高密度片上非易失性存儲技術的需求，雙方共同開發出了運行于1.5V電源電壓的512KB（相當于4Mb）相變存儲模塊，該器件能夠實現416KB/s的寫入速度和20ns的讀取時間。利用以前開發的100μA（Micro[注1]安培）寫入操作電流的“低功耗相變存儲單元”，兩家公司在新模塊中開發了一種可以實現高速讀寫操作的外設電路技術。 日立和瑞薩以前開發過一種低功耗操作相變存儲器，它在界面層使用了
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