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        gesbte 文章 最新資訊

        用于相變存儲器的GeSbTe MOCVD共形淀積

        • 為了達到PCM改進高性能/高密度發展進程中的下一個里程碑,正在采用的一個途徑是在截面尺寸10-100nm的高深寬比 ...
        • 關鍵字: 相變  存儲器  GeSbTe  MOCVD  
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        gesbte介紹

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