日立與瑞薩開發(fā)1.5V相變存儲(chǔ)模塊
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日立和瑞薩以前開發(fā)過一種低功耗操作相變存儲(chǔ)器，它在界面層使用了五氧化鉭，可以利用1.5V電源電壓和100μA電流進(jìn)行寫操作。與傳統(tǒng)的片上非易失性存儲(chǔ)器相比，這種存儲(chǔ)器可以降低寫電壓，在芯片內(nèi)無(wú)需使用產(chǎn)生高壓的電源電路，從而有助于減小模塊尺寸，并實(shí)現(xiàn)更高的密度。不過，由于讀取電流很小，存儲(chǔ)器陣列電路技術(shù)非常關(guān)鍵，這樣才能保證在小電流條件下實(shí)現(xiàn)高速運(yùn)行。
新開發(fā)的電路技術(shù)具有以下特性：
（1）寫電路技術(shù)有助于利用小電流實(shí)現(xiàn)高速寫入
a.兩步電流控制的數(shù)據(jù)寫入方法
高速寫入是利用控制兩步寫入過程中流經(jīng)相變薄膜的電流來(lái)實(shí)現(xiàn)的，首先是100μA的電流，然后是低于100μA的電流，以有效地產(chǎn)生焦耳熱量。
b.串寫方法
通常，存儲(chǔ)器的寫入是多位同時(shí)執(zhí)行的。由于寫入所需的電流為：?jiǎn)卧獙戨娏?/span>
評(píng)論