一種相變存儲器的驅(qū)動電路設(shè)計

引言

　　相變存儲器（PC2RAM）是一種新型半導(dǎo)體存儲器，在研發(fā)下一代高性能不揮發(fā)存儲技術(shù)的激烈競爭中，PC2RAM在讀寫速度、讀寫次數(shù)、數(shù)據(jù)保持時間、單元面積、功耗等方面的諸多優(yōu)勢顯示了極大的競爭力，得到了較快的發(fā)展。相變存儲器是利用加工到納米尺寸的相變材料在晶態(tài)與非晶態(tài)時不同的電阻狀態(tài)來實現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲。讀、寫操作是通過施加電壓或電流脈沖信號在相變存儲單元上進(jìn)行的。相變存儲單元對驅(qū)動電路產(chǎn)生的驅(qū)動電壓或電流十分敏感，因此，設(shè)計一個性能優(yōu)良的驅(qū)動電路成為實現(xiàn)芯片功能的關(guān)鍵。本文介紹了一種新型的、結(jié)構(gòu)簡單的相變存儲器驅(qū)動電路設(shè)計，該電路采用電流驅(qū)動方式，主要包括基準(zhǔn)電壓電路、偏置電流電路、電流鏡電路及控制電路。

　　1　電路設(shè)計與分析

　　1.1　相變存儲器芯片

　　圖1為相變存儲器內(nèi)部結(jié)構(gòu)框圖，主要包括相變存儲單元陣列（1r1tarray）、地址解碼器（rowdec和columndec）、讀寫驅(qū)動電路（drv8）、驅(qū)動控制電路（drvcon）和讀出放大電路（sa8）。

　　相變存儲單元陣列包括字線、位線和處在字線與位線的交叉區(qū)的相變存儲單元，每一個存儲單元包括一條字線、一個選通管及一個相變電阻，并且每一個相變電阻均可在非晶態(tài)與晶態(tài)之間進(jìn)行編程；地址解碼器解碼輸入行地址，以選擇每個存儲單元的字線，位選擇電路根據(jù)輸入的列地址，選擇一條位線；驅(qū)動電路生成將所選存儲單元編程為非晶態(tài)或晶態(tài)的寫電流，以及讀出被編程后的存儲單元狀態(tài)的讀電流；驅(qū)動控制電路由控制邏輯與脈沖信號發(fā)生器組成，用于產(chǎn)生一定脈沖寬度的讀/寫脈沖，其中，寫過程包括寫“0”、寫“1”兩種情況（Set和Reset），對應(yīng)相變單元在晶態(tài)（低阻）及非晶態(tài)（高阻）之間的轉(zhuǎn)換。

　　1.2　驅(qū)動電路

　　本文所設(shè)計的相變存儲器驅(qū)動電路主要結(jié)構(gòu)如圖2所示。首先，由帶隙基準(zhǔn)電壓電路bgn生成高精度的基準(zhǔn)電壓Vref,接著，該基準(zhǔn)電壓通過一級偏置電流產(chǎn)生電路偏置產(chǎn)生高精度的偏置電流Ibias,偏置電流輸出給后級用于最終驅(qū)動的電路drv。drv由兩級電流鏡電路組成，每一級有三個電流鏡結(jié)構(gòu)，可分別用于產(chǎn)生大小不同的Read、Set、Reset電流，drvcon用于控制產(chǎn)生所需的電流脈沖。