- 基于現場可編程門陣列（FPGA）的硬件加速器器件和高性能嵌入式FPGA半導體知識產權（eFPGA IP）領導性企業Achronix半導體公司日前宣布：公司推出兩個全新的項目，以支持研究機構、聯盟和公司能夠全面對接Achronix領先Speedcore eFPGA技術。該組項目將使研究機構和公司能夠使用Achronix高性能Speedcore eFPGA技術快速構建低成本測試芯片。
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- Rambus公司(納斯達克股票代碼:RMBS)和GLOBALFOUNDRIES日前宣布兩種獨立的基于內存架構的硅晶測試芯片的合作成果。第一種測試芯片提供了針對智能手機和平板電腦等移動設備存儲器應用的解決方案。第二種測試芯片展示了面向服務器等計算主存儲器應用的解決方案。
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- 美商Altera公司與TSMC22日宣布，采用TSMC CoWoS生產技術共同開發全球首顆能夠整合多元芯片技術的三維集成電路(Heterogeneous 3DIC)測試芯片，此項創新技術系將模擬、邏輯及內存等各種不同芯片技術堆棧于單一芯片上組合而成，可協助半導體產業超越摩爾定律的發展規范，而TSMC的CoWoS整合生產技術能夠提供開發3DIC技術的半導體公司一套完整的解決方案，包括從前端晶圓制造到后端封裝測試的整合服務。
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- 歐洲微電子研究機構IMEC(比利時魯汶)日前宣布，已發布了一個早期版本的邏輯工藝開發套件(PDK)，這是業界第一款用以解決14納米節點邏輯工藝的開發工具包，IMEC表示。
該套件支持多種有可能在14納米節點應用的技術，包括FinFET器件和極端紫外線光刻技術。它包含了器件緊湊模型，寄生參數提取，設計規則，參數化單元(P-單元)，和基本的邏輯單元，IMEC指出。
14納米PDK作為IMEC Insite合作研究項目的一部分而開發，曾有報道稱Altera公司、NVIDIA公司與美國高通公司都是
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- 國際領先的IC設計公司及一站式服務供應商—燦芯半導體(上海)有限公司與中芯國際集成電路制造有限公司及ARM日前聯合宣布，采用中芯國際40納米低漏電工藝的ARM® Cortex™-A9 MPCore™雙核測試芯片首次成功流片。
該測試芯片基于ARM Cortex-A9雙核處理器設計，采用了中芯國際的40納米低漏電工藝。處理器使用了一個集32K I-Cache和32K D-Cache，128 TLB entries，NEON™ 技術，以及包括調
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- Open-Silicon、業界標準處理器架構與內核領導廠商 MIPS 科技公司和Virage Logic 三家公司共同宣布，已成功開發一款測試芯片，充分展現出構建高性能處理器系統的業界領先技術。該處理器測試芯片實現了1.1GHz的頻率速度，成功通過了65nm 芯片測試，使其成為65nm ASIC 中最快的處理器之一。同時，后續40nm器件的開發工作也已經開始進行，目標是超過2.5GHz頻率，并提供超過5000 DMIPS的性能。這項開發計劃采用了Open-Silicon的CoreMAXTM技術，以及超
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- ARM公司近日在于加州福斯特市舉行的IEEE SOI大會上發布了一款絕緣硅(silicon-on-insulator，SOI)45納米測試芯片的測試結果。結果表明，相較于采用傳統的體硅工藝(bulk process)進行芯片制造，該測試芯片顯示出最高可達40%的功耗節省的可能性。這一測試芯片是基于ARM1176™ 處理器，能夠在SOI和體效應微處理器實施之間進行直接的比較。此次發布的結果證實了在為高性能消費設備和移動應用設計低功耗處理器時，SOI是一項取代傳統體效應工藝的可行技術。
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- 據ARM的研究人員的報道，公司制成的45nm SOI測試芯片和普通相同尺寸工藝相比，功耗可減少40%。該結果在近期的IEEE SOI Conference上發表。
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- 英飛凌推出測試芯片消除VIA缺陷 提高產品的可靠性 英飛凌公司在全球范圍內率先推出一種全新方法，該方法可消除高度集成半導體電路制造過程中引起產品缺陷的一個最常見原因：過孔電氣故障。“過孔（VIA）”表示“垂直互連”，指集成電路金屬層之間的連接。英飛凌與雷根斯堡應用科學大學（FH Regensburg）合作開發出該全新方法。該合作項目是英飛凌Automotive ExcellenceTM計劃的一部分，該計劃于三年前啟動
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