Rambus和GLOBALFOUNDRIES展示非凡性能和功耗表現

　　Rambus公司(納斯達克股票代碼:RMBS)和GLOBALFOUNDRIES日前宣布兩種獨立的基于內存架構的硅晶測試芯片的合作成果。第一種測試芯片提供了針對智能手機和平板電腦等移動設備存儲器應用的解決方案。第二種測試芯片展示了面向服務器等計算主存儲器應用的解決方案。這兩款測試芯片均采用GLOBALFOUNDRIES的28納米超低功率(28nm-SLP)制程，為目前先進的系統單芯片(SoC)發展提供最省電及最高性能的模擬/混合訊號的產品，功耗及性能方面更是超出預期。

　　Rambus半導體業務部高級副總裁兼總經理Sharon Holt表示：“與GLOBALFOUNDRIES合作，對我們承諾持續創新并推出頂尖的電子產品效能至關重要。GLOBALFOUNDRIES 的28nm-SLP制程最適合用于無可匹敵的功效實現Multi-GHz的數據傳輸率。”

　　GLOBALFOUNDRIES設計實現部高級副總裁錢穆吉先生表示：“我們的28nm-SLP技術為SoC設計師提供穩定的制程選項，適用于新一代的多功能消費性產品及移動設備，并確保功耗最佳化，是在市場中取得成功的重要關鍵。我們很榮幸能與Rambus緊密合作，展示我們擁有的能力與設計實現生態系統，以提供業界最具成本效益且多樣化的28nm-SLP制程。”

　　Rambus的移動設備和服務器存儲器架構旨在滿足面向具有3D游戲、高清視頻流、數據獲取和編碼等各種應用帶動下持續成長的效能需求，同時又能提供無以倫比的功效。隨著串流媒體播放器、智能手機、平板電腦等智能移動設備的不斷普及，為搭載最新功能組和的裝置提供必要頻寬的新一代動態隨機存取記憶體(DRAM)技術之需求也將與日俱增。

　　GLOBALFOUNDRIES的28nm-SLP技術專為下一代智能移動設備設計，幫助實現處理速度更快、體積更小、待機功耗更低、電池使用壽命更長的設計。該技術是以塊狀硅CMOS基板為基礎，采用與高K金屬柵極(HKMG)相同的“前柵極(Gate First)”方法，并已開始在GLOBALFOUNDRIES位于德國德累斯頓(Dresden)的Fab 1實現了量產。

　　過去兩年里，Rambus和GLOBALFOUNDRIES已合作設計出多款28nm-SLP測試芯片，包括Rambus核心內存架構的移動和服務器應用。這些測試芯片采用了GLOBALFOUNDRIES提供的各種設計實現支持和解決方案，包括流程設計工具(PDKs)、延伸實施服務以及DRC+™可制造性設計技術。此前，在高速物理層(PHY)設計上，GLOBALFOUNDRIES組裝支持團隊還為Rambus提供了絲焊和倒裝芯片等封裝方案。