- 通用變頻器采用晶體管輸入信號圖見圖所示。由于晶體管可以用很小的基流電流控制,所以可使信號傳輸距離增加。圖通用變頻器采用晶體管輸入信號圖...
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變頻器 晶體管 輸入信號
- 晶體管恒流偏置電路通常,當RL?R時,流過光敏電阻的電流基本不變,此時的偏置電路稱為恒流電路。然而,光敏電阻自身的阻值已經很高,再滿足恒流偏置的條件就難以滿足電路輸出阻抗的要求,為此,可引入如圖2-13所示的晶體管恒...
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晶體管 恒流偏置
- 晶體管放大電路的頻率特性一:頻率特性簡述(1):由于放大電路中存在電抗元件C,因此它對不同頻率呈現的阻抗不同,所以放大電路對不同頻率成分的放大倍數和相位移不同。放大倍數與頻率的關系稱為幅頻關系;相位與頻率的關系稱為...
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晶體管 放大電路 頻率特性
- 溫度升高,電流增大,NTC熱敏電阻阻值下降,Ub下降,Ib減小,穩定晶體管靜態工作點。
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晶體管 溫度補償
- 伊利諾伊大學研究人員開發出新的氮化鎵(GaN)熱控制方法
GaN晶體管比傳統的硅晶體管具有更高的功率密度,可以在較高溫度下運行(500℃以下),但像所有半導體那樣,GaN晶體管也產生過多的熱量,這會限制他們的性能。
基于散熱器和風扇的冷卻方法增加成本和體積。現在,一個來自伊利諾伊大學微納米技術實驗室的研究團隊創造了一種新的方法,他們聲稱該方法簡單而且低成本。
采用計算機輔助設計,坎·拜拉姆的團隊已經證明,GaN層的厚度在過熱中起很大作用,影響設備的熱預期和最終性能。
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氮化鎵 晶體管
- 引言雙極結型晶體管(BJT)看起來像老式的電子元件,但由于具有低成本和卓越參數的優點,它們可以解決許多問題。我們可以發現過去由于這些元件太高成本而不可能實現的新應用,比如我們可以在某些情況下用多個并聯的小
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晶體管 穩壓器
- 以物理學規則來看,電晶體的最小尺寸被認為是5奈米,但透過采用碳奈米管制作電晶體閘極,這個極限已經被突破…
碳奈米管從過去幾十年就已經用于制作實驗性電晶體,但大多是當做電晶體通道(channel);美國勞倫斯柏克萊國家實驗室(Lawrence Berkeley National Laboratory)的研究人員則是以奈米碳管制作閘極(gate),并因此實現了號稱全世界最小的電晶體。
采用二硫化鉬(molybdenum disulfide)通道與單奈米
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1nm 晶體管
- 隨著芯片技術的發展,摩爾定律所預言的發展軌跡似乎已逼近終點。這意味著,固守傳統思路的芯片制造商將舉步維艱。
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1nm 晶體管
晶體管介紹
【簡介】
晶體管(transistor)是一種固體半導體器件,可以用于檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關,基于輸入的電壓,控制流出的電流,因此晶體管可做為電流的開關,和一般機械開關(如Relay、switch)不同處在于晶體管是利用電訊號來控制,而且開關速度可以非常之快,在實驗室中的切換速度可達100GHz以上。
半導體三極管,是內部含有兩個P [
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