服務橫跨多重電子應用領域的全球半導體領導商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）新推出之ST25R3916B-AQWT和ST25R3917B-AQWT NFC Forum讀寫器芯片輸出功率大、效能高，且價格具有競爭力，并支持NFC啟動器、目標設備、讀寫器和卡模擬四種模式，應用包括零接觸支付、裝置配對、無線充電、品牌保護以及其他工業和消費性應用。新裝置導引彈性更高的主動波形整形（Active Wave Shaping，AWS）改良技術，可以簡化射頻輸出調整過程，便于優化過沖和下沖問題。
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意法半導體 NFC 讀取器
務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM)，與世界排名前列的嵌入式語音識別技術供應商、意法半導體授權合作伙伴 Sensory Inc公司宣布了一項合作協議，賦能STM32 微控制器 (MCU)用戶社區為各種智能嵌入式產品開發直觀的語音識別用戶界面及產品原型。該合作項目整合了意法半導體STM32軟硬件和Sensory的語音控制技術。其中新的VoiceHub 在線門戶支持使用自定義喚醒詞、語音控制命令集和大型自然語言語法
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意法半導體 嵌入式聲控
· VL53L8 直接飛行時間 (dToF) 傳感器非常適用于智能手機以及智能揚聲器、人機界面、消費類激光雷達和 AR/VR/MR· 傳感器集成新的革命性超表面透鏡 (metasurface lens) 技術和性能更強、能效更高的激光源和片上處理改進技術 服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(簡稱ST)推出了新一代FlightSense?飛行時
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意法半導體 ToF
率先實現元鏡（meta-optics）商用的公司Metalenz與服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體( (STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM)宣布，2021 年 6 月披露的雙方將合作開發的元鏡現已上市。作為該備受矚目的技術首秀，意法半導體剛剛發布的 VL53L8 直接飛行時間 (dToF) 傳感器已搭載這一突破技術隆重登場。Metalenz的元鏡技術是哈佛大學的科研成果，可以替代現有的結構復雜的多鏡片鏡頭。在嵌入一顆元鏡后，3D 傳感器模塊大
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意法半導體 光學超表面技術
意法半導體的 ST25R3916B-AQWT 和ST25R3917B-AQWT NFC Forum讀取器芯片輸出功率大，能效高，價格具有競爭力，支持 NFC 發起設備、目標設備、讀取和卡模擬四種模式，目標應用包括非接支付、設備配對、無線充電、品牌保護以及其他工業和消費類應用。新器件引入了靈活性更高的主動波形整形 (AWS)改進技術，可以簡化射頻輸出調整過程，方便優化過沖和下沖問題。射頻調整操作非常容易，先在支持的圖形界面軟件上修改寄存器設置，然后再用示波器進行快速驗證。這項技術簡化了EMVCo 3.1a和
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意法半導體 NFC
瑞士意法半導體（STMicroelectronics）推出了MasterGaN，是第一個嵌入硅基半橋驅動芯片以及一對氮化鎵（GaN）晶體管的平臺。這個集成化的解決方案將加速下一代緊湊高效的充電器和電源適配器的開發，并用于高功率電子和工業應用。 意法半導體（ST）表示，其MasterGaN方法可縮短了產品上市時間，并確保了預期的性能，同時使封裝變得更小、更簡單、電路組件更少、系統可靠性更高。據估計，借助GaN技術和ST的集成產品，充電器和適配器將比普通硅基解決方案的尺寸縮小80％，將重量減少70％。
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意法半導體 硅基驅動器
長期以來，英飛凌、意法半導體等功率半導體Top級廠商更多的產品是硅基器件，如硅基IGBT、硅基MOSFET等，隨著5G、新能源汽車等一系列技術迭代和市場需求推動之下，第三代半導體憑借各自高頻、高壓等優...延續了一年的第三代半導體發展熱潮并未止息，多家功率半導體國際巨頭競相在公布2022年財報前后宣布了新建工廠計劃。如Infineon（英飛凌）、STMicroelectronics（意法半導體）都表示將在全球不同國家建設碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）相關工廠。雖然在目前階段來看，碳化硅的應用和技術發展
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意法半導體 硅基IGBT 硅基MOSFET
意法半導體（STMicroelectronics）和電信、工業、國防和數據中心半導體解決方案供貨商MACOM技術解決方案控股有限公司（那斯達克股票代碼：MTSI」）宣布，已成功制造出射頻硅基氮化鎵（RF GaN-on-Si）原型芯片。有鑒于此佳績，意法半導體與MACOM將繼續合作，并加強雙方的合作關系。射頻硅基氮化鎵為5G和6G基礎建設之應用帶來巨大的發展潛力。早期世代的射頻功率放大器（Power Amplifier，PA）主要采用橫向擴散金屬氧化物半導體（Laterally-Diffused Metal
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意法半導體 MACOM 射頻 硅基氮化鎵
5月13日，意法半導體和MACOM宣布宣布成功生產射頻硅基氮化鎵（RF GaN-on-Si）原型。RF GaN-on-Si為5G和6G基礎設施提供了巨大潛力。長期存在的射頻功率技術橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)主導了早期射頻功率放大器(PA)。對于這些射頻功率放大器，GaN可以提供比LDMOS更高的射頻特性和顯著更高的輸出功率。此外，它可以在硅或碳化硅(SiC)芯片上制造。由于高功率應用對SiC晶圓的競爭以及其非主流半導體加工，RF GaN-on-SiC可能會更昂貴。目前，意法半導體和
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意法半導體 硅基氮化鎵
合作研制先進的硅基氮化鎵功率二極管和晶體管架構,并將其量產利用IRT納電子技術研究所的研究結果，工藝技術將會從Leti的200mm研發線轉到意法半導體的200mm晶圓試產線，2020年前投入運營中國 / 24 Sep 2018橫跨多重電子應用領域的全球領先的半導體供應商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）和CEA Tech下屬的研究所Leti今天宣布合作研制硅基氮化鎵（GaN）功率開關器件制造技術。該硅基氮化鎵功率技術將讓意法半導體能
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意法半導體 硅基氮化鎵
日前，意法半導體和CEATech旗下之研究所Leti宣布合作研發硅基氮化鎵(GaN)功率切換元件制造技術。該硅基氮化鎵功率技術將讓意法半導體滿足高效能、高功率的應用需求，包括混動和電動汽車車載充電器、無線充電和伺服器。 本合作計劃之重點是在200mm晶圓上開發和驗證制造先進硅基氮化鎵架構的功率二極體和電晶體。研究公司HIS預測，該市場將在2024年前將保持超過20%的年復合成長率。意法半導體和Leti利用IRT奈米電子研究所的框架計劃，在Leti的200mm研發線上開發制程技術，預計在2019年完成可供
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意法半導體 硅基氮化鎵技術
產品達到成本和性能雙重目標，現進入認證測試階段實現彈性量產和供貨取得巨大進展服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM)和世界排名前列的電信、工業、國防和數據中心半導體解決方案供應商MACOM技術解決方案控股有限公司(納斯達克股票代碼:MTSI，以下簡稱“MACOM”) 宣布，射頻硅基氮化鎵(RF GaN-on-Si)原型芯片制造成功。基于這一成果，意法半導體和MACOM將繼續攜手，深化合作。射頻硅基氮化鎵可為5G和
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意法半導體 硅基氮化鎵
ST-ONE 簡介ST-ONE 是一款具有二次側數位控制的離線數位控制器，專門用于采用包括 USB-PD 在內的智慧充電解決方案的主動鉗位反馳式轉換器，獨特的完整 SiP(System in Package)、高壓能力、跨電流隔離的數字電源控制，可實現極高的性能和功率密度，允許接口協議、電源控制算法和故障系統管理的演進和定制。該器件在初級側包括一個主動鉗位反激式控制器及其啟動，在次級側包括一個微控制器以及控制轉換和通信所需的所有周邊設備。兩側通過嵌入式電氣隔離通信通道連接，出廠時已載入固件，該固件可處理
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ST 主動鉗位 反馳式控制器 ST-ONE MasterGaN2 充電器
一款基于ST PowerPC SPC560P34L1以及predriver L9907, 低壓MOSFET STP120N4F6等的EPS電機驅動板設計方案。
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ST SPC560P34 EPS 轉向助力
如今人們的生產生活一刻也離不開電子產品，電子產品儼然已經成了一種剛需，比如手機、電腦、智能家電等。特別是手機，幾乎是每個人的標配，衣食住行樣樣都離不開手機的輔助。而這種高頻次的使用背后定然也離不開充電器的加持，因為手機是電子產品，而電子產品需要電能才能使用。說起手機充電器，人們最關心的是充電速度，以前的5V1A/2A普通充電器充電很慢，充滿一部手機往往需要一個多小時甚至更久，而現在的快充充電器能把充電時間縮短至半個小時以內，這大大節省了人們寶貴的時間。充電五分鐘，通話兩小時，這就是PD電源的真實寫照。我們
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ST STNRG011 MASTERGAN1 PD電源
意法半導體(st)與德州儀器介紹
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