意法半導體和Leti合作開發硅基氮化鎵功率轉換技術1
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合作研制先進的硅基氮化鎵功率二極管和晶體管架構,并將其量產
本文引用地址：http://www.104case.com/article/202206/435157.htm利用IRT納電子技術研究所的研究結果，工藝技術將會從Leti的200mm研發線轉到意法半導體的200mm晶圓試產線，2020年前投入運營
中國 / 24 Sep 2018
橫跨多重電子應用領域的全球領先的半導體供應商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）和CEA Tech下屬的研究所Leti今天宣布合作研制硅基氮化鎵（GaN）功率開關器件制造技術。該硅基氮化鎵功率技術將讓意法半導體能夠滿足高能效、高功率的應用需求，包括混動和電動汽車車載充電器、無線充電和服務器。
本合作項目的重點是開發和檢測在200mm晶片上制造的先進的硅基氮化鎵功率二極管和晶體管架構。研究公司IHS認為，該市場將在2019年至2024[1]年有超過20％的復合年增長率。意法半導體和Leti利用IRT納電子研究所的框架計劃，在Leti的200mm研發線上開發工藝技術，預計在2019年完成工程樣品的驗證。同時，意法半導體還將建立一條高品質生產線，包括GaN / 硅異質外延工序，計劃2020年前在法國圖爾前工序晶圓廠進行首次生產。
此外，鑒于硅基氮化鎵技術對功率產品的吸引力，Leti和意法半導體正在評測高密度電源模塊所需的先進封裝技術。
意法半導體汽車與分立器件產品部總裁Marco Monti表示：“在認識到寬帶隙半導體令人難以置信的價值后，意法半導體與CEA-Leti開始合作研發硅基氮化鎵功率器件制造和封裝技術。ST擁有經過市場檢驗的生產可靠的高質量產品的制造能力，此次合作之后，我們將進一步擁有業界最完整的GaN和SiC產品和功能組合。”
Leti首席執行官Emmanuel Sabonnadiere表示：“Leti的團隊利用Leti的200mm通用平臺全力支持意法半導體的硅基氮化鎵功率產品的戰略規劃，并準備將該技術遷移到意法半導體圖爾工廠硅基氮化鎵專用生產線。這個合作開發項目需要雙方團隊的共同努力，利用IRT納電子研究所的框架計劃來擴大所需的專業知識，在設備和系統層面從頭開始創新。”
編者注：
相較于采用硅等傳統半導體材料的器件，更高的工作電壓、頻率和溫度是寬帶隙半導體材料GaN制成的器件的固有優勢。除功率氮化鎵技術外，意法半導體還在開發另外兩種寬帶隙技術：碳化硅（SiC）和射頻氮化鎵（GaN）。
在GaN領域除了與CEA-Leti合作外，意法半導體不久前還宣布了與MACOM合作開發射頻硅基氮化鎵技術，用于MACOM的各種射頻產品和和意法半導體為非電信市場研制的產品。兩個研發項目都使用GaN，很容易引起混淆，但是，這兩種研發項目使用結構不同的方法，應用優勢也不同。例如，功率硅基氮化鎵技術適合在200mm晶片上制造，而射頻硅基氮化鎵目前至少更適合在150mm晶片上制造。無論哪種方式，因為開關損耗低，GaN技術都適用于制造更高頻率的產品。
另一方面，碳化硅器件的工作電壓更高，阻斷電壓超過1700V，雪崩電壓額定值超過1800V，通態電阻低，使其非常適用于能效和熱性能出色的產品。憑借這些特性，SiC非常適合電動汽車、太陽能逆變器和焊接設備等應用。
關于意法半導體
意法半導體（STMicroelectronics; ST）是全球領先的半導體公司，提供與日常生活息息相關的智能的、高能效的產品及解決方案。意法半導體的產品無處不在，致力于與客戶共同努力實現智能駕駛、智能工廠、智能城市和智能家居，以及下一代移動和物聯網產品。享受科技、享受生活，意法半導體主張科技引領智能生活（life.augmented）的理念。意法半導體2016年凈收入69.7億美元，在全球擁有10萬余客戶。詳情請瀏覽意法半導體公司網站：www.st.com
關于Leti (法國)
在讓工業方案變得更智能、節能和安全的小型化技術領域，CEA Tech的技術研究院Leti位居世界領先行列。成立于1967年，Leti是微米和納米技術的先驅，為國際企業、中小企業和初創公司提供定制化、差異化的應用方案。Leti探索解決醫療健康、能源和數字化所面臨的重大挑戰。從傳感器到數據處理和計算方案，Leti的多學科團隊為客戶提供深厚扎實的專業知識和世界一流的試制預產設施。該研究所擁有1,900多名員工，2,700項專利，91,500平方英尺的無塵室，執行明確的知識產權政策，總部位于法國格勒諾布爾，并在硅谷和東京設有辦事處。 Leti已經創辦了60家創業公司，并且是Carnot Institutes網絡的成員。
關注我們：www.leti.fr/en and @CEA_Leti.
CEA Tech是法國新能源和原子能委員會（CEA）的技術研究委員會，是創新型研發、國防安全、核能、工業和基礎科學技術研究領域的一個重要參與者，被湯森路透評為為世界第二大創新研究組織。CEA Tech利用其獨有的創新驅動型文化和無與倫比的專業知識，開發和傳播新的工業技術，幫助客戶研制高端產品，提高市場競爭優勢。
關于納電子技術研究所（IRT）
Leti旗下的納電子技術研究所（IRT）的研發活動涉及信息和通信技術（ICT），特別是微電子和納米電子技術領域。總部位于法國格勒諾布爾，IRT納電子研究所利用該地區經過檢驗的創新生態系統，開發能夠推動未來納米電子發展的技術，推動新產品開發，為現有技術開發新的應用（例如，物聯網）。IRT納電子的研發活動能夠讓世界深入了解3D集成、硅光子學和功率器件等新興技術對集成電路的影響。詳情訪問www.irtnanoelec.fr。
IRT納電子研究所是法國政府 “Program Investissements d'Avenir”計劃企業，獲得政府資金支持，備案號為ANR-10-AIRT-05。
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