意法半導體連手MACOM 攻射頻硅基氮化鎵有成

意法半導體（STMicroelectronics）和電信、工業、國防和數據中心半導體解決方案供貨商MACOM技術解決方案控股有限公司（那斯達克股票代碼：MTSI」）宣布，已成功制造出射頻硅基氮化鎵（RF GaN-on-Si）原型芯片。有鑒于此佳績，意法半導體與MACOM將繼續合作，并加強雙方的合作關系。

射頻硅基氮化鎵為5G和6G基礎建設之應用帶來巨大的發展潛力。早期世代的射頻功率放大器（Power Amplifier，PA）主要采用橫向擴散金屬氧化物半導體（Laterally-Diffused Metal-Oxide Semiconductor，LDMOS）射頻功率技術，氮化鎵（GaN）可為射頻功率放大器帶來更優異的射頻特性及更高的輸出功率，而且GaN可以制造在硅晶圓或碳化硅（SiC）晶圓上。

然而，在高功率應用與射頻硅基氮化鎵對SiC晶圓的競爭下，加上其非主流的半導體制程，射頻硅基氮化鎵的成本可能更高。意法半導體和MACOM正在研發的射頻硅基氮化鎵技術有望提供具有競爭力的性能，透過整合至標準半導體制程中以實現巨大規模的經濟效益。

意法半導體制造的原型芯片和組件已成功達到成本和性能目標，能夠與市面上現有的LDMOS和GaN-on-SiC技術有效競爭，并且即將進入下個重要階段——認證測試與商業化，此為，意法半導體計劃將于2022年達成此一里程碑。因取得這次傲人的進展，意法半導體與MACOM已開始討論進一步擴大研發，加速先進射頻硅基氮化鎵產品上市。