- 說明：單片機片外程序存儲器數據存儲器操作命令與通常所說的存儲器不同，和I2C總線的AT24C02不同，SPI協議的也不同，是指采用專用接口電路，應用P0口P2口地址總線和控制線的“三總線”方式訪問的。關于編程
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存儲器 命令 操作 數據 單片機 程序
- 摘要：設計了一種用于OTP存儲器的片上時序信號產生電路。由地址變化探測電路和脈沖寬度調整電路組成。地址變化檢測電路檢測地址信號的變化，再由脈沖寬度調整電路產生一個寬度適中的時序信號，用于內部時序控制。其具
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OTP 存儲器 時序 信號產生電路
- 1.引言 RFID(射頻識別)技術是從上世紀80 年代走向成熟的一項自動識別技術，近年來發展十分迅速。其技術的覆蓋范圍廣泛，許多正在應用中的自動識別技術都可以歸于RFID 技術之內，但它們的工作原理、工作頻率、技術
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設計 簡介 接口 高頻 存儲器 RFID XPM
- 在各種單片機應用系統中，存儲器的正常與否直接關系到該系統的正常工作。為了提高系統的可靠性，對系統的可靠性進行測試是十分必要的。通過測試可以有效地發現并解決因存儲器發生故障對系統帶來的破壞問題。本文針對
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單片機系統 存儲器 測試 方法研究
- 本文提出了一種從存儲器導出數據，并運用MATLAB進行數據進制轉換、繪圖的方法，繪制的圖形能很好地復現模擬信號源信號，對單片機調試分析具有一定幫助。1 理論分析A/D轉換器是連接模擬信號與數字信號的橋梁，現有單片
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設計 繪圖 數據 存儲器 單片機
- 鐵電存儲器的技術特點簡介, 如圖1所示，電子電能表的基本架構包括下列各主要功能模塊：電壓電流取樣電路；16位以上分辨率的ADC；計量與控制單元；通信接口；操作界面；顯示器；存儲器。本文將以存儲器為重點說明為何電子式電能表需要使用鐵電存
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簡介 特點 技術 存儲器
- 相變存儲器--非易失性計算機存儲器技術介紹,相變存儲器(可縮略表示為PCM、PRAM或PCRAM)是一種新興的非易失性計算機存儲器技術。它可能在將來代替閃存，因為它不僅比閃存速度快得多，更容易縮小到較小尺寸，而且復原性更好，能夠實現一億次以上的擦寫次數。本文
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存儲器 介紹 技術 易失性 相變 計算機
- 電子式電能表使用鐵電存儲器(F-RAM)的緣由,自從1889年匈牙利工程師 Otto Blathy 發明全世界第一個電能表 (瓦特瓦時表)原型之后，電能表經過一個世紀多的演進：由機械式電表到今日的各種不同型式的電子電能表，包含新的預付費電能表 (pre-paid) 復費率電能表 以
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F-RAM 緣由 存儲器 使用 電能表 電子
- LCD_1602, 學過單片機的朋友們都知道它了吧，可以說是用的最廣，最簡單，也是學液晶入門級別的一塊液晶了。LCD1 ...
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液晶屏 LCD1602 存儲器 字符
- 我在大學的時候很少關心單片機內部存儲器的結構及應用，只是大概的知道RAM和ROM的區別，甚至只是知道程序下載到 ...
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BootLoader 嵌入式 存儲器
- 采用經驗證的高效非易失性F-RAM存儲技術，能夠提供更大存儲容量和更快讀/寫速度。MaxArias器件還具有伽馬射線穩定性和磁場免疫能力。Ramtron現有的MaxArias無線存儲器解決方案均遵從EPCglobalClass-1Generation-2UHF無線接口協議。
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Ramtron 存儲器
- 使用前沿的串行總線和窄總線（如HDMI和SATA）的設計師早就知道，示波器是進行一致性測試、容限分析和性能...
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示波器 安捷倫 嵌入式 存儲器
- 1、主存儲器概述(1)主存儲器的兩個重要技術指標◎讀寫速度：常常用存儲周期來度量，存儲周期是連續啟動兩次獨立的存儲器操作(如讀操作)所必需的時間間隔?！虼鎯θ萘浚和ǔＳ脴嫵纱鎯ζ鞯淖止潝祷蜃謹祦碛嬃?。(2)主存
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設計 組成 部件 存儲器
- X5045是一種集看門狗、電壓監控和串行EEPROM 三種功能于一身的可編程控制電路.特別適合應用在需要少量存儲器,并對電路板空間需求較高場合,X5045具有電壓監控功能,可以保護系統免受低電壓的影響，當電源電壓降到允許范
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x5045 存儲器 程序 讀寫 電路 X5045 看門 基于
- 富士通半導體(上海)有限公司日前宣布其FerVID 家族推出用于RFID標簽的一款新的芯片-MB89R112。該芯片用于高頻RFID標簽，帶9 KB的FRAM內存。FerVID家族產品使用鐵電存儲器(FRAM)，具有寫入速度快，高頻可重寫，耐輻射，低功耗操作等特點。
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富士通 存儲器 FRAM
存儲器介紹
什么是存儲器
存儲器（Memory）是計算機系統中的記憶設備，用來存放程序和數據。計算機中的全部信息，包括輸入的原始數據、計算機程序、中間運行結果和最終運行結果都保存在存儲器中。它根據控制器指定的位置存入和取出信息。
存儲器的構成
構成存儲器的存儲介質，目前主要采用半導體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩態半導體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [
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