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        存儲(chǔ)器 文章 最新資訊

        存儲(chǔ)器廠調(diào)漲DRAM合約價(jià) 明年Q1價(jià)格仍有望居高不下

        •   DRAM漲勢(shì)不斷,后遺癥逐步顯現(xiàn),渠道商表示,因存儲(chǔ)器漲幅過(guò)大,下游應(yīng)用端,尤其是筆電和部分智能手機(jī)等市場(chǎng),不堪侵蝕獲利,已開(kāi)始朝降低搭載量抵制,加上部分新產(chǎn)量陸續(xù)在2019年產(chǎn)出,研判明年下半年,DRAM漲勢(shì)將止步,價(jià)格有下調(diào)壓力。   調(diào)研機(jī)構(gòu)研究報(bào)告顯示,三星、SK海力士及福建晉華、合肥睿力等公司的增產(chǎn)計(jì)劃,都為未來(lái)DRAM市場(chǎng)投下新變數(shù),明年DRAM產(chǎn)值雖仍可成長(zhǎng)11.8%,但成長(zhǎng)已低于今年的67.8%,到2019年,在新產(chǎn)能增加,重陷價(jià)格戰(zhàn)下,年產(chǎn)值將衰選25.9%,且預(yù)估有2年的殺戮戰(zhàn)。
        • 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器  DRAM  

        國(guó)際大廠力量強(qiáng)勢(shì),中國(guó)存儲(chǔ)器明年迎 “大戰(zhàn)”

        • 存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)是一個(gè)長(zhǎng)期的過(guò)程,不可能一蹴而就。在未來(lái)相當(dāng)長(zhǎng)的一段時(shí)間內(nèi),中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)必須是一個(gè)踏踏實(shí)實(shí)的“跟隨者”與“學(xué)習(xí)者”,同樣又是一個(gè)與產(chǎn)業(yè)共同進(jìn)步的“貢獻(xiàn)者”。
        • 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器  

        存儲(chǔ)器產(chǎn)值減少,臺(tái)灣2017年半導(dǎo)體產(chǎn)值首度落后韓國(guó)

        •   在存儲(chǔ)器價(jià)格供不應(yīng)求,價(jià)錢(qián)居高不下的情況下,也進(jìn)一步影響了臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)值在全世界的排名。根據(jù)工研院產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟(jì)與趨勢(shì)研究中心(IEK)的研究指出,全球半導(dǎo)體市場(chǎng)在存儲(chǔ)器成長(zhǎng)達(dá)到六成幅度的帶動(dòng)下,首度超過(guò)4千億美元,較2016年成長(zhǎng)近2成。這使得目前在存儲(chǔ)器市場(chǎng)擁有絕對(duì)優(yōu)勢(shì)的南韓,2017年的半導(dǎo)體產(chǎn)值超越臺(tái)灣,排名居次,僅次于美國(guó)。   工研院IEK7日上午舉辦“眺望2018產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢(shì)研討會(huì)”,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)研究經(jīng)理彭茂榮表示,2017年全球經(jīng)濟(jì)成長(zhǎng)持穏,加上存儲(chǔ)器價(jià)格大漲,帶動(dòng)全
        • 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器  SK海力士  

        莫大康:準(zhǔn)備迎接更艱難的時(shí)刻到來(lái)

        •   中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)的發(fā)展有它的獨(dú)特規(guī)律,通常生產(chǎn)線的產(chǎn)能爬坡速率緩慢,用時(shí)相對(duì)久些,也即需要如“接力棒式”傳遞。但是中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展在任何時(shí)候必須要充滿信心,堅(jiān)持到底,因?yàn)槲覀冇袊?guó)家層面的支持,是全球其它地區(qū)無(wú)法比及的,所以相信中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)一定會(huì)取得最后的成功。   -莫大康2017年11月6日   01大基金推動(dòng)下成績(jī)卓然   近期中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)好事連連,上海中微半導(dǎo)體宣布,它的MOCVD設(shè)備PrismoA7機(jī)型出貨量已突破100臺(tái),邁向重要里程碑,包括三安光電和華燦光電等設(shè)
        • 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器  中芯國(guó)際  

        蘋(píng)果掃貨DRAM漲不停本季已漲10%,下季料將續(xù)漲5%

        •   由于蘋(píng)果包下了三星、SK海力士、美光等三大廠第四季移動(dòng)式DRAM產(chǎn)能,在產(chǎn)能排擠效應(yīng)發(fā)酵下,標(biāo)準(zhǔn)型、服務(wù)器、利基型等DRAM持續(xù)缺貨,第四季合約價(jià)順利再漲6~10%,業(yè)界對(duì)明年第一季淡季續(xù)漲5%已有高度共識(shí),法人點(diǎn)名南亞科、華邦電、威剛將受惠最大。   南亞科受惠于DRAM合約價(jià)順利調(diào)漲,加上20納米制程新產(chǎn)能全面開(kāi)出,昨(6)日公告10月合并營(yíng)收月增9.2%達(dá)50.72億元,創(chuàng)下單月?tīng)I(yíng)收歷史新高,與去年同期相較亦大增32.7%。華邦電及威剛尚未公告10月?tīng)I(yíng)收,但法人樂(lè)觀預(yù)估華邦電營(yíng)收將介于43~4
        • 關(guān)鍵字: DRAM  存儲(chǔ)器  

        有機(jī)憶阻器再創(chuàng)紀(jì)錄,但未來(lái)是否有機(jī)會(huì)顛覆存儲(chǔ)器市場(chǎng)?

        •   憶阻器是傳說(shuō)中電阻器、電容器和電感元件以外的電路第四元件,始終處于實(shí)驗(yàn)階段,但這個(gè)傳說(shuō)可能將實(shí)現(xiàn)。來(lái)自新加坡、美國(guó)和印度的國(guó)際團(tuán)隊(duì)研究出一種新型有機(jī)憶阻器,不只速度快且穩(wěn)定性高,保存資料的時(shí)間更打破原有紀(jì)錄。   憶阻器(Memristor)最早在1971年由加州大學(xué)柏克萊分校的蔡少棠教授提出,概念取自于“記憶”(Memory)和“電阻器”(Resistor)兩個(gè)字的組合。他認(rèn)為電阻、電容和電感代表電子學(xué)中電壓、電流、電荷和磁通量4項(xiàng)重要元素之間的關(guān)系
        • 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器  有機(jī)憶阻器  

        有機(jī)憶阻器再創(chuàng)紀(jì)錄,但未來(lái)是否有機(jī)會(huì)顛覆存儲(chǔ)器市場(chǎng)?

        • 雖然距離實(shí)際上市還要一段時(shí)間,但以這項(xiàng)憶阻器的容量和特性,如果產(chǎn)品真的成功,將大大顛覆整個(gè)電子產(chǎn)業(yè),并改變?nèi)藗兊娜粘I睢?/li>
        • 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器  

        詳解2018年全球存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢(shì)

        • 從2016年開(kāi)始,內(nèi)存的價(jià)格持續(xù)的高漲,內(nèi)存儼然已成為大家最關(guān)注的半導(dǎo)體器件之一,內(nèi)存的趨勢(shì)發(fā)展以及供需狀況也是大家特別關(guān)注的話題,明年供不應(yīng)求的情況將更加嚴(yán)重。
        • 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器  SK 海力士  

        揭秘FPGA多重配置硬件電路設(shè)計(jì)方案

        • 揭秘FPGA多重配置硬件電路設(shè)計(jì)方案-當(dāng)FPGA 完成上電自動(dòng)加載初始化的比特流后,可以通過(guò)觸發(fā)FPGA 內(nèi)部的多重啟動(dòng)事件使得FPGA 從外部配置存儲(chǔ)器(SPI FLASH)指定的地址自動(dòng)下載一個(gè)新的比特流來(lái)重新配置。
        • 關(guān)鍵字: MCU  存儲(chǔ)器  FPGA  

        攻克可穿戴醫(yī)療存儲(chǔ)器件封裝難題

        • 攻克可穿戴醫(yī)療存儲(chǔ)器件封裝難題-可穿戴醫(yī)療設(shè)備通常設(shè)計(jì)得盡可能隱蔽。因此,在盡可能小的封裝中達(dá)到所需的存儲(chǔ)密度非常必要。種種創(chuàng)新要求在有限的外形尺寸中存儲(chǔ)更多的數(shù)據(jù)。要滿足這一點(diǎn),許多醫(yī)療設(shè)備設(shè)計(jì)人員轉(zhuǎn)而采用創(chuàng)新型裸片存儲(chǔ)器解決方案。
        • 關(guān)鍵字: 封裝技術(shù)  存儲(chǔ)器  可穿戴醫(yī)療  

        淺談存儲(chǔ)器體系結(jié)構(gòu)的未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)

        • 淺談存儲(chǔ)器體系結(jié)構(gòu)的未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)-對(duì)存儲(chǔ)器帶寬的追求成為系統(tǒng)設(shè)計(jì)最突出的主題。SoC設(shè)計(jì)人員無(wú)論是使用ASIC還是FPGA技術(shù),其思考的核心都是必須規(guī)劃、設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)器。系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員必須清楚的理解存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)流模式,以及芯片設(shè)計(jì)人員建立的端口。即使是存儲(chǔ)器供應(yīng)商也面臨DDR的退出,要理解系統(tǒng)行為,以便找到持續(xù)發(fā)展的新方法。
        • 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器  SOC  DRAM  

        DRAM/NAND都是啥?科普內(nèi)存和硬盤(pán)的區(qū)別

        • DRAM/NAND都是啥?科普內(nèi)存和硬盤(pán)的區(qū)別-現(xiàn)如今隨著手機(jī)的不斷推廣和普及,已掩蓋電腦時(shí)代的輝煌,很多新生代的用戶(hù)都與手機(jī)的存儲(chǔ)就陷入了茫然。
        • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND  存儲(chǔ)器  

        7個(gè)技巧開(kāi)發(fā)高可靠性嵌入式系統(tǒng)

        • 7個(gè)技巧開(kāi)發(fā)高可靠性嵌入式系統(tǒng)-盡管許多嵌入式工程師充滿了希望和夢(mèng)想,但高可靠性的代碼不是一蹴而就的。它是一個(gè)艱苦的過(guò)程,需要開(kāi)發(fā)人員維護(hù)和管理系統(tǒng)的每個(gè)比特和字節(jié)。當(dāng)一個(gè)應(yīng)用程序被確認(rèn)為“成功”的那一刻,通常會(huì)有一種如釋重負(fù)的感覺(jué),但僅僅因?yàn)檐浖谑芸貤l件下的那一刻運(yùn)行正常并不意味著明天或一年后還會(huì)運(yùn)行正常。
        • 關(guān)鍵字: 嵌入式  存儲(chǔ)器  
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        存儲(chǔ)器介紹

        什么是存儲(chǔ)器 存儲(chǔ)器(Memory)是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備,用來(lái)存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的全部信息,包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。 存儲(chǔ)器的構(gòu)成 構(gòu)成存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)介質(zhì),目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲(chǔ)器中最小的存儲(chǔ)單位就是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個(gè)CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]

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