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存儲(chǔ)器
存儲(chǔ)器 文章 最新資訊
存儲(chǔ)器廠調(diào)漲DRAM合約價(jià) 明年Q1價(jià)格仍有望居高不下
- DRAM漲勢(shì)不斷,后遺癥逐步顯現(xiàn),渠道商表示,因存儲(chǔ)器漲幅過(guò)大,下游應(yīng)用端,尤其是筆電和部分智能手機(jī)等市場(chǎng),不堪侵蝕獲利,已開(kāi)始朝降低搭載量抵制,加上部分新產(chǎn)量陸續(xù)在2019年產(chǎn)出,研判明年下半年,DRAM漲勢(shì)將止步,價(jià)格有下調(diào)壓力。 調(diào)研機(jī)構(gòu)研究報(bào)告顯示,三星、SK海力士及福建晉華、合肥睿力等公司的增產(chǎn)計(jì)劃,都為未來(lái)DRAM市場(chǎng)投下新變數(shù),明年DRAM產(chǎn)值雖仍可成長(zhǎng)11.8%,但成長(zhǎng)已低于今年的67.8%,到2019年,在新產(chǎn)能增加,重陷價(jià)格戰(zhàn)下,年產(chǎn)值將衰選25.9%,且預(yù)估有2年的殺戮戰(zhàn)。
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國(guó)際大廠力量強(qiáng)勢(shì),中國(guó)存儲(chǔ)器明年迎 “大戰(zhàn)”
- 存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)是一個(gè)長(zhǎng)期的過(guò)程,不可能一蹴而就。在未來(lái)相當(dāng)長(zhǎng)的一段時(shí)間內(nèi),中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)必須是一個(gè)踏踏實(shí)實(shí)的“跟隨者”與“學(xué)習(xí)者”,同樣又是一個(gè)與產(chǎn)業(yè)共同進(jìn)步的“貢獻(xiàn)者”。
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存儲(chǔ)器產(chǎn)值減少,臺(tái)灣2017年半導(dǎo)體產(chǎn)值首度落后韓國(guó)
- 在存儲(chǔ)器價(jià)格供不應(yīng)求,價(jià)錢(qián)居高不下的情況下,也進(jìn)一步影響了臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)值在全世界的排名。根據(jù)工研院產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟(jì)與趨勢(shì)研究中心(IEK)的研究指出,全球半導(dǎo)體市場(chǎng)在存儲(chǔ)器成長(zhǎng)達(dá)到六成幅度的帶動(dòng)下,首度超過(guò)4千億美元,較2016年成長(zhǎng)近2成。這使得目前在存儲(chǔ)器市場(chǎng)擁有絕對(duì)優(yōu)勢(shì)的南韓,2017年的半導(dǎo)體產(chǎn)值超越臺(tái)灣,排名居次,僅次于美國(guó)。 工研院IEK7日上午舉辦“眺望2018產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢(shì)研討會(huì)”,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)研究經(jīng)理彭茂榮表示,2017年全球經(jīng)濟(jì)成長(zhǎng)持穏,加上存儲(chǔ)器價(jià)格大漲,帶動(dòng)全
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莫大康:準(zhǔn)備迎接更艱難的時(shí)刻到來(lái)
- 中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)的發(fā)展有它的獨(dú)特規(guī)律,通常生產(chǎn)線的產(chǎn)能爬坡速率緩慢,用時(shí)相對(duì)久些,也即需要如“接力棒式”傳遞。但是中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展在任何時(shí)候必須要充滿信心,堅(jiān)持到底,因?yàn)槲覀冇袊?guó)家層面的支持,是全球其它地區(qū)無(wú)法比及的,所以相信中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)一定會(huì)取得最后的成功。 -莫大康2017年11月6日 01大基金推動(dòng)下成績(jī)卓然 近期中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)好事連連,上海中微半導(dǎo)體宣布,它的MOCVD設(shè)備PrismoA7機(jī)型出貨量已突破100臺(tái),邁向重要里程碑,包括三安光電和華燦光電等設(shè)
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蘋(píng)果掃貨DRAM漲不停本季已漲10%,下季料將續(xù)漲5%
- 由于蘋(píng)果包下了三星、SK海力士、美光等三大廠第四季移動(dòng)式DRAM產(chǎn)能,在產(chǎn)能排擠效應(yīng)發(fā)酵下,標(biāo)準(zhǔn)型、服務(wù)器、利基型等DRAM持續(xù)缺貨,第四季合約價(jià)順利再漲6~10%,業(yè)界對(duì)明年第一季淡季續(xù)漲5%已有高度共識(shí),法人點(diǎn)名南亞科、華邦電、威剛將受惠最大。 南亞科受惠于DRAM合約價(jià)順利調(diào)漲,加上20納米制程新產(chǎn)能全面開(kāi)出,昨(6)日公告10月合并營(yíng)收月增9.2%達(dá)50.72億元,創(chuàng)下單月?tīng)I(yíng)收歷史新高,與去年同期相較亦大增32.7%。華邦電及威剛尚未公告10月?tīng)I(yíng)收,但法人樂(lè)觀預(yù)估華邦電營(yíng)收將介于43~4
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有機(jī)憶阻器再創(chuàng)紀(jì)錄,但未來(lái)是否有機(jī)會(huì)顛覆存儲(chǔ)器市場(chǎng)?
- 憶阻器是傳說(shuō)中電阻器、電容器和電感元件以外的電路第四元件,始終處于實(shí)驗(yàn)階段,但這個(gè)傳說(shuō)可能將實(shí)現(xiàn)。來(lái)自新加坡、美國(guó)和印度的國(guó)際團(tuán)隊(duì)研究出一種新型有機(jī)憶阻器,不只速度快且穩(wěn)定性高,保存資料的時(shí)間更打破原有紀(jì)錄。 憶阻器(Memristor)最早在1971年由加州大學(xué)柏克萊分校的蔡少棠教授提出,概念取自于“記憶”(Memory)和“電阻器”(Resistor)兩個(gè)字的組合。他認(rèn)為電阻、電容和電感代表電子學(xué)中電壓、電流、電荷和磁通量4項(xiàng)重要元素之間的關(guān)系
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有機(jī)憶阻器再創(chuàng)紀(jì)錄,但未來(lái)是否有機(jī)會(huì)顛覆存儲(chǔ)器市場(chǎng)?
- 雖然距離實(shí)際上市還要一段時(shí)間,但以這項(xiàng)憶阻器的容量和特性,如果產(chǎn)品真的成功,將大大顛覆整個(gè)電子產(chǎn)業(yè),并改變?nèi)藗兊娜粘I睢?/li>
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淺談存儲(chǔ)器體系結(jié)構(gòu)的未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)
- 淺談存儲(chǔ)器體系結(jié)構(gòu)的未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)-對(duì)存儲(chǔ)器帶寬的追求成為系統(tǒng)設(shè)計(jì)最突出的主題。SoC設(shè)計(jì)人員無(wú)論是使用ASIC還是FPGA技術(shù),其思考的核心都是必須規(guī)劃、設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)器。系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員必須清楚的理解存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)流模式,以及芯片設(shè)計(jì)人員建立的端口。即使是存儲(chǔ)器供應(yīng)商也面臨DDR的退出,要理解系統(tǒng)行為,以便找到持續(xù)發(fā)展的新方法。
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存儲(chǔ)器介紹
什么是存儲(chǔ)器
存儲(chǔ)器(Memory)是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備,用來(lái)存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的全部信息,包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。
存儲(chǔ)器的構(gòu)成
構(gòu)成存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)介質(zhì),目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲(chǔ)器中最小的存儲(chǔ)單位就是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個(gè)CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]
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