半導(dǎo)體文章最新資訊

拓墣產(chǎn)業(yè)研究院：中國半導(dǎo)體基金布局重點將轉(zhuǎn)向IC設(shè)計業(yè)

　　拓墣產(chǎn)業(yè)研究院最新研究顯示，中國大陸集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金(大基金)自2015年出臺后，大基金承諾投資額度已接近人民幣700億元，其中多數(shù)資金投入于半導(dǎo)體制造端晶圓廠的建置，占已投資比重約60%，預(yù)期在完成制造端布局后，大基金下一個階段的投資重點將轉(zhuǎn)向IC設(shè)計產(chǎn)業(yè)。　　拓墣指出，從2015年至今，中國大陸在晶圓廠投資計劃約人民幣4800億，其中大陸出資部分約為人民幣4350億，占整體中國IC基金(包括大基金和地方基金)總額的86.5%?！　≡诨就瓿芍圃於速Y金布局的條件下，中國半導(dǎo)體基金或?qū)⒅攸c支持IC
關(guān)鍵字： IC設(shè)計半導(dǎo)體

美國組建半導(dǎo)體工作組旨在維護其領(lǐng)導(dǎo)地位

　　日前，美國總統(tǒng)科學(xué)和技術(shù)顧問委員會(PCAST)宣布成立一個新的工作組，旨在研究影響美國半導(dǎo)體行業(yè)的問題，尤其當(dāng)它們涉及國家經(jīng)濟和安全利益時。據(jù)悉，該工作組將專注于半導(dǎo)體行業(yè)所面臨的核心挑戰(zhàn)，提出加強行業(yè)和維護美國在全球領(lǐng)導(dǎo)地位的建議。這一舉措凸顯了美國半導(dǎo)體業(yè)正在遭遇挑戰(zhàn)，美國政府開始尋找措施，維護其既有的地位。　　值得注意的是，該舉措有可能地對當(dāng)前中國正在推進的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展計劃造成影響，有必要認真面對。　　有玩笑稱，現(xiàn)在的美國，對外輸出的產(chǎn)品可以用“三片”來統(tǒng)稱，
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2016半導(dǎo)體制造設(shè)備市場規(guī)模為396.9億美元

　　美國SEMI的喬納森·戴維斯(Jonathan Davis，全球副總裁)在2016年12月13日于東京召開的“SEMICON Japan 2016記者會”上，針對2016年及2017年的半導(dǎo)體制造裝置市場發(fā)表了演講。　　喬納森·戴維斯圖片由《日經(jīng)電子》拍攝　　戴維斯表示，預(yù)計2016年全球半導(dǎo)體制造裝置市場規(guī)模為396.9億美元。同比增加8.7%。預(yù)計2017年將同比增加9.3%，達到434億美元。關(guān)于推動市場實現(xiàn)高增長的因素，戴維斯列
關(guān)鍵字： SEMI 半導(dǎo)體

半導(dǎo)體封測格局漸明朗淺析本土四大龍頭公司

　　整合并購加速，三巨頭格局呼之欲出。隨著2016年全球龍頭日月光與2015年排名第3的矽品合并塵埃落定，封測行業(yè)超級巨頭出現(xiàn)，以2015年營收計算占全球28.9%。同期全球營收榜眼安靠也完成了對全球排名第6的日本封測廠商J-Device的100%股權(quán)收購，而本土企業(yè)長電科技完成收購新加坡廠商星科金朋，排名躍居全球第三。至此，封測行業(yè)集中度進一步提升，龍頭優(yōu)勢更加突出，行業(yè)格局日漸明晰，三巨頭格局形成，三家市占率超50%。　　與此同時，受益國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展及全球封裝產(chǎn)業(yè)國內(nèi)轉(zhuǎn)移趨勢，國內(nèi)封裝市場快速
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半導(dǎo)體整并中資身影頻頻現(xiàn)身

在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)整并風(fēng)潮中未被透露的最重要訊息，是幾乎每一樁M&A交易背后都有中國投資者的身影…
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體 NXP

莫大康：美國要奪回全球半導(dǎo)體強國寶座

　　導(dǎo)讀：2016年10月31日，美國奧巴馬總統(tǒng)顧問委員會成立半導(dǎo)體工作組，工作組可能在明年年初給出建議。其中美國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟(SIA)連同幾家行業(yè)研究公司，正在提出對于保持美國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)強大的發(fā)展想法。　　奧巴馬政府在宣布工作組成立時提到了美國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)現(xiàn)正面臨的挑戰(zhàn)：摩爾定律放緩和中國競爭力的增強。然而，在中國可能成為美國芯片企業(yè)真正威脅的同時，半導(dǎo)體技術(shù)當(dāng)前隱約可見的極限才是更大的共同敵人。美國應(yīng)力爭成為3-5nm工藝技術(shù)道路的先鋒。　　上述的消息非同一般，顯示美國己感到威脅，此次又要大力
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未來四年將有62座新晶圓廠投產(chǎn) 中國占了四成

　　中國發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)積極，近期產(chǎn)能大開、擴廠消息頻繁。12月14日， SEMI發(fā)布最新報告，預(yù)測至2020未來四年間，全球?qū)⒂?2座晶圓廠，而中國大陸地區(qū)就將占26座，半導(dǎo)體設(shè)備市場也有望迎來大好發(fā)展期。　　據(jù)國際半導(dǎo)體協(xié)會(SEMI)最新數(shù)據(jù)，預(yù)估2017年到2020年未來四年，全球?qū)⒂?62 座新晶圓廠投產(chǎn)，其中將有四成晶圓廠共26座新晶圓廠座落中國，美國將有10座位居第二，中國臺灣地區(qū)估計也會有9座。SEMI 估計，新晶圓廠中將有32%用于晶圓制造、21%生產(chǎn)內(nèi)存、11%與LED、MEMS、光
關(guān)鍵字：晶圓半導(dǎo)體

全球半導(dǎo)體邁入中年危機對中國來說卻是轉(zhuǎn)機

中國半導(dǎo)體的根基薄弱，但是中國又是一個龐大的半導(dǎo)體消費市場，龐大的貿(mào)易逆差，加上國外供應(yīng)商和政府的時不時限制，終于令國內(nèi)業(yè)界自上而下加快建設(shè)半導(dǎo)體。在國家和多地基金的推動下，外收內(nèi)發(fā)展，中國半導(dǎo)體也終于初具規(guī)模。也給中國半導(dǎo)體的未來種下了一個希望。
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體集成電路

半導(dǎo)體整并風(fēng)潮強勁中資身影頻頻現(xiàn)身

在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)整并風(fēng)潮中未被透露的最重要訊息，是幾乎每一樁M&A交易背后都有中國投資者的身影…
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半導(dǎo)體封測格局漸明朗淺析本土四大龍頭公司

整合并購加速，三巨頭格局呼之欲出，至此封測行業(yè)集中度進一步提升，龍頭優(yōu)勢更加突出，行業(yè)格局日漸明晰，三巨頭格局形成，三家市占率超50%。
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體封測

美國開發(fā)出不依賴半導(dǎo)體的微電子器件

　　美國加州大學(xué)圣地亞哥分校的一個研究團隊開發(fā)出一款基于納米結(jié)構(gòu)的、不依賴半導(dǎo)體傳導(dǎo)的光控微電子器件，在低電壓和低功率激光激發(fā)的條件下可將電導(dǎo)率比現(xiàn)有半導(dǎo)體器件提高近10倍。這一成果發(fā)表在11月4日的《自然·通訊》雜志上。　　傳統(tǒng)的半導(dǎo)體器件受到材料本身的限制，在頻率、功耗等方面存在極限，而利用自由電子替代半導(dǎo)體材料通常需要高電壓、大功率激光或高溫激發(fā)。該團隊在硅片上用金加工出一種類似蘑菇形狀的納米結(jié)構(gòu)(稱為“超材料”結(jié)構(gòu))，在10伏以下的直流電壓和低功率紅外激光
關(guān)鍵字：微電子器件半導(dǎo)體

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)地位減弱美國能重新奪回自己的寶座嗎？

從歷史回憶，全球半導(dǎo)體業(yè)的發(fā)源地在美國，在上個世紀未美國半導(dǎo)體業(yè)再次達到頂峰，然而當(dāng)進入移動時代后，產(chǎn)業(yè)的形態(tài)發(fā)生很大的改變，眾多IDM廠開始擁抱代工，而芯片業(yè)老大的英特爾顯得有些遲緩，它的增長遠不如從前，再加上近年來臺積電，三星等的來勢洶洶，投資巨大，全球半導(dǎo)體三強鼎立己經(jīng)成形，似乎英特爾己經(jīng)不再稱霸。
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展望2017 中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)十大趨勢預(yù)測

不論2016年中國半導(dǎo)體增速如何，中國半導(dǎo)體在全球半導(dǎo)體行業(yè)中的地位都進一步增強。
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英特爾這48年半導(dǎo)體巨頭的輝煌與轉(zhuǎn)型

隨著近幾年智能產(chǎn)品、VR、大數(shù)據(jù)領(lǐng)域全面爆發(fā)，英特爾正在向大數(shù)據(jù)、云服務(wù)、5G通信、人工智能等面向未來的多領(lǐng)域發(fā)力，讓我們期待英特爾在新的“戰(zhàn)略拐點”轉(zhuǎn)型成功。
關(guān)鍵字：英特爾半導(dǎo)體

兩岸半導(dǎo)體競合大打擦邊球戰(zhàn)術(shù) LCD驅(qū)動IC供應(yīng)鏈轉(zhuǎn)移中

或許現(xiàn)階段政府放手松綁，對企業(yè)來說才是好事，畢竟，中小企業(yè)居多的臺廠，面對大陸充滿許多不得不的選擇。
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體 LCD

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半導(dǎo)體介紹

semiconductor 電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負的電阻溫度系數(shù)的物質(zhì)。半導(dǎo)體室溫時電阻率約在10-5～107歐·米之間，溫度升高時電阻率指數(shù)則減小。半導(dǎo)體材料很多，按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體；化合物半導(dǎo)體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物), [ 查看詳細 ]