半導(dǎo)體存儲器文章進(jìn)入半導(dǎo)體存儲器技術(shù)社區(qū)

存儲大廠業(yè)績高于預(yù)期

當(dāng)?shù)貢r(shí)間3月20日，存儲大廠美光科技公布截止2024年2月29日的2024財(cái)年第二季度業(yè)績。受惠于人工智能AI對HBM的強(qiáng)烈需求，美光科技該財(cái)季意外實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)虧為盈，且本季財(cái)測優(yōu)于預(yù)期。數(shù)據(jù)顯示，美光科技2 大 024財(cái)年第二季度收入為58.2億美元，上一季度為47.3億美元，去年同期為36.9億美元，同比增長約57.7%，增速遠(yuǎn)超第一財(cái)季的15.6%，高于51億到55億美元的公司自身指引區(qū)間。另外，2024年第二季度資本支出投資凈額為12.5億美元。圖片來源：美光科技官網(wǎng)截圖美光科技總裁兼首席執(zhí)行
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全球HBM戰(zhàn)局打響！

AI服務(wù)器浪潮席卷全球，帶動AI加速芯片需求。DRAM關(guān)鍵性產(chǎn)品HBM異軍突起，成為了半導(dǎo)體下行周期中逆勢增長的風(fēng)景線。業(yè)界認(rèn)為，HBM是加速未來AI技術(shù)發(fā)展的關(guān)鍵科技之一。近期，HBM市場動靜不斷。先是SK海力士、美光科技存儲兩大廠釋出2024年HBM產(chǎn)能售罄。與此同時(shí)，HBM技術(shù)再突破、大客戶發(fā)生變動、被劃進(jìn)國家戰(zhàn)略技術(shù)之一...一時(shí)間全球目光再度聚焦于HBM。1HBM：三分天下HBM（全稱為High Bandwidth Memory），是高帶寬存儲器，是屬于圖形DDR內(nèi)存的一種。從技術(shù)原理上講，HB
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武漢新芯：成就國內(nèi)半導(dǎo)體存儲器領(lǐng)路人

　　12月12日，工業(yè)和信息化部軟件與集成電路促進(jìn)中心(CSIP)在江蘇南京舉辦以“推動整機(jī)與芯片聯(lián)動，打造集成電路大產(chǎn)業(yè)鏈”為主題的“2013中國集成電路產(chǎn)業(yè)促進(jìn)大會暨第八屆‘中國芯’頒獎典禮”，慧聰電子網(wǎng)記者受邀參與會議。會議期間，受邀采訪到來自武漢新芯董事長兼總裁王繼增先生。　　武漢新芯董事長兼總裁王繼增　　據(jù)了解，武漢新芯集成電路制造有限公司是建國以來湖北省單體投資規(guī)模最大的高科技制造項(xiàng)目，是國家認(rèn)定的首批重點(diǎn)
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山東“芯”胃口：打造山東芯片產(chǎn)業(yè)帶

　　浪潮集團(tuán)并購德國內(nèi)存巨頭奇夢達(dá)的豪言，讓山東省的半導(dǎo)體野心暴露無遺。　　8月12日，浪潮集團(tuán)宣布收購奇夢達(dá)西安研發(fā)中心，總投資3000萬元。盡管最終的收購主體為西安研發(fā)中心，與原來傳言的奇夢達(dá)相比大為縮水，但山東省的芯片布局并沒有絲毫停滯。　　“在全國的集成電路基地中，濟(jì)南集成電路基地是第八個(gè)，起步較晚，但省里決心很大，要在研發(fā)、原材料生產(chǎn)、制造三方面齊頭并進(jìn)。”8月13日，山東省濟(jì)南高新區(qū)副主任徐群接受本報(bào)記者采訪，這樣描述山東省布局芯片業(yè)的決心。　　據(jù)徐群介紹，
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浪潮3000萬元并購奇夢達(dá)中國研發(fā)中心

　　浪潮正式收購德國奇夢達(dá)中國研發(fā)中心。據(jù)悉，此次浪潮集團(tuán)收購奇夢達(dá)中國研發(fā)中心總投資3000萬元人民幣，該研發(fā)機(jī)構(gòu)擁有國際主流的研發(fā)設(shè)備及各種無形資產(chǎn)總價(jià)值過億元。原奇夢達(dá)西安研發(fā)中心將由外商獨(dú)資的研發(fā)機(jī)構(gòu)轉(zhuǎn)變成為中資控股的集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)，新的公司已經(jīng)更名為西安華芯半導(dǎo)體有限公司。　　浪潮表示，西安有著很好的研發(fā)環(huán)境及條件，其會繼續(xù)利用此優(yōu)勢在西安擴(kuò)大發(fā)展這一研發(fā)機(jī)構(gòu)。　　據(jù)介紹，浪潮集團(tuán)將此研發(fā)中心與浪潮高效能服務(wù)器與海量存儲國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室及浪潮集成電路設(shè)計(jì)中心，共同構(gòu)成浪潮集團(tuán)集成電路設(shè)計(jì)
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半導(dǎo)體存儲器介紹

半導(dǎo)體存儲器(semi-conductor memory) 　　是一種以半導(dǎo)體電路作為存儲媒體的存儲器。　　按其制造工藝可分為：雙極晶體管存儲器和MOS晶體管存儲器。　　按其存儲原理可分為：靜態(tài)和動態(tài)兩種。　　其優(yōu)點(diǎn)是：體積小、存儲速度快、存儲密度高、與邏輯電路接口容易。　　主要用作高速緩沖存儲器、主存儲器、只讀存儲器、堆棧存儲器等。　　半導(dǎo)體存儲器的兩個(gè)技術(shù)指標(biāo)是：存儲容量 [ 查看詳細(xì) ]

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