- 近日，應用材料公司推出Centura® Carina™ Etch系統用于世界上最先進晶體管的刻蝕。運用創新的高溫技術，它能提供45納米及更小技術節點上采用高K介電常數/金屬柵極(HK/MG)的邏輯和存儲器件工藝擴展所必需的材料刻蝕輪廓，是目前唯一具有上述能力并可以用于生產的解決方案。應用材料公司的Carina技術具有獨一無二的表現，它能達到毫不妥協的關鍵刻蝕參數要求：平坦垂直，側邊輪廓不含任何硅材料凹陷，同時沒有任何副產品殘留物。 應用材料公司資深副總裁、硅系統業務
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- 8月6日消息， 日前，韓國三星電子公司宣布，之前因為停電而被迫停止運營的芯片生產線，在上周六回復工作，與此同時公司表示，最終造成的實際經濟損失，有可能低于之前的預期數字。
據國外媒體報道，作為世界最大的內存芯片制造商，三星電子在上周五的時候，因為停電問題被迫停止了六條芯片生產線的工作。據公司估算，此次停電造成的損失將達到400億韓元，折合4340萬美元。據市場分析機構iSuppli透露，此次的停電，將繼續加劇如今已經非常嚴重的NAND閃存芯片短缺，該現象爆發于8月上旬，據統計三星NAND生產線占
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- 據DigiTimes網站報道，韓國媒體Digital Daily與美國媒體Forbes報導，三星電子（Samsung Electronics）繼2006年8月將80nm制程的1Gb DDR 2標準型DRAM進入量產階段后，27日又發表了針對手機與移動設備推出的80nm制程DDR存儲器芯片，容量為1Gb，厚度較前代產品薄20％，耗電量減少30％。三星預計將在2007年第二季量產該產品，并預計屆時市場上對1Gb容量的手機存儲器芯片需求量將大幅增加
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- 按照摩爾定律的說法，2006年初半導體制造業就已經進入了65nm時代。不過，令所有人始料不及的是65nm的普及遠遠非預期的那樣迅猛，在很多領域似乎根本不去考慮65nm制程的問題，比如MCU，再如多媒體解碼芯片。于是，我們看到的結果是本該廣泛應用的65nm制程在全面投產18個月之后的應用領域只局限在少數幾個領域，這其中一向走在消費前沿的CPU和存儲是最火爆的領域，而FPGA則是另一個熱衷于追逐65nm的擁躉。
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- 沖電氣(OKI)推出內建運算放大器的紫外線(UV)傳感器IC——ML8511。該產品運用絕緣上覆硅(SOI)-CMOS，為該公司首款模擬電壓輸出、無濾光器的UV傳感器。OKI將從6月份開始陸續針對可攜式等用途產品，提供新款UV傳感器樣品。 OKI的UV傳感器IC由于采用了容易高整合度的SOI-CMOS技術，適合于數字及模擬電路。OKI表示，該公司未來將靈活運用這一特長，加強與連接微處理器的數字輸出電路，進而與感測式亮度控制傳感器(AmbientLightSensor)構成單一芯片的商品陣容；未來
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- 半導體制程微細化趨勢1965年Intel創始人Moore提出“隨著芯片電路復雜度提升，芯片數目必將增加，每一芯片成本將每年減少一半”的規律之后，半導體微細化制程技術日新月異，結構尺寸從微米推向深亞微米，進而邁入納米時代。半導體制程微細化趨勢也改變了產業的成本結構，10年前IC設計產業投入線路設計與掩膜制程的費用，僅占總體成本的13%，半導體生產制造成本約占87%。自2003年進入深亞微米制程后，IC線路設計及掩膜成本便大幅提升到62%。當芯片結構體尺寸小于100納米時，光學光刻技術便面臨技術關鍵：硅晶制程
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- 據日本經濟新聞4月21日報道，東芝最快將在本會計年度開始采用43納米制程生產閃存芯片，以降低生產成本。 東芝為全球第二大閃存芯片制造商，僅次于韓國三星電子。報道指出，由于芯片價格料在2007/08年度挫跌50%，因此該公司急于提高晶片生產效率。 日經新聞稱，使用43納米制程，將可使東芝生產成本降低40%。 報道稱，三星電子計劃今年開始采用50納米制程。
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- 1. PCB制程上發生的問題千奇百怪, 而制程工程師往往擔任起法醫-驗尸責任(不良成因分析與解決對策). 故發起此討論題, 主要目的為以設備區逐一討論分上包含人, 機, 物, 料, 條件上可能會導致產生的問題, 希望大家一起參與提出自己意見及看法. 2. 會使用到前處理設備的制程, 例如:內層前處理線, 電鍍一銅前處理線, D/F, 防焊(阻焊)...等等. 3. 以硬板PCB 防焊(阻焊)前處理線為例(各廠商不同而有差異): 刷磨*2組->水洗->酸洗->水洗->冷風
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- 總部位于瑞士的DEK公司日前宣布推出適用于精密電化學燃料電池組件的高速生產制程，可讓各種主要的燃料電池技術大幅節省每千瓦的耗電成本。該公司利用精密的批量擠壓印刷技術，可以非常高的分辨率為電子厚膜、表面黏著和半導體裝配應用提供高精度、高重復性和高良率的生產特性。 DEK指出，燃料電池技術無疑會在未來的能源應用中扮演更重要的角色。以高精度批量擠壓印刷技術來生產燃料電池材料，將會加速此一新時代的來臨。更重要的是，這些制程和設備都已相當成熟穩健，而且將從我們為提高商業應用
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- 隨著終端產品朝向輕薄短小、低耗電和多功能整合三大趨勢發展，無論對影像、聲音、省電和體積小的質量要求愈來愈高，模擬制程技術主要推動力量在于分別就設計端和制程端來達成芯片的功能整合趨勢－這包含了模擬效能、成本以及Time-to-Market的完美平衡。使得系統在快速可靠的功能（數字與模擬）執行下，同時滿足社會對于系統變得更小、更快、更省電和價格更低的期望。 綜觀模擬IC對質量要求不外乎速度(Speed)、精準(Precision)、功
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- 意法半導體(ST)日前推出了20款3引腳微控制器復位IC STM18xx系列，這些電源監控器芯片是為大批量生產的成本敏感的微控制器應用專門設計，可直接插入取代工業標準的DS18xx系列產品以及類似的組件。 據介紹，該系列產品由8個基本復位電路組成：4個5V組件，每個組件有4.62V和4.37V (額定)閾壓選項；4個3V組件，每個組件有3.06V、2.88V和2.55V(額定)閾壓選項，總計20個產品。復位電路是電源電壓監控制組件，被廣泛用于監視微控制器電源電壓，并在低于容許電壓
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- 聯華電子與歐洲最大的獨立納米電子研究中心IMEC今天宣布，將共同把IMEC旗下的Europractice IC服務擴展至聯電90納米制程技術上，Europractice客戶將能輕易取得包含0.25、0.18、0.13微米與90納米等來自聯電的最先進技術，進行產品原型產出與小量生產?！?nbsp; 聯電表示，IMEC的Europractice IC服務，可提供客戶ASIC服務，并協助其產品快速上市。聯電多年以來一直與Europractice致力將聯電硅梭計劃--多重晶圓測試方案&
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- NVIDIA首批90nm制程繪圖芯片已進入緊鑼密鼓的量產階段，面對ATI率先導入90nm制程的動作，并將在2006年1月底發表新旗艦產品R580，由于NVIDIA之前領先進入130nm制程、但吃到不少苦頭，因而強調繪圖芯片產品設計及結構比制程更為重要。 目前包括NVIDIA及ATI繪圖芯片市場主力產品，皆采用110nm制程生產，在新一世代90奈米制程轉換動作方面，ATI搶先一步在2005年第三季（3Q）宣布推出全線桌上型計算機（DT）繪圖卡專用Radeon&nbs
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- 2005 年 9 月 21 日，北京訊――當前，英特爾公司正致力開發其高性能65 納米（nm）邏輯制程的超低功耗版，以支持面向移動平臺和小型設備的超低功耗芯片的生產。這種超低功耗制程將會是英特爾第二代基于65 納米制造技術的芯片制程。
英特爾65 納米（1 納米是 1 米的十億分之一）高性能制程較英特爾當前行業領先的 90 納米制程在功耗和性能方面雙雙勝出。英特爾此種超低功耗65納米的工藝制程為英特爾芯片設計人員提供了更多選擇，以滿足電控設備用戶對于電路密度、性能及功耗的各種需求。
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TI 業界領先的 AR7 堪稱全球最受好評的 DSL CPE 解決方案
日前，德州儀器 (TI) 宣布其近期在不斷增長的小區網關 (RG) 市場上取得了輝煌業績。截至第三季度末，TI 預計向市場提供的 DSL CPE 及 CO 端口數量將超過 1 億，而且自其旗艦 RG 平臺 AR7 片上調制解調器于 2003 年部署以來，其端口發貨量已達 3 千萬件。諸如 AVM、Actiontec、Arcadyan、Aztech Systems Ltd.、NETGEAR、Ne
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