- Crolles2聯盟日前在京都舉辦的VLSI會議(VLSI Symposium)中發布的文件中，描述了針對新一代低成本、低功耗、高密度消費性電路的超小型制程選項－使用傳統大量CMOS制程技術與45納米設計規則，在量產條件下建構面積小于0.25平方微米的6晶體管結構SRAM單元。 Crolles2是由飛思卡爾半導體、飛利浦、意法半導體共同組成的聯盟。其位于法國Crolles的300毫米試產線曾制造出1.5Mbit陣列。此次合作發布的文件再次展示
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納米 IC 制造制程
- 6月6日消息，3日力晶12B晶圓廠正式啟用，2000年時其第一座12英寸廠正式動土，董事長黃崇仁便許下諾言，未來投資我國臺灣絕對不會因經濟因素而有所改變，并承諾接下來每2年要再興建1座全新12英寸廠，如今在12A及12B廠相繼完工啟用后，力晶為展現其深耕我國臺灣的決心，未來將再投入約新臺幣2,000億元（約合人民幣530.2億元）建造第三座及第四座12英寸廠，屆時有高達95％比重用于投資我國臺灣市場。 據港臺
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力晶 IC 制造制程
- 英飛凌科技公司和南亞科技公司近日聯合宣布，由英飛凌和南亞科技在英飛凌德國德累斯頓研發中心聯合開發的90納米DRAM技術成功通過認證。兩家公司聯合開發的90納米內存產品獲得了主要客戶的認可，并通過了英特爾的驗證。在英飛凌公司德累斯頓300mm晶圓生產線上，90納米DRAM產品已經開始批量生產。作為全球第二個引進90納米技術的DRAM制造商，英飛凌在5月底之前已經成功將其DRAM全球產量的5%從110納米工藝轉換成90納米工藝。英飛凌和南亞科技的合資公司臺灣華亞半導體公司現在已經開始向90納米技術轉型。提前采
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英飛凌 IC 制造制程
- 臺積電再度呼吁政府盡快開放0.18微米制作工藝赴中國投資。臺積電稱，因當地客戶產品已進入0.18微米，但倘若沒有提供服務，臺積電在中國市場將會居于劣勢。 這是臺積電首次明確表示中國客戶已具備在0.18微米的制作工藝。臺積電總經理蔡力行表示，0.18微米制作工藝的松江廠戰略位置絕對重要，因為客戶希望產品能在中國工廠生產，而不是要靠海外的產能支援。而且0.18微米制程已是成熟的技術，實在不需要再受到限制。 蔡力行還表示，臺積
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臺積電 IC 制造制程
- 臺灣集成電路公司 (簡稱臺積電) 董事長張忠謀表示，大陸半導體市場對0.18微米制程需求已經開始，臺積電至今仍無法前往大陸進行相關布局，競爭力已受影響。 張忠謀表示，目前已有許多旗下客戶及潛在客戶反映，臺積電在大陸無法進行生產，只能在其它臺積電的競爭廠商下單生產，因此臺積電的競爭力已受影響。 依臺灣“政府”規范，目前半導體晶圓廠赴國內投資，僅開放擁有12吋晶圓廠業者，且12吋晶圓廠必須達經濟規模，開放的規格以8吋晶圓
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臺積電 IC 制造制程
- 無線通信IC制程技術發展探微 臺灣省工研院經貿中心產業分析師 王英格 圖1 2000-2005年全球半導體應用產品市場占有率變化 圖2 無線通信IC制程技術發展歷程 圖3 預估2004年移動電話收發器市占率 圖4 預估2004年移動電話功率放大器市占率（依制程區分）前言 半導體的應用可分為計算機、通信、消費類電子、工業、汽車、以及軍事等市場，根據半導體產業協會與研究機構IC Insight等單位的統計，自2001年以后，計算機在半導體應用產品市場的占有率開始滑落至50%以下，反觀通信與消費類電子產品的占
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IC 制造制程
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