應用材料公司推出Centura Carina Etch系統克服高K介電常數

近日，應用材料公司推出Centura® Carina™ Etch系統用于世界上最先進晶體管的刻蝕。運用創新的高溫技術，它能提供45納米及更小技術節點上采用高K介電常數/金屬柵極(HK/MG)的邏輯和存儲器件工藝擴展所必需的材料刻蝕輪廓，是目前唯一具有上述能力并可以用于生產的解決方案。應用材料公司的Carina技術具有獨一無二的表現，它能達到毫不妥協的關鍵刻蝕參數要求：平坦垂直，側邊輪廓不含任何硅材料凹陷，同時沒有任何副產品殘留物。

應用材料公司資深副總裁、硅系統業務部總經理Tom St. Dennis表示：“這是第一套專門為應對HK/MG產品的挑戰而設計的刻蝕系統。我們的客戶對Carina系統帶來的新技術都很感興趣，全球多個領先的邏輯和存儲半導體制造廠商已經安裝了這套系統。”

這套系統高性能的關鍵之處在于其擁有知識產權的高溫陰極。高溫工藝可以提供平坦垂直的輪廓，不會產生傳統溫度工藝下帶來困擾的高K介質材料殘留和硅材料凹陷。此外，高溫防止了被刻蝕的材料再次沉積到硅片上，也無需采用復雜的濕/干組合工藝去除殘余物。先進的反應腔材料能提供長期的工藝穩定性和所有可用的先進柵極刻蝕系統中最低的耗材成本。