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        內(nèi)存 文章 最新資訊

        日圓強升 內(nèi)存廠更仰賴臺廠

        •   日圓兌美元匯率強勢升值,創(chuàng)近15年來新高;臺灣存儲器業(yè)者表示,日圓走勢對日系廠商營運勢必產(chǎn)生壓力,未來將更仰賴臺灣合作伙伴。   日本兩大半導體廠在全球市場占有舉止輕重的影響力,其中爾必達 (Elpida)今年第2季在全球動態(tài)隨機存取內(nèi)存 (DRAM)市場占有率為18%,是全球第3大DRAM廠。   東芝(Toshiba)今年第2季在全球儲存型閃存(NAND Flash)市場占有率達33.1%,僅次于韓國三星,居全球第2大廠地。   南亞科技副總經(jīng)理白培霖指出,日圓急遽升值,對日本內(nèi)存廠爾必達及
        • 關鍵字: 內(nèi)存  DRAM  

        九月份內(nèi)存芯片協(xié)議價與零售價將持續(xù)走低

        •   據(jù)臺系內(nèi)存業(yè)者透露,由于PC產(chǎn)品市場需求較為弱勢,因此今年9月份內(nèi)存產(chǎn)品的協(xié)議價將繼續(xù)走低,消息來源并希望年底企業(yè)用戶更換新電腦產(chǎn)生的市場需求能 夠幫助內(nèi)存產(chǎn)品穩(wěn)定價格。值得注意的是,在臺系內(nèi)存廠商發(fā)出這種悲觀的論斷之前,三星公司電子芯片部門的首腦人物曾稱目前PC銷量的持續(xù)走低將導致明年第 一季度內(nèi)存市場出現(xiàn)供過于求的局面。   據(jù)消息來源分析,在內(nèi)存價格下跌的大潮中,PC廠商很有可能會考慮增加自己部分產(chǎn)品的內(nèi)存容量到4GB水平,不過內(nèi)存方面的升級將僅限于部分高端型號。另外,歐洲和美國市場對PC機型
        • 關鍵字: 三星電子  內(nèi)存  芯片  

        惠普宣布與海力士合作開發(fā)新型內(nèi)存

        •   據(jù)國外媒體報道,惠普周二宣布與韓國海力士半導體(Hynix Semiconductor)達成合作協(xié)議,共同研發(fā)下一代內(nèi)存技術電阻式內(nèi)存并將其推向市場。   據(jù)一份聲明顯示,兩家公司將合作開發(fā)新型材料和技術,實現(xiàn)電阻式內(nèi)存(ReRAM)技術的商業(yè)化。海力士將會采用由惠普實驗室研發(fā)出的新型元件憶阻器(memristor)。憶阻器相比現(xiàn)有的固態(tài)存儲技術能耗更低,速度更快,而且能在斷電時存儲數(shù)據(jù)。惠普今年春季稱表示,憶阻器也能夠執(zhí)行邏輯。   ReRAM技術的初衷是成為低功耗Flash的替代品。ReRAM
        • 關鍵字: 海力士  內(nèi)存  ReRAM  

        三星量產(chǎn)全球首款30nm級工藝2Gb DDR3內(nèi)存顆粒

        •   三星電子今天宣布,已經(jīng)開始在全球范圍內(nèi)首家采用30nm級工藝(30-39nm)批量生產(chǎn)2Gb DDR3內(nèi)存顆粒。三星稱,這種新工藝DDR3內(nèi)存顆粒在云計算和虛擬化等服務器應用中電壓1.35V,頻率最高可達1866MHz,而在PC應用中電壓為1.5V,皮哦年率最高2133MHz,號稱比DDR2內(nèi)存快3.5倍,相比于50nm級工藝的DDR3也要快1.55倍。   該顆粒屬于三星的綠色內(nèi)存系列,在服務器應用中能比50nm級工藝產(chǎn)品節(jié)約最多20%的功耗,在多核心PC系統(tǒng)中30nm級工藝4GB DDR3內(nèi)存條
        • 關鍵字: 三星電子  內(nèi)存  30nm  

        基于FPGA的DDR內(nèi)存條的控制研究與設計

        • 1內(nèi)存條的工作原理DDR內(nèi)存條是由多顆粒的DDRSDKAM芯片互連組成,DDRSDRAM是雙數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機...
        • 關鍵字: FPGA  DDR  內(nèi)存  SDKAM  

        Gartner預測DRAM內(nèi)存降價趨勢將持續(xù)到年底

        •   據(jù)國外媒體報道,由于芯片廠商提高產(chǎn)量和PC廠商堅持反對價格進一步上漲的強硬立場,DRAM內(nèi)存價格在今年6月出現(xiàn)了一年以來的首次下降。   內(nèi)存芯片價格下降對于每個購買新PC的用戶來說都很重要,因為昂貴的DRAM內(nèi)存芯片價格是PC價格在幾年來首次出現(xiàn)上漲的原因之一。但是,內(nèi)存芯片價格的下降是這個市場出現(xiàn)轉(zhuǎn)變的一個信號。今年年初出現(xiàn)的內(nèi)存芯片短缺導致芯片廠商提高產(chǎn)量,從而緩解了短缺情況。   現(xiàn)在,Gartner預測內(nèi)存芯片的平均銷售價格在2010年剩余的時間里將溫和下降,并且指出DRAM內(nèi)存廠商能夠
        • 關鍵字: DRAM  內(nèi)存  

        茂德成功試產(chǎn)63nm DDR3顆粒

        •   臺灣媒體報道,茂德今天宣布,他們已在其臺灣科技園中部的12寸晶圓廠使用爾必達 63nm(65nm-XS、Super-shrink)工藝成功試產(chǎn)出了1Gb DDR3內(nèi)存顆粒。首批測試結(jié)果顯示,顆粒規(guī)格符合業(yè)界規(guī)范,并全面兼容PC、數(shù)碼移動電子品應用。茂德今年三月份開始使用爾必達的63nm堆疊制程工藝試產(chǎn)DDR3顆粒,計劃在今年三季度實現(xiàn)量產(chǎn)。到年底時,茂德每月為DDR3芯片生產(chǎn)提供的晶圓產(chǎn)量 將達到3.5萬片。   茂德表示,他們預計將在明年下半年開始使用爾必達的45nm工藝進行生產(chǎn),并計劃在明年年底
        • 關鍵字: 茂德  DDR3  內(nèi)存  

        "壟斷案"塵埃落定:鎂光從寬發(fā)落 爾必達南亞認罰

        •   日本爾必達公司和臺灣南亞內(nèi)存公司最近發(fā)表聲明稱公司愿意接受歐委會有關涉嫌惡意操縱內(nèi)存芯片價格的處罰決定,不過同遭此指控的其它幾家內(nèi)存廠商則尚未就 此事發(fā)表類似的聲明。   本月18日,歐委會宣布完成了內(nèi)存芯片價格壟斷案的審理,據(jù)歐委會表示,此案涉及10家生產(chǎn)個人電腦/服務器產(chǎn)品用內(nèi)存芯片品牌,開出的反壟斷罰金總額高達4.09億美元。除了爾必達和南亞之外,此案還涉及三星,Hynix以及鎂光等。不過由于鎂光在歐盟開始調(diào)查此案時主動采取坦白從寬的態(tài)度,承認自己涉嫌操縱內(nèi)存芯片價格,因此歐委會決定網(wǎng)開一面赦
        • 關鍵字: 鎂光  內(nèi)存  

        Hynix證實遭歐盟罰款 或另有8家企業(yè)受罰

        •   全球第二大內(nèi)存廠商Hynix周二證實,已經(jīng)接到歐盟通知,將因為非法操縱內(nèi)存價格而遭到罰款。   Hynix表示,歐盟計劃于周三宣布具體的罰款金額。此外,Hynix并未透露其他詳情,包括將被罰款的其他芯片廠商等。關于全球多家頂級內(nèi)存廠商合謀操 控產(chǎn)品價格,歐盟已經(jīng)調(diào)查了多年。美國司法部門也對此展開了調(diào)查,并對三星、Hynix和英飛凌進行了罰款。   本周早些時候曾有報道稱,此次將有9家企業(yè)遭到歐盟罰款,除了上述3家,其他6家公司分別是Elpida、NEC電子、日立、東芝、三菱電子和南亞科技。   
        • 關鍵字: Hynix  內(nèi)存  

        爾必達宣布全球最小40nm 2Gb移動內(nèi)存顆粒

        •   據(jù)報道,日本DRAM大廠爾必達今天宣布已經(jīng)研發(fā)出40nm 2Gb移動(Mobile RAM)內(nèi)存顆粒。該顆粒大小不到50平方毫米,號稱目前能夠使用40nm工藝實現(xiàn)量產(chǎn)的最小顆粒。該2Gb移動內(nèi)存顆粒基于40nm CMOS工藝,支持x16-bit、x32-bit位寬,采用60/90-ball FBGA或PoP式FBGA封裝。除JEDEC標準的1.8V電壓外,該顆粒還可支持1.2V的低電壓工作,數(shù)據(jù)傳輸率400Mbps,工作溫度-25到85度。   爾必達稱,新40nm顆粒在使用了爾必達獨家設計工藝以及
        • 關鍵字: 爾必達  40nm  內(nèi)存  

        下世代內(nèi)存大戰(zhàn)起 國際大廠攻勢凌厲 

        •   期相變化內(nèi)存(PCMorPRAM)市場戰(zhàn)況火熱,繼三星電子(SamsungElectronics) 宣布將相變化內(nèi)存用在智能型手機(Smartphone)用的MCP(Multi-ChipPackage)芯片問世后,恒憶(Numonyx)也宣布推出針對PC、消費性電子和通訊市場使用的相變化內(nèi)存新品牌Omneo,采用90奈米制程,容量達128Mb,隨著國際大廠接連發(fā)動攻勢,讓原本冷門的相變化內(nèi)存市場一夕之間熱了起來!   全球相變化內(nèi)存分為3大陣營,包括恒憶/英特爾(Intel)、三星、旺宏/IBM,三
        • 關鍵字: 三星電子  內(nèi)存  

        內(nèi)存價格上漲致臺灣芯片廠商虧損縮窄

        •   據(jù)國外媒體報道,臺灣內(nèi)存制造商南亞科技和華亞科技周二都發(fā)布了財報。由于內(nèi)存價格反彈,兩家公司第一季度凈虧損同比都縮窄,但業(yè)績低于預期,反映出在升級技術削減生產(chǎn)成本上遇到困難。   由于過去2年資本投資的疲軟,導致全球內(nèi)存供應短缺,亞洲D(zhuǎn)RAM芯片制造商從價格反彈中受益。Windows 7的發(fā)布也促使消費者和企業(yè)更新?lián)Q代,購買了要求更大內(nèi)存的新電腦。南亞科技副總裁白佩林表示,4月公司將在3月的基礎上再調(diào)高價格,隨著設備使用率提高,第二季度出貨量將比第一季度增加10%。   南亞科技第一季度凈虧損從1
        • 關鍵字: 南亞科  內(nèi)存  

        WinCE文件目錄定制及內(nèi)存調(diào)整

        • WinCE文件目錄定制及內(nèi)存調(diào)整,  本文介紹了WinCE文件目錄定制及內(nèi)存調(diào)整的操作方法。WinCE的文件目錄結(jié)構(gòu)以及文件的位置都是在DAT文件中定義的。所有的dat文件會在WinCE編譯時合并成initobj.dat文件,WinCE會根據(jù)DAT中的描述生成相應目錄。  
        • 關鍵字: 內(nèi)存  調(diào)整  定制  目錄  文件  WinCE  

        TSIA :09Q4and2009年臺灣IC產(chǎn)業(yè)營運成果出爐

        •   根據(jù)WSTS統(tǒng)計,09Q4全球半導體市場銷售值達673億美元,較上季(09Q3)成長7.0%,較去年同期(08Q4)成長28.9%;銷售量達 1,549億顆,較上季(09Q3)成長3.2%,較去年同期(08Q4)成長31.8%;ASP為0.434美元,較上季(09Q3)成長3.7%,較去年同期(08Q4)衰退2.3%。2009年全球半導體市場全年總銷售值達2,263億美元,較2008年衰退9.0%;總銷售量達5,293億顆,較 2008年衰退5.6%;2009年ASP為0.428美元,較2008年衰退
        • 關鍵字: 臺積電  晶圓代工  內(nèi)存  

        Numonyx和Macronix第四季度加熱NOR閃存市場

        •   據(jù)iSuppli公司,經(jīng)濟復蘇已帶動長期低迷的NOR閃存市場反彈,類似于整體內(nèi)存市場的情形。   2009年第四季度總體NOR營業(yè)收入為12.3億美元,比第三季度的12.2億美元增長0.7%。   “這標志這個市場連續(xù)第三個季度實現(xiàn)環(huán)比增長。2009年第一季度形勢非常糟糕,營業(yè)額下降到不足10億美元,”iSuppli公司的資深內(nèi)存與存儲分析師Michael Yang表示,“第四季度NOR閃存營業(yè)收入受到來自多個消費產(chǎn)品領域的需求推動,包括液晶電視、手機和電腦。需
        • 關鍵字: Numonyx  NOR  內(nèi)存  
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        內(nèi)存介紹

        【內(nèi)存簡介】   在計算機的組成結(jié)構(gòu)中,有一個很重要的部分,就是存儲器。存儲器是用來存儲程序和數(shù)據(jù)的部件,對于計算機來說,有了存儲器,才有記憶功能,才能保證正常工作。存儲器的種類很多,按其用途可分為主存儲器和輔助存儲器,主存儲器又稱內(nèi)存儲器(簡稱內(nèi)存,港臺稱之為記憶體)。   內(nèi)存是電腦中的主要部件,它是相對于外存而言的。我們平常使用的程序,如Windows操作系統(tǒng)、打字軟件、游戲軟件等, [ 查看詳細 ]
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