3月23日,東芝在北京召開新品發布會,宣布正式進入中國的LED照明市場。
據悉,發布會上,東芝與中國照明電器協會還共同舉辦了“中日LED照明技術交流會”,中日雙方專家就最新的LED照明技術做了交流。東芝希望通過把最新的節能照明技術帶到中國,不斷擴大以LED燈為代表的LED照明系列產品。
近日,東芝終止了普通白熾燈的生產業務。東芝表示,今后也將不斷為中國市場推出節能,高效的照明產品,減少環境負荷,創造豐富的價值。
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東芝 LED照明
日本最大的內存芯片廠商東芝將重啟因經濟衰退而擱置的產能擴展計劃,它將從7月開始建設新的閃存生產廠。
東芝表示,新生產廠位于日本中部四日市,是公司第五條生產線,預計在2011年春季完建。東芝沒有透露該生產廠的建設成本。
包括蘋果iPhone在內的智能手機銷售的增長,推動了NAND內存需求的增長。據市場調研公司 iSuppli預計,NAND閃存市場今年的總收入將增長34%達到181億美元。
東芝發言人Hiroki Yamazaki稱,雖然東芝尚未決定四日市芯片生產廠的投資規模,但是建立新
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東芝 內存芯片 NAND
東芝宣布,該公司的制造子公司東芝半導體(無錫)和南通富士通微電子已就設立合資公司事宜簽署了正式協議。東芝目前正在不斷提高SoC(system on a chip)后工序的海外生產比例并推進無廠化,此次設立合資公司也是該方針的一環。
兩公司已于2009年11月就設立封裝組裝工序(后工序)合資公司達成了基本協議。當時計劃2010年1月正式簽署協議,2010年4月設立合資公司。此次按計劃簽署了正式協議。東芝將把東芝半導體(無錫)的制造部門移交給新公司——無錫通芝微電子,東芝半導
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東芝 封裝 富士通
消息人士周三透露,東芝未來三年內將投入8000億日元(約合89.4億)美元,在日本三重縣(Mie Prefecture)修建一座閃存芯片制造廠。
報道稱,東芝的這一計劃將使該公司的NAND閃存芯片制造能力提高大約一倍。東芝原本打算在2008年修建該工廠,但受經濟衰退致產品需求下滑的影響,東芝隨后取消了該建廠計劃。
市場調研公司iSuppli此前發布報告稱,全球NAND閃存市場去年第三季度營收較第二季度的31億美元,增長了25.5%,達39.4億美元。東芝第三季度表現強于市場,其NAND閃存
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東芝 NAND 閃存芯片
據臺灣媒體報道,NAND快閃存儲器大廠東芝3日下午宣布,將關閉位于日本福岡縣宮若市的封測廠(TPACS),今年中旬時該廠就將關閉,技術研發及設備等生產線,將移轉到東芝NAND晶圓廠大本營的日本三重縣四日市工廠內,預計年底前完成移轉作業。東芝也決定未來將把NAND封測擴大委由海外企業代工以降低成本,東芝封測代工廠力成將成為最大受惠者。
受到2008年底的金融海嘯沖擊,日本半導體廠去年虧損赤字大增,包括瑞薩(Renesas)、東芝、NEC、富士通等4大半導體廠,陸續公布最新整并計劃,主要是關閉或削減
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東芝 封測 內存
據日本經濟新聞報導,東芝計劃今年關閉其國內2個NAND閃存工廠之一,而把存儲芯片封裝工作全部集中于另一工廠。
即將關閉的工廠隸屬于Toshiba LSI Package Solution Corp,位于福岡縣宮若市,該廠生產設備以及約400名員工將被轉移到東芝三重縣四日市的工廠。
為降低生產成本,東芝會將日本本部作為其研發及測試中心,并加速將量產工作移往海外。
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東芝 NAND
東芝公司一位發言人最近暗示,東芝公司很可能會退出LCD產品制造領域。在上月29日召開的公司財報會議上,東芝公司高級執行副總裁Fumio Muraoka稱東芝公司正在想方設法扭虧為盈,其具體措施可能包括“退出LCD制造業”等。他并表示市場需求萎縮,產品價格下跌以及日元近期的強勢表現是導致東芝公司近況不佳的主要原因。
東芝集團中負責LCD產品業務的主要是東芝移動顯示公司(Toshiba Mobile Display),這家公司去年4月到12月份的營業損失額高達191億日元(約
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日本東芝公司在NAND閃存制造領域的地位可謂舉足輕重,其有關產品的產銷量僅次于三星公司,目前東芝公司推出的SSD硬盤產品中采用了自己設計的 NAND閃存控制器,這種產品在OEM廠商中口碑甚好。去年第三季度,東芝已經開始量產32nm NAND閃存芯片,不過目前東芝所售出的SSD硬盤產品仍以43nm NAND型產品為主力,這樣OEM廠商乃至終端客戶便無法享受到32nm制程技術帶來低成本實惠。
不過東芝近日宣布,他們將開始測試部分采用32nm NAND閃存芯片試制的SSD硬盤產品,并將于本季度推出
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東芝 32nm NAND 閃存制造
據國外媒體報道,日本國內的半導體巨頭重新開啟了增產投資的大門。東芝公司一直生產手機等設備上使用的閃存,并在該領域排名全球第二,該公司計劃與美國公司共同出資1500億日元,以提高這方面的產能,增產程度約為4成。爾必達公司主要生產PC的內存,該公司計劃在2010財年向主要生產廠投資600億日元,將出貨量提高3成。
自今年夏天以來,全球半導體市場呈現堅挺的走勢,PC銷售等在需求的刺激下得到恢復。全球經濟危機后,日本IT業大公司一改過去的謹慎投資的態度而變為積極投資,以期待與韓國三星公司展開競爭。
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東芝 NAND
自2009年夏季起全球半導體市場需求回溫,日本半導體大廠增資動作亦轉趨積極。日本經濟新聞報導指出,東芝(Toshiba)將與美國業者共同投資1,500億日圓(約16億美元)于NAND Flash事業,提高約4成產能;爾必達(Elpida)亦計劃在2010年度中,投資600億日圓于主力據點,以增加3成出貨量。
報導指出,東芝擬于2010年度初期在三重縣四日市NAND Flash廠導入尖端設備,此亦為2007年來東芝在NAND Flash事業上的大舉投資。據悉,增設新生產線后,整廠生產規模將由26萬
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東芝 NAND
據國外媒體報道,消息人士周一透露,東芝可能將投資2000億日元(約合22億美元)擴大NAND閃存芯片生產。到2010年4月底,東芝的閃存芯片生產規模將擴大40%。
報道稱,東芝當前還計劃在2012年3月之前,為半導體產業投資總計5000億日元。市場調研公司iSuppli上周發布研究數據顯示,今年第三季度全球NAND閃存市場業績強勁,東芝表現最為搶眼,營收環比增長近50%。
iSuppli的報告稱,全球NAND閃存市場第三季度的營收較第二季度的31億美元,增長了25.5%,達39.4億美元。
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東芝 NAND 閃存芯片
據國外媒體報道,市場研究公司iSuppli最新研究數據顯示,第三季度全球NAND閃存市場業績強勁,東芝表現最為搶眼,營收環比增長近50%。
全球NAND閃存市場第三季度的營收較第二季度的31億美元,增長了25.5%,達39.4億美元。東芝第三季度表現強于市場,其NAND閃存營收較第二季度的9.24億美元增長了47.5%,達14億美元。東芝在全球NAND閃存市場上位居第二,僅次于三星電子。
iSuppli資深分析師Michael Yang說:“東芝在第三季度充分利用了有利的NAN
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東芝 NAND 閃存
東芝公司本周一發布了據稱為業內最大容量的64GB嵌入式NAND閃存模組。這種模組內建專用的控制器,并內含16個采用32nm制程技術制作的32Gbit存儲密度的閃存芯片,這種閃存芯片的厚度則僅有30微米。
這款內存模組產品裝備在便攜設備如iPod/智能手機等之上后,手機的存儲容量將實現倍增。比如采用單閃存模組設計的iPhone的容量可由原來的32GB提升到64GB,而采用雙閃存模組設計的iPod touch的最大容量則可達到128GB。
東芝本月將開始對外提供這種64GB嵌入式閃存模組的
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東芝 NAND 嵌入式 閃存模組
東芝公司今天在美國馬里蘭州巴爾的摩市舉行的IEDM半導體技術會議上宣布,其20nm級CMOS工藝技術獲得了重大突破,開啟了使用體硅CMOS工藝制造下一代超大規模集成電路設備的大門,成為業界首個能夠投入實際生產的20nm級CMOS工藝。東芝表示,他們通過對晶體管溝道的摻雜材料進行改善,實現了這次突破。
在傳統工藝中,由于電子活動性降低,通常認為體硅(Bulk)CMOS在20nm級制程下已經很難實現。但東芝在溝道構造中使用了三層材料,解決了這一問題,成功實現了20nm級的體硅CMOS。這三層材料
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東芝 CMOS 20nm
微捷碼日前宣布,東芝公司(Toshiba Corporation)將部署Quartz(tm) DRC和Quartz LVS用于快閃存儲器設計。東芝公司是在32納米設計上驗證了這兩款微捷碼物理驗證產品的精度后才做出的這個決定。據驗證結果顯示:Quartz DRC和Quartz LVS的先進功能可改善東芝快閃存儲器設計的良率和可靠性。
傳統DRC和LVS工具僅采用物理行為分析,這種方式不是引入了過度保守主義,就是不能識別出對產品可靠性有影響的各種效應。在先進工藝節點,電學行為分析也是不可或缺的。微捷
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東芝 32納米 存儲器
東芝介紹
東芝(TOSHIBA),是日本最大的半導體制造商,亦是第二大綜合電機制造商,隸屬于三井集團旗下。
歷史
東芝是由兩家日本公司于1939年合并成的。
兩家公司中第一個成立的是田中制造所,那是日本國內第一家電報設備制造公司;是由田中久重于1875年創立的。在1904年公司更名為芝浦制作所。在20世紀初期,公司以供應日本國內的重型機電制造為主業;在明治維新之后,公司更躍升為世界的工業大廠之一。
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