- 東京—東芝公司旗下半導體&存儲產品公司(Semiconductor & Storage Products Company)今天宣布其門驅動光電耦合器陣容增添新成員，用于驅動中等功率絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)。這款新的4A輸出智能門驅動光電耦合器“TLP5214”采用纖薄的SO16L封裝，并具有保護功能，可防止IGBT產生過流狀況。這一新產品將于5月底開始量產出貨。
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東芝 光電耦合器 TLP5214
- 日本半導體制造商株式會社東芝(Toshiba)旗下東芝半導體&存儲產品公司宣布，將參加在上海舉行的“上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會”(PCIM Asia 2014 )。本次展會于2014年6月17日至19日在上海世博展覽館拉開帷幕，東芝半導體&存儲產品公司此次將展示其最新的、應用在電力領域的技術和產品。
展示產品簡介:
IEGT (Injection Enhanced Gate Transistor)
東芝在IGBT的基礎上成功研發出&
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東芝 功率器件 光耦
- 東京—東芝公司今天宣布，該公司將推出TMPV7502XBG，從而擴大其TMPV750系列圖像識別處理器的陣容。新產品提供小型封裝(11mm × 11mm)，功耗更低(典型值為0.6W[1])，特別適用于小型相機模塊。即日起將開始樣品出貨，計劃于2014年11月投入量產。
新產品可用于駕駛輔助系統，后者通過車輛后視鏡和電子后視鏡捕捉的圖像來識別車輛和行人。此外，新產品還能在不同智能社區(Smart Community)相關的應用中處理智能相機功能，應用包括公路上和十字路口使
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東芝 相機 圖像識別
- 日本半導體制造商株式會社東芝(Toshiba)旗下東芝半導體&存儲產品公司宣布，將參加在上海舉行的“上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會”(PCIM Asia 2014 )。本次展會于2014年6月17日至19日在上海世博展覽館拉開帷幕，東芝半導體&存儲產品公司此次將展示其最新的、應用在電力領域的技術和產品。 展示產品簡介: 1. IEGT (Injection Enhanced Gate Transistor) 東芝在IGBT的基礎上成功研發出“注入增強”(IE：Inject
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東芝 IEGT SiC
- 前言： 在應對著蘋果iPad所帶來的沖擊的同時，傳統電腦廠商正在努力使筆記本電腦變得更加輕薄小巧。如何使傳統筆記本電腦更為小巧便攜呢?方法無外乎兩種，一種是像上網本一樣縮減整機尺寸，這樣可更加利于用戶攜帶，但性能與續航的缺點則不容忽視。另一種方法是減少整機重量和厚度，就像蘋果MacBook Air一樣，在保留標準13英寸屏幕的同時，操控與性能也得以延續，而在價格上卻要高出不少。
擁有25年筆記本制造經驗的東芝最近推出了一款超輕薄筆記本電腦產品-R700，這款產品還有一
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東芝 R700
- 東芝公司(TOKYO：6502)旗下半導體&存儲產品公司(Semiconductor & Storage Products Company)于2014年5月20日宣布其門驅動光電耦合器陣容增添新成員，用于驅動中等功率絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)。這款新的4A輸出智能門驅動光電耦合器“TLP5214”采用纖薄的SO16L封裝，并具有保護功能，可防止IGBT產生過流狀況。這一新產品將于5月底開始量產出貨。
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東芝 TLP5214 SO16L IGBT
- 6月4日中午消息，日本東芝公司昨日宣布，已在臺灣法院控告力晶科技、智旺科技、力積電子與瑄譽科技(C.T.C)，指控四家臺灣公司侵害東芝NAND閃存專利。力晶表示，目前已收到相關文件，閃存相關業務占力晶業務比重低，對公司營運影響不大。
東芝目前要求新臺幣1億元賠償金，并計劃日后提高索賠金額。東芝也要求被告停止銷售和制造被控侵權的產品。東芝在1987年發明NAND閃存，是目前全球主要制造商之一。NAND閃存廣泛用于智能手機。
東芝表示，已在臺灣的知識產權法院提出控訴，控告力晶等四家公司侵害東芝
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東芝 力晶
- 日本半導體制造商株式會社東芝(Toshiba)旗下東芝半導體&存儲產品公司宣布，將參加在上海舉行的“上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會”(PCIM Asia 2014 )。本次展會于2014年6月17日至19日在上海世博展覽館拉開帷幕，東芝半導體&存儲產品公司此次將展示其最新的、應用在電力領域的技術和產品。 東芝電子將展出其IEGT(Injection Enhanced Gate Transistor)專利產品、Stack(壓接裝置)產品、SiC(混合型IEGT)產品、IPD +
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東芝 PCIM IEGT
- 東京—東芝公司(TOKYO：6502)旗下的半導體&存儲產品公司今天宣布，即日起開始提供符合JEDEC UFS[1] 2.0版本標準的32GB和64GB嵌入式NAND閃存模塊的樣品出貨。東芝在業內率先提供此產品[2]。 這兩種模塊還集成了UFS 2.0版本的可選功能——5.8Gbps高速MIPI? M-PHY?[3]HS-G3 I/F，并實現了超高性能，包括650MB/s的讀取速度和180MB/s的寫入速度。
傳輸速度的加快可縮短各
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東芝 嵌入式 閃存
- 東京—東芝公司(TOKYO：6502)半導體&存儲產品公司今天宣布，該公司推出小型SO6封裝的光電耦合器。新產品“TLP3905”和“TLP3906”即日起投入量產。
光電耦合器采用不含MOSFET芯片的光控繼電器結構。用戶可通過將光電耦合器與外部可選MOSFET相結合，從而創建一個隔離繼電器。這樣可獲得更大的電壓和電流，超越現有光控繼電器產品的性能。
新產品“TLP3905”和&ldquo
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東芝 TLP3905 TLP3906 電流控制
- 首款符合高速UHS-II接口標準的產品
東京—東芝公司(TOKYO：6502)于2014年4月17日宣布，該公司將推出全球速度最快[1] 的microSD存儲卡。該存儲卡符合SD存儲卡標準4.20版定義的超高速串行總線接口UHS-II[2]標準。即日起為智能手機和其他移動設備制造商以及芯片供應商提供樣品。
這款新的microSD存儲卡將包含32GB和64GB兩種容量。32GB卡的最大讀取速度可達到每秒260MB[3] ，最大寫入速度可達每秒240MB;64GB卡的最大讀取速
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東芝 microSD UHS-II
- 東芝Portégé這個歷史悠久的商務筆記本系列曾經誕生過無數個經典機型，Portégé A100率先登陸大陸，引發了銷量狂潮，現在依然被老玩家們所津津樂道，而到了2014年，東芝Portégé繼續保持著輕薄外形和堅固設計的品質，Z30主打高端商務，而今天的主角R30則主要賣點則主打全功能，而且以相對親民的價格面向市場。
對于一款商務筆記本來說，更薄的外觀固然可以提高便攜性，但對設計成本和接口散熱方面就要做出妥協，東芝R3
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東芝 R30
- 半導體行業的閃存制造工藝進步除了意味著用戶能夠獲得更好的存儲性能，同時也意味著SSD固態存儲設備價格的下降。過去幾年中SSD的降價幅度還是頗大的，目前最便宜的固態存儲驅動器每GB的價格不到50美分，未來價格還將降得更低。東芝(Toshiba)當前已經開始量產15nm工藝的MLC NAND，東芝表示這種128Gb(16GB)芯片已經達到“全球最小級別的芯片尺寸”。
新型NAND閃存芯片的制造將由日本三重縣(Mie Prefecture)四日市業務部(Yokkaichi
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東芝 15nm
- 集成5種不同的電壓輸出，可減少安裝面積 東芝公司日前宣布推出“TC7735FTG”。主要用于汽車導航系統中中等尺寸LCD模塊的系統電源集成模塊。現樣品已可以支持。 LCD模塊需要最多五個不同電壓的電源來驅動控制器和驅動器。這款集成電路集成了2通道的DC-DC轉換器、2通道的電荷泵，以及一個運算放大器。這一設計允許使用一個芯片來驅動LCD模塊，從而減少安裝面積。該產品支持4.5至16伏的寬運行電壓范圍，因此可直接從汽車電池供電，適合用于汽車導航系統。 這款集成電路集成了一個OTP存儲器1，可為各個
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LCD 電源 東芝
- 行業首款單片集成電路可支持10A輸出電流和50V電壓 東芝公司日前宣布推出用于工業設備的單通道直流有刷電機驅動器集成電路“TB67H303HG”。該產品是行業首款1可以支持10A輸出電流和50V電壓的單片2集成電路。即日起開始批量生產出貨。 工業設備電機驅動器電路需要高輸出電流和電壓。這使得設計包含單驅動器集成電路的電路較為困難，因為高電流會產生熱量。為了減少每個組件生成的熱量，通常會使用多個獨立的半導體。 “TB67H303HG”采用最新的高電壓模擬工藝，使導通電阻降至其先前版本3的80%(0
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東芝 TB67H303HG 電機驅動器
東芝介紹
東芝（TOSHIBA），是日本最大的半導體制造商，亦是第二大綜合電機制造商，隸屬于三井集團旗下。
歷史
東芝是由兩家日本公司于1939年合并成的。
兩家公司中第一個成立的是田中制造所，那是日本國內第一家電報設備制造公司；是由田中久重于1875年創立的。在1904年公司更名為芝浦制作所。在20世紀初期，公司以供應日本國內的重型機電制造為主業；在明治維新之后，公司更躍升為世界的工業大廠之一。
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