- 英飛凌科技股份公司近日推出OptiMOS? 6 200 V MOSFET產品系列，使電機驅動應用取得了飛躍性的進展。這一全新產品組合將為電動摩托車、微型電動汽車和電動叉車等應用提供出色的性能。新 MOSFET產品的導通損耗和開關性能均有所改善，降低了電磁干擾（EMI）和開關損耗，有益于用于服務器、電信、儲能系統（ESS）、音頻、太陽能等用途的各種開關應用。此外，憑借寬安全工作區（SOA）和業界領先的RDS(on)，該產品系列非常適合電池管理系統等靜態開關應用。全新推出的英飛凌OptiMOS? 6 200
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英飛凌 OptiMOS MOSFET
- 英飛凌科技股份公司近日出OptiMOS? 6 200 V MOSFET產品系列，使電機驅動應用取得了飛躍性的進展。這一全新產品組合將為電動摩托車、微型電動汽車和電動叉車等應用提供出色的性能。新MOSFET產品的導通損耗和開關性能均有所改善，降低了電磁干擾（EMI）和開關損耗，有益于用于服務器、電信、儲能系統（ESS）、音頻、太陽能等用途的各種開關應用。此外，憑借寬安全工作區（SOA）和業界領先的RDS(on)，該產品系列非常適合電池管理系統等靜態開關應用。全新推出的英飛凌OptiMOS? 6 200 V產
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英飛凌 OptiMOS 6200V MOSFET
- 英飛凌的車輛制動穩定性系統，無疑是現代車輛安全技術的一大里程碑。該系統不僅具備縮短制動距離的能力，更能在緊急情況下確保車輛始終保持在受控狀態，從而極大地提升了各類車輛在行駛過程中的安全性。然而，當前市場上眾多車輛穩定性控制系統往往因為過于依賴特定客戶的設計，導致性價比不盡如人意。在此背景下，英飛凌致力于打破這一困境，研發出符合高安全性要求的標準器件，以滿足廣大客戶對高性價比解決方案的迫切需求。在汽車行業中，英飛凌的控制器和輪速傳感器早已成為市場上的佼佼者。其豐富的產品組合中，不僅涵蓋了各種針對安全應用的汽
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英飛凌 汽車 車輛制動 微控制器
- 影響IGBT和SiC MOSFET在系統中的動態特性有兩個非常重要的參數：寄生電感和寄生電容。而本文主要介紹功率回路中寄生電感的定義和測試方法，包括直流母線電容的寄生電感，直流母排寄生電感以及模塊本身的寄生電感。功率電路寄生電感在哪里？圖1給出了半橋電路中不同位置寄生電感示意圖，主要包括三類：連接母排及功率回路中的寄生電感，IGBT模塊內部寄生電感，直流母線電容寄生電感，分別如下圖中a、b、c所示。圖1 半橋電路中三類寄生電感位置示意圖1. 連接母排以及功率回路中的寄生電感連接母排以及功率回路中的寄生電感
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英飛凌 雜散電感
- 英飛凌科技股份公司近日推出750V G1分立式CoolSiC? MOSFET，以滿足工業和汽車功率應用對更高能效和功率密度日益增長的需求。該產品系列包含工業級和車規級SiC MOSFET，針對圖騰柱 PFC、T型、LLC/CLLC、雙有源橋（DAB）、HERIC、降壓/升壓和移相全橋（PSFB）拓撲結構進行了優化。這些MOSFET適用于典型的工業應用（包括電動汽車充電、工業驅動器、太陽能和儲能系統、固態斷路器、UPS系統、服務器/數據中心、電信等）和汽車領域（包括車載充電器（OBC）、直流-直流轉換器等）
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英飛凌 CoolSiC
- Source:?Getty Images/metamorworks根據1月16日發布的一篇新聞稿，英飛凌科技日前與Qt集團合作，將Qt的圖形用戶界面（GUI）框架集成到其微控制器（MCU）中。此次合作旨在將Qt的輕量級高性能圖形框架無縫集成到英飛凌支持圖形的Traveo T2G集群微控制器中。Qt集團微控制器產品總監主管Toni Paila表示：“當今的全球半導體市場競爭非常激烈，全球制造商正在不斷尋找辦法，以期盡可能快地將他們的產品推向市場。全球微控制器的開發周期不斷縮短就是最好的證明。但即使
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英飛凌 Qt 圖形用戶界面 微控制器 MCU
- 英飛凌科技股份公司近日推出采用TO-247PLUS-4-HCC封裝的全新CoolSiC??MOSFET?2000?V。這款產品不僅能夠滿足設計人員對更高功率密度的需求，而且即使面對嚴格的高電壓和開關頻率要求，也不會降低系統可靠性。CoolSiC? MOSFET具有更高的直流母線電壓，可在不增加電流的情況下提高功率。作為市面上第一款擊穿電壓達到2000 V的碳化硅分立器件，CoolSiC? MOSFET采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，爬電距離為14 mm，電氣間隙為5
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英飛凌 CoolSiC MOSFET
- 英飛凌科技股份公司近日推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術，開啟功率系統和能量轉換的新篇章。與上一代產品相比，?英飛凌全新的CoolSiC? MOSFET 650 V和1200 V Generation 2技術在確保質量和可靠性的前提下，將MOSFET的主要性能指標（如能量和電荷儲量）提高了20%，不僅提升了整體能效，更進一步推動了低碳化進程。CoolSiC? MOSFET Generation 2 (G2)?技術繼續發揮碳化硅的性能優勢，通過降低能量損耗來提高功率轉換過程
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英飛凌 碳化硅 CoolSiC MOSFET
- 隨著科技的飛速發展，微控制器（MCU）在各個領域的應用越來越廣泛。尤其是在汽車電子領域，MCU的重要性不言而喻。英飛凌作為汽車半導體領域的領軍者，當然更加重視MCU 在汽車領域中的應用。英飛凌科技大中華區高級總監、動力與新能源系統業務單元負責人 仲小龍1 32位MCU不斷擠占市場近年來， 隨著32 位MCU 的普及，8 位/16 位MCU的市場地位受到了一定程度的擠壓。隨著汽車電子系統功能的提升和集成度的不斷提高，EE 架構不斷更新，總體上對MCU性能的需求也在不斷提升。功能相對簡單的系統，如泵、閥和小電
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- 英飛凌科技股份公司近日宣布與Worksport Ltd.合作，共同利用氮化鎵（GaN）降低便攜式發電站的重量和成本。Worksport將在其便攜式發電站轉換器中使用英飛凌的GaN功率半導體GS-065-060-5-B-A提高效能和功率密度。在采用英飛凌GaN晶體管后，該功率轉換器將變得更輕、更小，系統成本也將隨之降低。此外，英飛凌還將幫助Worksport優化電路和布局設計，進一步縮小尺寸并提高功率密度。Worksport首席執行官Steven Rossi表示：“英飛凌高質量標準和穩固的供應鏈為我們提供了
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英飛凌 Worksport 氮化鎵 GaN 便攜式發電站
- 英飛凌科技股份公司在美國國際電力電子應用展覽會（APEC）上推出全新固態隔離器產品系列。該系列可實現更快速、可靠的電路交換，并擁有光學固態繼電器（SSR）所不具備的保護功能。這些隔離器采用無芯變壓器技術，支持高20倍的能量傳輸的同時，還具備了電流和溫度保護功能，實現更高的可靠性和更低的成本。這款，與目前使用的傳統的固態隔離器驅動SCR（硅控整流器）和可控硅的方案相比，新的固態隔離器可驅動英飛凌的OptiMOS?和CoolMOS?，其功耗降低多達70%。英飛凌的固態隔離器可使固態繼電器控制1000 V和10
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英飛凌 固態隔離器
- 【2024年3月8日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出全新車規級PSoC? 4100S Max系列。這一微控制器器件系列具有更佳的閃存密度、通用輸入輸出接口（GPIO）、CAN-FD和硬件安全性，擴展了采用CAPSENSE?技術的英飛凌汽車車身/暖通空調（HVAC）和方向盤應用人機界面（HMI）解決方案組合。??車規級?PSoC? 4100S Max?車規級PSoC? 4100S Max通過第五代CAPSEN
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英飛凌 PSoC CAPSENSE
- 2月28日，英飛凌宣布重組銷售與營銷組織，自3月1日起，英飛凌的銷售團隊將圍繞三個以客戶為中心的業務領域進行組織和重建：“汽車業務”、“工業與基礎設施業務”以及“消費、計算與通訊業務”。分銷商和電子制造服務管理（DEM）銷售組織將繼續負責分銷商和電子制造服務（EMS）領域。英飛凌表示，簡潔的重組方法將幫助客戶更便捷地獲取英飛凌的完整產品組合，并通過提供來自不同事業部的互補產品來滿足客戶的特定需求。此外，此次重組將減少英飛凌客戶的接口數量，有助于縮短英飛凌半導體和解決方案支持的研發項目的上市時間。英飛凌科技
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- 英飛凌科技股份公司的新型CoolSiC?混合分立器件采用 TRENCHSTOP? 5 快速開關 IGBT 和 CoolSiC 肖特基二極管。中國領先的新能源汽車功率電子和電機驅動器制造商深圳威邁斯新能源股份有限公司（VMAX）將這款器件用于其下一代6.6 kW OBC/DCDC車載充電器。英飛凌的元件采用 D2PAK 封裝，將超高速 TRENCHSTOP 5 IGBT與碳化硅（SiC）肖特基勢壘二極管相結合，在硬開關和軟開關拓撲結構中具有完美的性價比。憑借卓越的性能、優化的功率密度和領先的質量，該功率半導
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英飛凌 威邁斯 電動汽車 快速充電
- 3月4日消息，日前，芯聯集成與理想汽車正式簽署戰略合作框架協議。按照雙方協議簽署，芯聯集成將和理想汽車在碳化硅領域展開全面戰略合作，雙方將一起積極推動產品化進程，共同提升雙方的市場競爭力。同時，雙方也在積極討論下一步將在模擬IC等領域展開深度合作。2023年，芯聯集成已經實現碳化硅的量產，產品類型為平面MOSFET產品，其中90%的產品應用于新能源汽車主驅逆變器。公司目前已經實現月產出5000片以上的量產，同時公司最新一代的碳化硅MOSFET產品性能已達世界領先水平。目前，芯聯集成正在建設國內第一條8英寸
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