BelGaN 在比利時的氮化鎵功率半導體工廠去年關閉。據 eeNews Europe 的報道，有報道稱三個財團有興趣收購該設施，主要用于光子應用。報道還指出該工廠之前專注于汽車功率器件。報告稱，關閉預計將使地方當局花費超過110萬歐元，并補充說，歐洲全球化和調整基金將為2024年7月裁員的417名員工提供支持。報道中提到的競標者包括 Silex Microsystems，它是世界上最大的純 MEMS 晶圓廠。如 evertiq 所述，Silex Microsyste
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氮化鎵 功率半導體 晶圓代工
雖然臺積電計劃在 2027 年退出氮化鎵（GaN）晶圓代工業務，但行業巨頭英飛凌正在加大力度。憑借其強大的 IDM 模式，英飛凌根據其新聞稿 ，正在推進其在 300 毫米晶圓上的可擴展氮化鎵生產，首批客戶樣品定于 2025 年第四季度發布。根據 商業時報 的報道，臺積電計劃于 2027 年 7 月 31 日終止其氮化鎵晶圓代工服務，稱中國競爭對手帶來的價格壓力是主要驅動因素。 自由時報 補充說，由于對氮化鎵的低利潤前景持懷疑態度，臺積電已決定逐步淘汰其氮化鎵業務，并
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英飛凌 氮化鎵 晶圓代工
臺積電昨日在一份聲明中表示，將在未來兩年內逐步淘汰其化合物半導體氮化鎵 （GaN） 業務，并援引市場動態。這家全球最大的合同芯片制造商表示，這一決定不會影響其之前宣布的財務目標。“我們正在與客戶密切合作，以確保平穩過渡，并在此期間繼續致力于滿足他們的需求，”它說。“我們的重點仍然是為我們的合作伙伴和市場提供持續的價值。”臺積電的最新舉措出乎意料，因為這家芯片制造商在其年度報告中表示，它已經開發了第二代 650 伏和 100 伏 GaN 芯片，預計將于今年開始生產，同時它正在開發 8 英寸 650 伏增強型
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Renesas Electronics 表示，隨著市場競爭加劇，公司正在加大對其氮化鎵（GaN）功率器件的承諾，并轉向使用 200 毫米晶圓和 650V d 模式器件。Navitas Semiconductor 也通過與大功率芯片和英飛凌技術的合作，轉向使用 200 毫米晶圓，而英飛凌技術正在準備在更大的 300 毫米晶圓上進行生產。Renesas 的舉措是基于與美國 Polar Semiconductor 的最近合作協議，以及在 2027 年開始在日本第二個 200 毫米晶圓廠的生產。該公司宣布已暫停碳
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本文闡釋了在開關模式電源中使用氮化鎵(GaN)開關所涉及的獨特考量因素和面臨的挑戰。文中提出了一種以專用GaN驅動器為形式的解決方案，可提供必要的功能，打造穩固可靠的設計。此外，本文還建議將LTspice?作為合適的工具鏈來使用，以便成功部署GaN開關。
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隨著AI數據中心的快速發展、電動汽車的日益普及，以及全球數字化和再工業化趨勢的持續，預計全球對電力的需求將會快速增長。為應對這一挑戰，英飛凌科技股份公司近日推出EasyPACK? CoolGaN? 650 V晶體管模塊，進一步擴大其持續壯大的氮化鎵（GaN）功率產品組合。該模塊基于Easy Power Module平臺，專為數據中心、可再生能源系統、直流電動汽車充電樁等大功率應用開發。它能滿足日益增長的高性能需求，提供更大的易用性，幫助客戶加快設計進程，縮短產品上市時間。英飛凌EasyPACK?英飛凌科技
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氮化鎵（GaN）單片雙向開關正重新定義功率器件的電流控制范式。 傳統功率器件（如MOSFET或IGBT）僅支持單向主動導通，反向電流需依賴體二極管或外接抗并聯二極管實現第三象限傳導。這種被動式反向導通不僅缺乏門極控制能力，更因二極管壓降導致效率損失。為實現雙向可控傳導，工程師常采用背對背（B2B）拓撲級聯兩個器件，卻因此犧牲了功率密度并增加了系統復雜度。由于有效的州電阻（RDSON）加倍，因此需要這些設備的平行組，以使返回到使用單向開關獲得的值。可以執行此類四季度操作的單片設備可以通過用單個設備替換四個活
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英飛凌 氮化鎵 雙向開關
航嘉深耕電源領域30余年，始終以技術創新與安全標準引領行業發展。此前航嘉推出的充吧產品持續迭代，如充吧高能 W68，以 68W 雙 C 口快充、七合一接口布局（2C2A+3AC）和 AI 智能分流技術，成為桌面充電領域的經典。該產品采用第三代氮化鎵技術，體積縮減 40% 的同時實現 68W 高效輸出，搭配雙 C 口盲插功能與 10 重電路防護，完美適配筆記本、手機、平板等多設備快充需求。如今，面對用戶對更便攜的高功率用電的需求，航嘉推出全新充吧靈動 H67，以 67W GaN 快充與七口聚合設計（3AC+
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航嘉 氮化鎵
●? ?雙方簽署氮化鎵（GaN）技術聯合開發協議，致力于為AI數據中心、可再生能源發電與存儲、汽車等領域打造面向未來的功率電子技術●? ?英諾賽科可借助意法半導體在歐洲的制造產能，意法半導體可借助英諾賽科在中國的制造產能服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體 （STMicroelectronics，簡稱ST）與8英寸高性能低成本硅基氮化鎵（GaN-on-Si）制造全球領軍企業英諾賽科，共同宣布簽署了一項氮化鎵技術開發與制造協議。雙方將充分發揮各自優
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近日，九峰山實驗室發布國內首個100 nm硅基氮化鎵商用工藝設計套（PDK），性能指標達到國內領先、國際一流水平。作為全球第二個、國內首個商用方案，其技術指標可支撐高通量Ku/Ka頻段低軌衛星通信，能夠滿足下一代移動通信、商用衛星通信與航天領域、車聯網及工業物聯網、手機終端等多領域對高頻、高功率、高效率氮化鎵器件的需求，推動我國相關領域器件從“進口替代”邁向“技術輸出”。PDK（Process Design Kit，工藝設計套件）是半導體制造中不可或缺的工具包。它為芯片設計者提供工藝參數、器件模型、設計規
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本期充電頭網繼續為大家帶來航嘉靈動F40 Pro 40W氮化鎵快速充電器的拆解，這款產品基于此前經典G35 Pro款進行設計，除新增可折疊插腳設計外，外觀以及大小等基本沒有變化，不過功率提升至40W，并且還支持20W+20W輸出，可以滿足兩部iPhone 16新機快充需求。下面一起來看看產品內部有何不同。此前充電頭網還拆解過航嘉20W安全快充充電器、航嘉迷你30W安全快充、航嘉100W氮化鎵雙認證安全快充、航嘉65W 1A1C氮化鎵快充充電器等產品，歡迎查閱。航嘉靈動F40 Pro安全快充開箱包裝盒正面印
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據英諾賽科官微消息，12月30日，英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司（以下簡稱“英諾賽科”）在香港聯合交易所主板掛牌上市。據了解，英諾賽科是一家專注于第三代半導體氮化鎵研發與制造的高新技術企業，擁有全球最大的氮化鎵功率半導體生產基地，產品覆蓋氮化鎵晶圓、氮化鎵分立器件、合封芯片、模組等，可廣泛應用于消費與家電、數據中心、汽車電子、新能源與工業等領域。據悉，英諾賽科此番戰略配售，吸引了包括意法半導體（STMicroelectronics）、江蘇國企混改基金、東方創聯以及蘇州高端裝備在內的4名基石投資者，合共認
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12 月 12 日消息，日本半導體制造商羅姆 ROHM 當地時間本月 10 日宣布同臺積電就車載氮化鎵 GaN 功率器件的開發和量產事宜建立戰略合作伙伴關系。羅姆此前已于 2023 年采用臺積電的 650V?氮化鎵 HEMT（注：高電子遷移率晶體管）工藝推出了 EcoGaN 系列新產品。羅姆、臺積電雙方將致力于把羅姆的氮化鎵器件開發技術與臺積電業界先進的 GaN-on-Silicon（硅基氮化鎵）工藝技術優勢結合起來，滿足市場對高耐壓和高頻特性優異的功率器件日益增長的需求。臺積電在新聞稿中提到，
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12月4日，據GlobalFoundries（格芯）官網消息，其又從美國政府獲得了950萬美元（折合人民幣約6900萬元）的聯邦資助，用于推進其位于美國佛蒙特州埃塞克斯交界的工廠的硅基氮化鎵（GaN）半導體的生產。據介紹，這筆資金由美國國防部可信接入項目辦公室（TAPO）提供，是美國聯邦政府為支持格芯在佛蒙特州的氮化鎵項目而投入的最新資金。獲得這筆資金后，格芯將繼續為其氮化鎵IP產品組合和可靠性測試增加新的工具、設備和原型開發能力，其將更接近在佛蒙特州全面制造8英寸氮化鎵芯片。據悉，自2020年以來，包括
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