通過初級端調節提高HB LED照明效率
作者：Peter Hsieh，Leon Lee，Kevin Hsueh 飛兆半導體公司
時間：2009-11-10
來源：電子產品世界
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當PSR控制器導通MOSFET時，變壓器電流iP將線性地從零增加到ipk，如算式(1)。 在導通期間，能量存儲在變壓器中。當MOSFET關斷時(toff)，存儲在變壓器中的能量通過輸出整流器傳送到功率轉換器的輸出端。在此期間，輸出電壓VO和二極管的正向電壓VF被反射到輔助線圈NAUX，輔助線圈NAUX上的電壓可由算式(2)表示。這時可運用一種專有的采樣技術來對反射電壓進行采樣，由于輸出整流器的正向電壓變得恒定，故可獲得相關輸出電壓信息。然后，采樣得到的電壓與精確的參考電壓進行比較，形成一個電壓回路，從而確定MOSFET的導通時間，并精確調節恒定輸出電壓。
在這算式中，LP為變壓器初級線圈的電感;VIN為變壓器的輸入電壓;ton是MOSFET的導通時間;NAUX/NS為輔助線圈與次級輸出線圈的匝數比;VO是輸出電壓;VF是輸出整流器的正向電壓。
這種采樣方案也使得變壓器的放電時間(tdis)加倍，如圖2所示，輸出電流IO與變壓器的次級端電流有關。IO還可通過ipk、tdis求得，如算式(3)所示。PSR控制器利用這個結果來確定MOSFET的導通時間，并調節恒定輸出電流。Sense電阻RSENSE用來調節輸出電流的數值。
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