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通過Analog與PWM調(diào)整輸出功率1KW智能工業(yè)電源
- 本方案使用NCP1681 Totem pole PFC架構(gòu) + NCP13994 LLC架構(gòu) + NCP4306同步整流電源應(yīng)用,次級采用NCL38046可以支持Analog 與PWM調(diào)整輸出功率 ,輔助電源采用NCP1343-CCM/QR控制。NCP1681是一種創(chuàng)新的多模式操作控制IC，此IC載重載時操作在連續(xù)導(dǎo)通模式 (CCM)，在輕載或中載時則應(yīng)用在邊界模式(CrM) 的功率因數(shù)校正控制器 IC，并且適合設(shè)計用于驅(qū)動無橋圖騰柱拓撲(Totem pole PFC)。 這種無橋圖騰柱 PFC
- 關(guān)鍵字： Analog PWM 智能工業(yè)電源 安森美 GaNFET
原來為硅MOSFET設(shè)計的DC-DC控制器能否用來驅(qū)動GaNFET？
- 問題沒有專門用于驅(qū)動GaNFET的控制器時，如何使用GaNFET設(shè)計四開關(guān)降壓-升壓DC-DC轉(zhuǎn)換器？回答眾所周知，GaNFET比較難驅(qū)動，如果使用原本用于驅(qū)動硅(Si) MOSFET的驅(qū)動器，可能需要額外增加保護元件。適當選擇正確的驅(qū)動電壓和一些小型保護電路，可以為四開關(guān)降壓-升壓控制器提供安全、一體化、高頻率GaN驅(qū)動。簡介在不斷追求減小電路板尺寸和提高效率的征途中，氮化鎵場效應(yīng)晶體管(GaNFET)功率器件已成為破解目前難題的理想選擇。GaN是一項新興技術(shù)，有望進一步提高功率、開關(guān)速度以及降低開關(guān)損
- 關(guān)鍵字： DC-DC控制器 GaNFET ADI
如何使用GaNFET設(shè)計四開關(guān)降壓-升壓DC-DC轉(zhuǎn)換器？
- 在不斷追求減小電路板尺寸和提高效率的征途中，氮化鎵場效應(yīng)晶體管(GaNFET)功率器件已成為破解目前難題的理想選擇。GaN是一項新興技術(shù)，有望進一步提高功率、開關(guān)速度以及降低開關(guān)損耗。這些優(yōu)勢讓功率密度更高的解決方案成為可能。當前市場上充斥著大量不同的Si MOSFET驅(qū)動器，而新的GaN驅(qū)動器和內(nèi)置GaN驅(qū)動器的控制器還需要幾年才能面世。除了簡單的專用GaNFET驅(qū)動器（如 LT8418)外，市場上還存在針對GaN的復(fù)雜降壓和升壓控制器（如LTC7890, LTC7891)。 目前的
- 關(guān)鍵字： ADI GaNFET DC-DC
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