磁盤式存儲技術還有十年風光：閃存硬盤前景不容樂觀
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而STTRAM技術則基于電子自旋理論，利用改變自旋偏振電流的方法改變磁場方向，以此達到記錄數據的目地。STTRAM技術在省電性能方面比PCRAM相變內存技術更為優越，不過目前這種技術每個存儲單元只能儲存單個bit，如果能夠突破這種限制的話，那么預計未來十年內很有可能成為磁盤式硬盤技術的有力競爭對手。
文中還指出:“令人驚奇的是，我們的研究表明，即便到2020年，磁盤式硬盤仍將是每TB價格最低的一種存儲解決方案。另外，我們還發現業界投資最多的技術項目未必是發展潛力最大的技術，相反，這些技術公司只會在自己最擅長的技術上進行大量投資。”
文章出自希捷前CTO之手，再聯想到希捷在發展閃存式SSD硬盤方面的步伐確實相當緩慢，我想現在大家應該不會為此而感到奇怪了吧。
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