一種新的晶圓級1/f噪聲測量方法
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圖5. 漏極電流1/f噪聲與柵極偏壓的關系
本文引用地址：http://www.104case.com/article/97638.htm
5. 結束語
本文介紹了一種評測MOSFET 1/f噪聲的晶圓級測量方法和配置方案。這種測量技術可以在晶圓上自動進行。由于這種配置方案能夠測出低于100Hz的低頻噪聲分量，因此能夠有效提取到MOSFET的1/f噪聲。
參考文獻
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