一種新的晶圓級1/f噪聲測量方法 作者：黃麗華 時間：2009-08-31 來源：電子產品世界 加入技術交流群 掃碼加入和技術大咖面對面交流海量資料庫查詢 收藏 <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=88&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a635e61e' border='0' alt='' /></a> <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=87&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a576c0a2' border='0' alt='' /></a> 圖3. 不同柵極偏壓下測得的噪聲數據本文引用地址：http://www.104case.com/article/97638.htm 為了分析柵氧電容相關性或進行其他進一步的研究，我們還測量了不同柵氧厚度下的1/f噪聲。圖4給出了不同柵氧厚度下的測試結果。 圖4. 不同柵氧厚度下pMOS器件的1/f噪聲測量數據 然后，我們就可以估算出1/f噪聲參數，建立不同的模擬模型。圖5給出了在一個p溝道MOSFET的強反型區中測得的漏極電流噪聲功率。 上一頁 1 2 3 4 5 下一頁
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