新聞中心

        EEPW首頁 > 測試測量 > 設計應用 > 一種新的晶圓級1/f噪聲測量方法

        一種新的晶圓級1/f噪聲測量方法

        作者:黃麗華 時間:2009-08-31 來源:電子產品世界 收藏

          低KI 428-PROG在測量中具有重要的作用。KI 428-PROG是由內部電池供電的,這樣,除了能用于放大DUT的電流噪聲,它還能夠提供DUT輸出端的偏壓。DUT的輸出端直接與KI 428-PROG的輸入端相連。KI 428-PROG能夠以2.5mV的分辨率提供范圍從-5V~5V的輸出電壓。因此,我們可以將DUT偏置在所需的電壓上,防止其受到交流線路的噪聲干擾。KI 428-PROG的增益可以在103~1011的范圍內進行調整。由于KI 428-PROG配置了GPIB端口,因此ACS軟件可以通過IEEE-488總線對其進行編程。428-PROG結合不同的偏壓能夠使器件工作在不同的區域。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/97638.htm

          KI 4200-SCP2與的輸出端相連。KI 4200-SCP2是一個帶有嵌入式數字信號處理器的雙通道數字存儲示波器。因此在軟件控制下,這種示波器能夠監測、捕捉和分析輸出信號。

          c) 軟件控制

          ACS(自動特征分析套件)軟件平臺支持采用多種測試儀器的晶匣級、晶圓級和器件級半導體特征分析,支持基于半自動和全自動探針臺的參數測試。在安裝在4200-SCS上之后,它通過GPIB接口控制4200-SCS或外部測量儀器。由于KI-428具有GPIB控制端口,因此可以實現的噪聲測量系統。

          我們將所有的測試例程編碼為一個測試模塊。在ACS測試環境中可以復制該模塊。通過設置不同條件下的一系列測試模塊,ACS能夠提供多種不同的測試模塊。采用屬于同一器件的模塊,可以在器件級對它們進行測試。

          4. 驗證與討論

          為了驗證上述測試架構,我們對各種偏壓條件下不同尺寸的nMOS和pMOS器件進行了特征分析和評測,并與模擬結果進行了對比。圖2給出了p型MOSFET漏極電流噪聲的測量結果。左圖給出了在ACS軟件的控制下KI 4200-SCP2在20個均值測量周期上捕捉到的噪聲電流信號。右圖是對這些測得的數據進行快速傅立葉變換而得到的,該圖清晰地表明漏極的電流噪聲譜與頻率之間存在1/f相關性。

          圖2. 對一個pMOS管測得的漏極電流噪聲

          如前所述,我們測量的目標是提取噪聲參數AF和KF。為了提取AF和KF,需要測量不同偏壓條件下的電流噪聲。圖3給出了不同偏壓下一個pMOS管的測量結果。



        評論


        相關推薦

        技術專區

        關閉
        主站蜘蛛池模板: 密山市| 固镇县| 汝州市| 航空| 方正县| 铜川市| 衡山县| 和静县| 耒阳市| 庄浪县| 瓦房店市| 团风县| 恩平市| 清远市| 堆龙德庆县| 潞城市| 密山市| 孟连| 庆阳市| 普兰县| 遵化市| 盐池县| 郧西县| 台安县| 庆阳市| 监利县| 张家口市| 清涧县| 栖霞市| 石嘴山市| 云梦县| 梨树县| 博罗县| 巩留县| 二连浩特市| 伽师县| 宕昌县| 红桥区| 襄垣县| 同江市| 辉南县|