中芯國際攜手常憶推出0.18微米嵌入式閃存工藝技術

　　中芯國際集成電路制造有限公司(“中芯國際”),世界領先的集成電路制造公司之一，與領先的非易失性內存產品和 IP 供應商常憶科技今日共同宣布，已成功推出中芯國際0.18微米嵌入式閃存工藝技術和 IP 組合包。

　　基于常憶科技第三代 2T PMOS flash (pFLASH(TM)) 單元結構專利，中芯國際的0.18微米嵌入式快閃記憶體工藝，是芯片代工領先業者和嵌入式非揮發性記憶體專業廠商緊密合作的成果，現已全面通過認證并即將批量生產。這一工藝技術可為客戶提供高性能，符合成本效益的非揮發性記憶體解決方案，具有高耐性(多達100K 的周期)和數據保存長久(可達10年)的優勢，已通過品質驗證并達成高良率目標。

　　憑借其低功耗，面積小，配置靈活的優點，0.18微米嵌入式快閃記憶體工藝對客戶極具吸引力，可參與廣泛的應用，如微控制器，USB 鑰匙，智能卡，以及快速成長的汽車電子應用。客戶可將0.18微米技術作為一個起點，如已用更大的技術節點生產，也可快速切入該先進技術進行設計 。

　　“由于潛在的市場規模及廣泛的應用，尤其是在中國，0.18微米嵌入式閃存工藝技術的推出具有重要意義。”中芯國際市場及業務中資深副總裁陳秋峰博士表示，“作為全球領先的代工廠商，中芯國際可提供嵌入式閃存和 EEPROM 技術以充分滿足我們客戶的需求。”

　　“這項先進的新技術能使客戶開發出高性能的產品并取得顯著的成本效益”，常憶科技總裁兼首席執行官王筱瑜表示。“我們很高興與中芯國際合作，在如此短的時間內成功建立了第三代 pFLASH 平臺。”