DRAM廠50nm制程的轉進與資本投資

　　DRAM價格持續低于現金成本;2009年資本支出大減56%

　　隨著全球DRAM產業面臨了超過二年的不景氣，加上去年下半年金融風暴襲卷造成消費需求急凍之下，2008年DRAM顆粒價格下跌逾85%，2009第一季DDR2 667Mhz 1Gb價格回到了0.88美元均價，但仍在材料成本與現金成本之間，在DRAM廠本身面臨到極大的現金流出壓力下，不僅要大幅減產因應，對新制程轉進，也在大減資本支出下延后時程。根據集邦科技調查統計，全球2009年的DRAM資本支出已經下修至54億美元，比起2008年時122億美元，大幅減少56%。

　　全球DRAM廠50nm制程的進程規劃皆往后延遲一季至二季

　　以目前各家DRAM廠50nm制程的進程規劃(Roadmap)，50nm制程導入量產的時間皆有往后延遲一季至二季不等的趨勢。集邦科技預估DDR3在年底將占標準型DRAM約30%，在DDR2及DDR3新制程轉進方面，各家DRAM廠在產品種類乃至于容量大小都有不同的策略：如韓系廠，DDR3轉進50nm制程就比DDR2早，而DDR3/2Gb也比1Gb早量產。而在美日DRAM廠方面，根據規劃進程表中DDR3導入50nm制程落在今年第三季與第四季間，較韓系廠商晚，但同樣規劃優先量產DDR3 2Gb。因此DDR3時代來臨，顆粒容量主流亦將轉向2Gb，有助廠商成本降低及刺激市場需求轉進更高容量。臺系廠商在現金壓力下，50nm制程轉進落后于國際大廠。今年主要以“試產”為主。

　　50nm制程顆粒數增加約40%-50%，成本大幅降低

　　半導體界著名的摩爾定律：「芯片晶體管數量，每隔12月就會倍增。」在近十年制程微縮難度大增后，此定律改為24個月。在轉進新制程，線徑縮小，使同一片晶圓顆粒產出數增加同時亦大幅降低廠商生產成本，提升成本競爭力。在DRAM方面，從70nm世代制程轉進60nm世代制程時，平均產出量增加30%左右，若同世代制程設計改善再微縮(Die Shrink)，可再增加約20%的產出量，而在50nm世代制程上更可以比60nm世代制程多出將近40%-50%的產出量，達到單片12吋晶圓上可以產出近1500-1700顆DRAM顆粒，成本上更可以下降30%以上。

　　浸潤式微影設備為50nm 轉進主要資本投資

　　轉進50nm最大挑戰在微影技術，微影設備必須采用新型的浸潤式設備。原本193波長曝光設備在65nm以下因波長限制將不再適用。過去干式曝光顯影是以空氣為媒介進行，透過光罩在晶圓上顯影;而浸潤式微影(immersion lithography)則是以水為透鏡，在晶圓與光源間注入純水，波長光束透過「水」為中介，會縮短成更短波長，得以投射更精密的芯片設計于晶圓上。就是這項發明，制程在65奈米后得以延續至45奈米。

　　目前全球浸潤式機臺的主要供貨商為ASML、Nikon、及Canon。其中又以ASML為市場當中最大的供貨商，目前ASML主推的機臺為XT1900Gi，制程已經可以微縮至40nm以下，在DRAM業界中算是接受程度最高的機種，而Nikon的主力機種方面，則是主推2007年推出的NSR-S610C，制程可微縮至45nm制程，Canon則是在2008年中推出FPA-7000AS7，同樣可以支持45nm以下的制程。

　　以目前DRAM制程來看，若以一般月廠能七萬片，要跨入浸潤式技術，此一生產線升級至浸潤式技術光機臺就需耗費至少二億一千萬美金。加上新制程轉進所需其它資本支出，估計每一萬片產能需要一億美金的總資本支出。