中芯計劃明年投產45和40納米芯片

　　10月6日消息，中國芯片制造商中芯國際公布了該公司的生產工藝計劃。中芯國際計劃明年投產45和40納米工藝的芯片。

　　據國外媒體報道稱，中芯國際還希望2011年投產32納米工藝的芯片，并表示該公司正在與IBM談判有關許可32納米工藝的事宜。中芯國際沒有詳細披露生產工藝計劃。

　　在65納米工藝之前，中芯國際都是自己開發生產工藝，中芯國際去年末從IBM許可了45納米工藝。

　　中芯國際在各代生產工藝方面都稍微落后與主要競爭對手——特許半導體、臺積電和臺聯電。例如，IBM芯片聯盟成員——特許半導體和三星計劃明年底發售32納米芯片。IBM的32納米工藝采用了高K和金屬柵極技術。

　　中芯國際稱對該公司目前的市場形勢感到滿意，并表示該公司在生產工藝方面是個“快速追隨者”。華登國際創投集團創始人、董事長Lip-Bu Tan本周五在“2008年中芯國際技術研討會”上發言時表示，由于成本更高，65納米和45納米工藝的壽命將比以前的工藝更長。

　　中芯國際并沒有停滯不前。中芯國際美國公司總裁薩姆·王在這次會議上表示，“我們在生產工藝方面比競爭對手落后一代，但我們正在追趕上來。”

　　另外，中芯國際還在逐步退出DRAM芯片業務。