賽普拉斯推出2Mbit和8Mbit nvSRAM

　　日前，賽普拉斯半導體公司宣布推出 2 Mbit 和 8 Mbit 非易失性靜態(tài)隨機存取存儲器（nvSRAM），進一步豐富了公司旗下從 16 Kbit 到 8 Mbit 的nvSRAM 產(chǎn)品系列。該新型產(chǎn)品的存取時間短至 20 納秒，支持無限次的讀寫與調(diào)用循環(huán)，而且數(shù)據(jù)能保存 20 年之久。nvSRAM 為需要持續(xù)高速寫入數(shù)據(jù)和絕對非易失性數(shù)據(jù)安全的應用提供了最佳解決方案，因此成為了服務器、RAID 應用、惡劣環(huán)境下的工業(yè)控制、汽車、醫(yī)療以及數(shù)據(jù)通信等領域的理想選擇。

　　CY14B102 2 Mbit nvSRAM 與 CY14B108 8 Mbit nvSRAM 均符合 ROHS 指令，可直接取代SRAM、電池供電的 SRAM、EPROM 及 EEPROM 器件，毋需安裝電池就能確保可靠的非易失性數(shù)據(jù)存儲。斷電時，數(shù)據(jù)可自動從 SRAM 傳輸?shù)?nvSRAM 器件的非易失性存儲單元。通電時，數(shù)據(jù)則能從非易失性存儲器恢復到 SRAM 中。上述兩種操作都能通過軟件控制實現(xiàn)。新型 nvSRAM采用賽普拉斯的 S8™ 0.13 微米硅氧化氮氧化硅 (SONOS) 嵌入式非易失性存儲器工藝制造而成，具有更高的密度、更短的存取時間以及高出色的性能。

　　2 Mbit 和 8 Mbit 的nvSRAM 支持實時時鐘特性，既能實現(xiàn)業(yè)界最低的待機振蕩器電流，又能確保集成存儲器的最高性能，從而在非易失性存儲器的支持下可實現(xiàn)事件時間戳功能。

　　nvSRAM 是業(yè)界最佳的高速非易失性存儲器解決方案，相對于電池供電的 SRAM 而言，其板級空間更少、設計復雜性更低，而且比磁性隨機存儲器 (MRAM) 或鐵電存儲器 (FRAM) 更加經(jīng)濟可靠。2 Mbit 和 8 Mbit 的nvSRAM是賽普拉斯nvSRAM 產(chǎn)品系列中的最新成員，該系列旗下目前已實現(xiàn)量產(chǎn)的其它產(chǎn)品還包括16 Kbit、64 Kbit、256 Kbit、1 Mbit和4 Mbit的器件。

　　作為 SONOS 工藝技術的領先公司，賽普拉斯將在新一代 PSoC® 混合信號陣列、OvationONS™ 激光導航傳感器、可編程時鐘及其它產(chǎn)品中采用 S8 技術。SONOS 與標準 CMOS工藝高度兼容且具有高耐用性、低功耗和抗輻射加固等眾多優(yōu)勢。此外，SONOS 相對于其它嵌入式非易失性存儲器技術而言，也是一款更穩(wěn)健、更易于制造、更低成本的解決方案。

供貨情況
　
　　賽普拉斯的 2 Mbit和 8 Mbit的 nvSRAM 目前已提供樣品，預計將于 2008 年第三季度開始投產(chǎn)。上述產(chǎn)品可采用 48 引腳 FBGA 封裝以及 44 引腳和 54 引腳的 TSOPII 封裝。此類非易失性 SRAM 是根據(jù)賽普拉斯公司此前與西姆泰克公司（Simtek Corporation）簽訂的協(xié)作產(chǎn)品開發(fā)協(xié)議而共同開發(fā)的器件系列中的第二批產(chǎn)品。