賽普拉斯推出2Mbit和8Mbit nvSRAM

　　日前，賽普拉斯半導體公司宣布推出 2 Mbit 和 8 Mbit 非易失性靜態隨機存取存儲器（nvSRAM），進一步豐富了公司旗下從 16 Kbit 到 8 Mbit 的nvSRAM 產品系列。該新型產品的存取時間短至 20 納秒，支持無限次的讀寫與調用循環，而且數據能保存 20 年之久。nvSRAM 為需要持續高速寫入數據和絕對非易失性數據安全的應用提供了最佳解決方案，因此成為了服務器、RAID 應用、惡劣環境下的工業控制、汽車、醫療以及數據通信等領域的理想選擇。

　　CY14B102 2 Mbit nvSRAM 與 CY14B108 8 Mbit nvSRAM 均符合 ROHS 指令，可直接取代SRAM、電池供電的 SRAM、EPROM 及 EEPROM 器件，毋需安裝電池就能確保可靠的非易失性數據存儲。斷電時，數據可自動從 SRAM 傳輸到 nvSRAM 器件的非易失性存儲單元。通電時，數據則能從非易失性存儲器恢復到 SRAM 中。上述兩種操作都能通過軟件控制實現。新型 nvSRAM采用賽普拉斯的 S8™ 0.13 微米硅氧化氮氧化硅 (SONOS) 嵌入式非易失性存儲器工藝制造而成，具有更高的密度、更短的存取時間以及高出色的性能。

　　2 Mbit 和 8 Mbit 的nvSRAM 支持實時時鐘特性，既能實現業界最低的待機振蕩器電流，又能確保集成存儲器的最高性能，從而在非易失性存儲器的支持下可實現事件時間戳功能。

　　nvSRAM 是業界最佳的高速非易失性存儲器解決方案，相對于電池供電的 SRAM 而言，其板級空間更少、設計復雜性更低，而且比磁性隨機存儲器 (MRAM) 或鐵電存儲器 (FRAM) 更加經濟可靠。2 Mbit 和 8 Mbit 的nvSRAM是賽普拉斯nvSRAM 產品系列中的最新成員，該系列旗下目前已實現量產的其它產品還包括16 Kbit、64 Kbit、256 Kbit、1 Mbit和4 Mbit的器件。

　　作為 SONOS 工藝技術的領先公司，賽普拉斯將在新一代 PSoC® 混合信號陣列、OvationONS™ 激光導航傳感器、可編程時鐘及其它產品中采用 S8 技術。SONOS 與標準 CMOS工藝高度兼容且具有高耐用性、低功耗和抗輻射加固等眾多優勢。此外，SONOS 相對于其它嵌入式非易失性存儲器技術而言，也是一款更穩健、更易于制造、更低成本的解決方案。

供貨情況
　
　　賽普拉斯的 2 Mbit和 8 Mbit的 nvSRAM 目前已提供樣品，預計將于 2008 年第三季度開始投產。上述產品可采用 48 引腳 FBGA 封裝以及 44 引腳和 54 引腳的 TSOPII 封裝。此類非易失性 SRAM 是根據賽普拉斯公司此前與西姆泰克公司（Simtek Corporation）簽訂的協作產品開發協議而共同開發的器件系列中的第二批產品。