恩智浦突破性地提升LDMOS基站的功率效率

　　恩智浦推出BLC7G22L（S）-130基站功率晶體管，這是恩智浦應用其業界領先的第七代橫向擴散金屬氧化物半導體（LDMOS）技術的首款產品，專為高功耗和Doherty放大器應用進行了優化。恩智浦的第七代LDMOS技術可以實現目前功效最高的LDMOS解決方案，與上一代產品相比，功率密度提高了20%，功率效率增長了兩個百分點，而Rth熱阻則降低25%以上。恩智浦第七代LDMOS基站前期晶體管的最初原型將于2008年美國喬治亞州亞特蘭大舉辦的IEEE MTT-S國際微波研討會期間進行展示。

　　恩智浦RF功率產品線市場部門經理Mark Murphy表示：“隨著移動電信運營商開始提供基于HSDPA和LTE等技術的超高速服務，無線網絡基礎設施的功率需求也已達到空前的水平。恩智浦如今利用第七代LDMOS技術，推出業界性能最高的LDMOS基站晶體管，其功率增加效率遠高于目前市場上的任何產品。” 

　　第七代LDMOS的性能創下新的紀錄，達到3.8GHz，且輸出電容減少25%，可實現寬頻輸出匹配，從而設計出更加簡單、性能更好的Doherty放大器。Doherty已經成為新型基站發射器的首選放大器架構，幫助無線網絡運營商提高效率并降低成本。

　　ABI Research射頻（RF）元件與系統研究總監Lance Wilson表示：“隨著數據驅動型服務逐漸成為無線基礎設施的更重要的組成部分，一流的RF功率放大器性能就成為必需。恩智浦的第七代LDMOS技術，憑借其在功率密度和熱性能方面取得的重大進步，理當成為公司進入相關應用頂級設備市場時的重要資產。”

　　供貨

　　恩智浦的第七代LDMOS新型基站晶體管將于2008年6月15至20號在MTT-S國際微波研討會的第523號展位進行展示。BLC7G22L（S）-130的工程樣片將于2008年第三季度問世。基于恩智浦第七代LDMOS技術的其他產品將于2009年推出。