0.25微米嵌入式非易揮發性閃存技術

     0.25微米嵌入式非易揮發性閃存技術(簡稱“EF250產品技術”)平臺是在華虹NEC0.25微米CMOS標準工藝技術基礎上，嵌入了領先的非易揮發性閃存技術的特殊工藝制造平臺。
    該平臺能支持2.7V～5.5V寬電壓工作范圍，擴大了IC產品的使用范圍，在不增加產品制造成本的前提下，具有領先的抗靜電干擾能力，HBM（人體模式）達到8kV以上，電子槍模式達到6kV以上。嵌入式閃存技術在集成電路產品進入SoC的年代，為片上軟件提供了大容量可重復編程的程序存儲空間。該平臺擁有豐富的經過流片驗證的各類核心IP資料庫，客戶可以隨意組合而形成各種IC產品的IP整體解決方案。
    SIM（用戶識別模塊）卡產品在EF250產品技術平臺上的成功應用就是一個典范。在SIM卡產品領域，華虹NEC率先采用閃存技術替代原來的EEPROM（電可擦寫可編程只讀 存儲器）技術，不僅解決了數據存儲的次數技術難題，而且將數據的保存性能提高到遠超過EEPROM的技術水平，從而使SIM卡的儲存容量從原來的8K字節增加到現在的256K字節，與此同時促使SIM卡產品的制造成本從原來的50元左右大幅降低到現在的3元～4元水平，不僅突破了國外產品的長期壟斷，而且還占據了國內市場的最大份額。此外，基于EF250開發平臺，TPM(可信賴平臺模塊)類安全芯片產品則在除采用大容量閃存IP外，還集成了華虹NEC開發的各類模擬IP，在國內首次開發成功，打破了該產品的國外壟斷，為國內PC的信息安全提供了技術保障。

·點評

    0.25微米CMOS技術擁有較高的性價比，同時嵌入的閃存技術，又為SoC產品提供了廉價而且容量足夠大的程序存儲空間，滿足目前電子產品越來越短的升級周期和個性化靈活配置需求，因而擁有巨大的市場應用空間。

0.162微米CMOS工藝技術

    該工藝將主要用于制造MP3播放器控制芯片、閃存控制器芯片、數字電視調制解調芯片，目標市場為中國的數字電視一體機、MP3播放器、閃存控制器等數字消費電子產品。
    和艦科技0.162微米CMOS工藝技術是基于0.18微米邏輯平臺，其創新特色主要包括：對現有的0.18微米的量產產品，客戶不需要做任何的設計變更，可以經由和艦的資料處理后，直接出帶，制作光掩模板；節省客戶的研究設計資源，并縮短開發時間，可盡早量產，滿足市場需求；整片晶圓的產出晶粒可增加大約25%，并且良率比0.18微米還高，晶粒單位成本可大幅度降低；可利用現有0.18微米的生產線，并不需額外新購機器設備。
    基于市場強大需求，積極開發0.162微米硅片制造工藝技術將可為設計公司提供可靠的技術支持。目前和艦科技已經完成0.162微米硅片制造工藝的開發，將可以提高國內設計公司芯片的市場競爭力；并且未來還將持續開發0.153微米工藝，提升客戶產品的競爭力。

·點評

    隨著芯片線寬的不斷縮小，對CMOS工藝技術要求也日益提高，因此建立一個技術先進的集成電路制造工藝技術平臺是非常重要的。和艦科技自行研發的0.162微米硅片制造工藝技術可以提供更具有技術和價格競爭力的產品，大大縮短產品量產時間，并具有低成本及高效能的特性。

大功率MOS場效應晶體管模塊工藝

    大功率MOS場效應晶體管模塊工藝是在6英寸生產線的工藝基礎上，依靠華虹8英寸生產線所具備的先進設備，開發出的一套新型電源管理加工工藝平臺。該技術具備線寬高精細、管芯高集成度的特征，功耗降低到現有材料之極限，可靠性可符合汽車電子行業標準。
    6英寸生產線多為0.5微米工藝平臺，無法實現當今一些新型高性能器件的設計要求。華虹NEC在2001年吸收了6英寸0.5微米加工工藝，并移植到該公司8英寸0.35微米工藝，到2005年該技術已經提供了月產5億管芯的巨大加工平臺。而本創新技術是在之前移植工藝的基礎上，開發了適合大功率電源管理模塊加工的0.25微米工藝，提供更有市場競爭力的工藝平臺。
    線寬的縮小意味著同樣面積可得到更多的管芯，本技術充分利用華虹所具備的0.13微米CMOS加工設備，通過對工藝的精確控制使器件等比例縮小達到類似CMOS0.13微米工藝的程度。
    在原材料方面，華虹NEC與全球前三大硅材料供應商都有密切的合作開發項目，可提供低阻、高耐壓且不降低生產性的解決方案；在加工工藝上華虹NEC優化光刻、腐蝕等工藝，使器件溝道電阻降低20%；在加工耗材上，成功引進并優化了硅化鈷工藝、鈦金蒸鍍工藝，大大降低了產品的接觸電阻。
    華虹NEC在2007年以其穩定的工藝管控、良好設備維護團隊、成熟的工藝開發經驗順利通過了TS16949(汽車質量管理體系)認證，成為為數不多的可為汽車電子類產品提供工藝平臺的企業。這也意味著華虹NEC的電源管理模塊工藝的可靠性已為各領域所認可。

·點評

    該技術是基于8英寸生產線先進設備，0.25微米技術的大功率MOS場效應晶體管模塊工藝。主要為新型電源管理單元提供高精細、高可靠性、低成本的設計實現平臺，從而使大功率電源管理模塊具備高性能、低功耗的優點，使產品在國際市場上具備良好的競爭力。該技術極好地符合了全球能源需求的不斷增長以及環境保護意識逐步提升的發展趨勢。