英飛凌拓寬嵌入式閃存制造工藝應用范圍

　　英飛凌科技股份公司近日宣布與IBM簽訂協議，拓寬公司成熟的大容量嵌入式閃存制造工藝的應用范圍 。IBM將獲得英飛凌130納米嵌入式閃存工藝的使用許可，用于在北美地區制造全新的芯片。此外，英飛凌將利用IBM的晶圓代工服務生產基于該工藝的產品。

　　在2006年初，英飛凌的130納米嵌入式閃存工藝就已在英飛凌工廠中得到廣泛應用，用于生產從汽車系統到低功率芯片卡設備等應用所需的高級微控制器芯片。通過本協議，IBM還獲得了相關非易失性存儲器(NVM)知識產權的使用許可。130納米嵌入式閃存工藝的采用將提高IBM的晶圓代工能力，使其滿足在單芯片上集成定制邏輯和高密度閃存的應用需求。

　　英飛凌執行副總裁、管理委員會成員兼汽車、工業及多元化電子市場部主管Peter Bauer表示：“我們非常高興簽訂許可協議和晶圓代工服務協議，繼續與IBM的長期合作和共同技術開發。通過此次合作，英飛凌不僅能充分利用自己的制造知識產權，贏得新的批量制造伙伴，而且加強了與長期合作伙伴之間的關系。”

　　IBM全球工程方案部半導體解決方案副總裁Steve Longoria表示：“通過與全球嵌入式閃存技術領導廠商英飛凌合作，我們拓寬了自己的半導體產品范圍。這項許可協議可充分利用我們現有的技術基礎，而且給我們的模擬與混合信號技術帶來了有益補充。”

　　該工藝的整合與驗證工作已開始在IBM位于佛蒙特州Burlington的200毫米晶圓廠進行，計劃在2008年下半年推出初步設計套件。