RAMTRON的F-RAM存儲器榮獲《電子設計技術》EDN CHINA創(chuàng)新獎

　　非易失性鐵電隨機存取存儲器 (F-RAM) 和集成半導體產(chǎn)品開發(fā)商及供應商Ramtron International Corporation宣布榮獲業(yè)界知名的《電子設計技術》雜志EDN China頒發(fā)2007年度創(chuàng)新獎之優(yōu)秀產(chǎn)品獎。Ramtron的FM22L16產(chǎn)品是半導體行業(yè)首款4兆位 (Mb) 非易失性F-RAM存儲器，獲評委會及數(shù)以千計《電子設計技術》的讀者選為數(shù)據(jù)IC與可編程邏輯類別的優(yōu)秀產(chǎn)品。

　　Ramtron亞太區(qū)域總監(jiān)徐夢嵐稱：“我們非常高興獲得業(yè)界知名的《電子設計技術》雜志頒發(fā)的獎項。對于產(chǎn)品得到中國電子設計團體的認同，我們深感榮幸。這款4兆位F-RAM實現(xiàn)了技術的突破，將引領Ramtron與F-RAM進入新的創(chuàng)新應用中。中國設計工程師對FM22L16所作的投票，足以證明該產(chǎn)品的技術成果已獲得公認?！?/P>

　　入圍產(chǎn)品由《電子設計技術》的專家評審小組選出，該小組由來自中國各大OEM廠商、學術機構、高校及《電子設計技術》編輯部的業(yè)界專家和專業(yè)人士組成。而《電子設計技術》的讀者參與投票選出得獎的產(chǎn)品。