常用電容器

1、鋁電解電容器
    用浸有糊狀電解質的吸水紙夾在兩條鋁箔中間卷繞而成，薄的化氧化膜作介質的電容器.因為氧化膜有單向導電性質,所以電解電容器具有極性.容量大，能耐受大的脈動電流，容量誤差大，泄漏電流大；普通的不適于在高頻和低溫下應用,不宜使用在25kHz以上頻率低頻旁路、信號耦合、電源濾波。
電容量：0.47～10000u。
額定電壓：6.3～450V。
主要特點：體積小，容量大，損耗大，漏電大。
應用：電源濾波，低頻耦合，去耦，旁路等。

2、鉭電解電容器（CA）鈮電解電容（CN）
    用燒結的鉭塊作正極,電解質使用固體二氧化錳溫度特性、頻率特性和可靠性均優于普通電解電容器，特別是漏電流極小，貯存性良好，壽命長，容量誤差小，而且體積小，單位體積下能得到最大的電容電壓乘積對脈動電流的耐受能力差，若損壞易呈短路狀態超小型高可靠機件中。
電容量：0.1～1000u。
額定電壓：6.3～125V。
主要特點：損耗、漏電小于鋁電解電容。
應用：在要求高的電路中代替鋁電解電容。

3、薄膜電容器
    結構與紙質電容器相似，但用聚脂、聚苯乙烯等低損耗塑材作介質頻率特性好，介電損耗小不能做成大的容量，耐熱能力差濾波器、積分、振蕩、定時電路。

a 聚酯（滌綸）電容（CL）
電容量：40p～4u。
額定電壓：63～630V。
主要特點：小體積，大容量，耐熱耐濕，穩定性差。
應用：對穩定性和損耗要求不高的低頻電路。

b 聚苯乙烯電容（CB）
電容量：10p～1u。
額定電壓：100V～30KV。
主要特點：穩定，低損耗，體積較大。
應用：對穩定性和損耗要求較高的電路。

c 聚丙烯電容（CBB）
電容量：1000p～10u。
額定電壓：63～2000V。
主要特點：性能與聚苯相似但體積小，穩定性略差。
應用：代替大部分聚苯或云母電容，用于要求較高的電路。

4、瓷介電容器 
    穿心式或支柱式結構瓷介電容器，它的一個電極就是安裝螺絲。引線電感極小，頻率特性好，介電損耗小，有溫度補償作用不能做成大的容量，受振動會引起容量變化特別適于高頻旁路。

a 高頻瓷介電容（CC）
電容量：1～6800p。
額定電壓：63～500V。
主要特點：高頻損耗小，穩定性好。
應用：高頻電路。

b 低頻瓷介電容（CT）
電容量：10p～4.7u。
額定電壓：50V～100V。
主要特點：體積小，價廉，損耗大，穩定性差。
應用：要求不高的低頻電路。

5、獨石電容器
    (多層陶瓷電容器)在若干片陶瓷薄膜坯上被覆以電極槳材料，疊合后一次繞結成一塊不可分割的整體，外面再用樹脂包封而成小體積、大容量、高可靠和耐高溫的新型電容器，高介電常數的低頻獨石電容器也具有穩定的性能，體積極小，Q值高容量誤差較大噪聲旁路、濾波器、積分、振蕩電路。
容量范圍：0.5PF～1UF。
耐壓：二倍額定電壓。 
電容量大、體積小、可靠性高、電容量穩定，耐高溫耐濕性好等。
應用范圍：廣泛應用于電子精密儀器。各種小型電子設備作諧振、耦合、濾波、旁路。 

6、紙質電容器
    一般是用兩條鋁箔作為電極，中間以厚度為0.008～0.012mm的電容器紙隔開重疊卷繞而成。制造工藝簡單，價格便宜，能得到較大的電容量。　
一般在低頻電路內，通常不能在高于3～4MHz的頻率上運用。油浸電容器的耐壓比普通紙質電容器高，穩定性也好，適用于高壓電路。

7、微調電容器
    電容量可在某一小范圍內調整，并可在調整后固定于某個電容值。 瓷介微調電容器的Q值高，體積也小，通常可分為圓管式及圓片式兩種。 云母和聚苯乙烯介質的通常都采用彈簧式東，結構簡單，但穩定性較差。 線繞瓷介微調電容器是拆銅絲〈外電極〉來變動電容量的，故容量只能變小，不適合在需反復調試的場合使用。

a 空氣介質可變電容器
可變電容量：100～1500p。
主要特點：損耗小，效率高；可根據要求制成直線式、直線波長式、直線頻率式及對數式等。
應用：電子儀器，廣播電視設備等。

b 薄膜介質可變電容器
可變電容量：15～550p。
主要特點：體積小，重量輕；損耗比空氣介質的大。
應用：通訊，廣播接收機等。

c 薄膜介質微調電容器
可變電容量：1～29p。
主要特點：損耗較大，體積小。
應用：收錄機，電子儀器等電路作電路補償。

d 陶瓷介質微調電容器
可變電容量：0.3～22p。
主要特點：損耗較小，體積較小。
應用：精密調諧的高頻振蕩回路。

8、陶瓷電容器
    用高介電常數的電容器陶瓷〈鈦酸鋇一氧化鈦〉擠壓成圓管、圓片或圓盤作為介質，并用燒滲法將銀鍍在陶瓷上作為電極制成。它又分高頻瓷介和低頻瓷介兩種。 具有小的正電容溫度系數的電容器，用于高穩定振蕩回路中，作為回路電容器及墊整電容器。低頻瓷介電容器限于在工作頻率較低的回路中作旁路或隔直流用，或對穩定性和損耗要求不高的場合〈包括高頻在內〉。這種電容器不宜使用在脈沖電路中，因為它們易于被脈沖電壓擊穿。高頻瓷介電容器適用于高頻電路。 

9、玻璃釉電容器（CI）
    由一種濃度適于噴涂的特殊混合物噴涂成薄膜而成，介質再以銀層電極經燒結而成"獨石"結構性能可與云母電容器媲美，能耐受各種氣候環境，一般可在200℃或更高溫度下工作，額定工作電壓可達500V，損耗tgδ0.0005～0.008。 
電容量：10p～0.1u。
額定電壓：63～400V。
主要特點：穩定性較好，損耗小，耐高溫（200度）。
應用：脈沖、耦合、旁路等電路。

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