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        安森美發布超低電容ESD保護器件ESD9L

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        作者: 時間:2007-10-19 來源:EEPW 收藏
              管理和電路保護半導體解決方案供應商半導體(ONSemiconductor)推出新的超低靜電放電(ESD)保護器件系列的首款產品。新的是一款單線ESD保護器件,提供0.5皮法(pF)和低鉗位電壓。這元件采用適合ESD保護應用的最小封裝,非常適用于手機、MP3播放器、個人數字助理(PDA)和數碼相機等便攜應用的高速數據線路保護。
             
              隨著更新的集成電路技術使用的幾何尺寸越來越小和工作電壓越來越低,不斷更新換代的便攜產品對ESD電壓損傷也越趨敏感。與此同時,便攜電子系統也要求更低,以維持其高速數據線路應用的信號完整性。基于硅瞬態電壓抑制(TVS)二極管的傳統片外保護解決方案提供低鉗位電壓和快響應時間,但它們的大電容限制了其在高速應用中的使用。聚合物和陶瓷壓敏電阻等競爭性片外保護技術提供低電容,但它們的高ESD鉗位電壓限制了其保護極敏感IC免受ESD損傷的能力。
             
              為了克服傳統硅TVS二極管的局限,半導體使用突破性的工藝技術,將超低電容PIN二極管和大功率TVS二極管集成在單個裸片上,能夠用作高性能片外ESD保護解決方案。這新的集成型ESD保護技術平臺既保留了傳統硅TVS二極管技術的卓越鉗位和低泄漏性能,又將電容從50pF大幅降低至0.5pF。0.5pF的總電容使適用于USB2.0高速(480Mbps)和高清多媒體接口(HDMI)(1.65Gbps)等高速應用。根據IEC61000-4-2的標準,將輸入的15千伏ESD波形在數以納秒(ns)內迅速鉗位至不到7伏(V)。
             
              半導體的集成型ESD保護平臺使用專有的設計技術,在提高鉗位性能的同時,維持了極小的裸片尺寸,使其能夠適合尺寸僅為1.0mm


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