Ramtron發布可替代SRAM的1兆位鐵電存儲器

Ramtron國際公司宣布推出1兆位的鐵電存儲器產品 ---- FM20L08。此型號的操作電壓為3-volt、32-pin TSOP (thin small outline plastic) 封裝。FM20L08 是 Ramtron 目前生產的容量最大的鐵電存儲器，可以對其進行無限次的讀寫操作。該型號是專門設計用來替換標準異步靜態隨機存儲器的 (Standard asynchronous SRAM)。同時，這個型號還特別適用電壓多樣或者電壓會突然丟失的存儲數據系統，如機頂盒、汽車遠程信息處理以及工業應用等系統。

作為對 Ramtron 現有并口鐵電存儲器型號重要補充，FM20L08 在地址轉換檢測 (ATD) 方面可以與 SRAM 完全兼容，它允許用戶在芯片使能有效的情況下改變地址。FM20L08 的內存訪問方式與 SRAM 類似，極大的簡化了設計工程師使用非易失性 RAM 時所需要做的工作。

Ramtron 鐵電存儲器產品副總裁 Mike Alwais 說：“當設計工程師使用我們的并口鐵電存儲器產品時，新的 ATD 設計方案極大的方便了他們的設計工作。這個產品可以直接用于為 SRAM 設計的方案中，這樣的話，我們就可以很方便的用 FM20L08 替代那種不受歡迎的且需要后備電池的 SRAM 的解決方案。FM20L08 還擁有多樣的目標市場應用領域，而且我們現在已經看到了很多重要的客戶對 FM20L08 的樣片非常的感興趣，終端應用的領域為：汽車遠程信息處理、機頂盒、工業控制以及儀表等。”

Ramtron 設計 FM20L08 的目標就是“易于使用”。除了能夠完全兼容標準SRAM，FM20L08 還包含一個內部的電壓監控器用來阻止低電壓進入，保護已存儲的數據。這個監控器會連續不斷的檢查工作電源電壓，當工作電壓低于一個臨界值時，它就會發出一個低電壓信號表明現在存儲器已處于一個寫保護的狀態。當 /LVL 信號很弱的時候，存儲器就被保護起來，防止無意中的訪問和數據存儲損壞。FM20L08 還有軟件控制的寫保護功能。整個內存被分成八個區域，每個區域都可能通過軟件單獨設置寫保護，而不需要硬件或改變管腳排列。為了給現在的高性能微處理器提供一個方便的接口，FM20L08 包含一個高速的頁面模式，這種模式可以允許在比傳統隨機存取器更高的總線速度的情況下，進行四字節脈沖的讀寫操作。
FRAM 產品優點

所有的數據一旦被寫入鐵電存儲器，就立即變成非易失性，并且不像老技術生產的非易失存儲器一樣出現延時現象。所有的鐵電存儲器都是非易失性的，在失去電源的情況下，數據仍然被保存在芯片中。與其它非易失性存儲器技術相比，鐵電存儲器能提供非易失性的數據保存，免除了人們對存儲器可靠性的擔憂、對功能性的缺點和系統設計復雜性的擔憂，而這些擔憂都是需要后備電池的 SRAM (BBSRAM) 所存在的不足。此外，鐵電還具有非常快的寫入速度以及無限次的擦寫壽命，而這些特點都優于其它類型的非易失性存儲器 (例如：EEPROM 或者 Flash 等)。

鐵電存儲器比 BBSRAM 更先進，單片集成電路的特質所帶來的高可靠性，使得鐵電存儲器不需要在電路板上或者外部安裝電池來備份數據。FM20L08 是一種真正的表面組裝解決方案，不需要為配備附加電池而重復工作步驟，對負電壓和負脈沖信號有著非常高的抵御能力，而對于這些方面，SRAM是無能為力的。

產品特性

FM20L08 的容量為 28K x 8。其讀寫操作與標準 SRAM 相同。訪問進入時間為 60 ns。高速的頁模式操作總線速度最高可達到 33MHz，4 字節脈沖。寫操作無延時，也沒有最大寫操作緩沖大小限制。操作電壓從 3.3V 開始，和標準SRAM 相比，需要消耗的操作電流更少，因而操作耗能更少。FM20L08目前有兩種型號，分別可滿足工業溫度 (-40℃ 到 +85℃) 和商業溫度 (0℃ 到 +70℃) 的需求。商業溫度型 cycle time 為 150 ns；工業溫度型號的 cycle time為 350 ns。

價格及供貨情況

FM20L08 樣片 (32-pin TSOP) 現在可供立即申請，10,000 片以上單片價格為 13.65 美元 。此型號為綠色無鉛封裝。

Ramtron 計劃下半年開始批量生產此型號。到目前為止，Ramtron已經給客戶發出了數百片 FM20L08 樣片用來評估此型號。