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        奇夢達推出四列8GB DDR2全緩沖雙線內存模組

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        作者: 時間:2007-07-05 來源:EEPW 收藏
        奇夢達公司近日宣布推出業界首款四列8GB DDR2全緩沖雙線內存模組(FB-DIMM),該模組技術是推動下一代多核服務器性能的重要技術,同時還可降低服務器的功耗。這些領先的FB-DIMM模組進一步壯大了奇夢達本已非常廣博的產品陣容,可更好地滿足服務器和高性能計算機工作站應用日益增長的要求。

               奇夢達的新款FB-DIMM模組的速率最快可達800 MHz。800 MHz模組將提高今年晚些時候面市的下一代服務器的性能。在800 MHz模組中,每條高速通道的帶寬為4.8 Gbit/s,與533 MHz模組相比增加50%,與667 MHz模組相比增加20%。

               新款模組的推出,還表明了奇夢達致力于提高服務器內存能效的承諾。在服務器中,內存是第二大耗能單元。在奇夢達實驗室進行的初步測試表明,與相同容量常規模組相比,功耗可降低45%。 

            “隨著四列8GB FB-DIMM模組的推出,奇夢達擴大了其面向服務器和高端計算機市場的高密度內存解決方案的陣容,”奇夢達負責計算類事業部的高級副總裁Michael Buckermann說道,“隨著對低功耗服務器應用的需求日益增加,對滿足這一需求的多核處理器所需的更高性能內存的需求也在不斷增長,我們預計8GB FB-DIMM模組的市場需求將非常強勁。”

               奇夢達正在利用向下一代75nm制造工藝轉變這一契機,進一步提高其整個服務器內存模組產品陣容的能效。公司現可提供工作電壓為1.5V的DDR2組件,這一電壓水平比現有標準產品低17%,但其性能卻絲毫不受損失。有了這些顆粒,從其新款FB-DIMM產品開始,奇夢達將可支持基于DDR2的低功耗服務器內存解決方案。

               奇夢達四列結構的FBD是由奇夢達內部設計和制造的高級內存緩沖(AMB)芯片支持。AMB的作用相當于FB-DIMM的數據流量疏導器。四列FB-DIMM模組使得企業用戶能夠在保持或降低功率預算的同時調節總體內存模塊密度。這不僅降低了功耗,而且還縮短了內存通道的延遲時間。更低的工作電壓再加上四列FB-DIMM模組,使得新模組在降低功耗方面具有很大的潛力。

               奇夢達是全球唯一一家有能力生產DRAM和AMB芯片的內存供應商,不僅能夠推動在標準封裝內實現8GB內存容量所需的創新技術,而且可以滿足行業標準所要求的散熱性能和電氣性能。

               奇夢達現已推出容量為1GB、2GB和4GB、雙列配置的FB-DIMM模組及2GB,4GB和8GB的四列配置。各種密度的FB-DIMM的數據速率都可達到800 Mbps,工作電壓為1.8伏(符合Jedec標準)或1.5伏(行業發展目標)。四列8GB模組的首批樣品已交付主要的合作伙伴進行驗證測試。


        關鍵詞: 存儲器

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