Intel宣布邁向無鉛處理器新時代

英特爾公司宣布，從其45納米高-k金屬柵極處理器全部產品系列開始，英特爾下一代的處理器將實現百分之百的無鉛化。英特爾45納米高-k產品系列包括下一代英特爾®酷睿™2雙核、英特爾®酷睿™2四核以及英特爾®至強®處理器。采用最新45納米高-k技術的處理器將于2007年下半年開始投產。

英特爾公司技術與制造事業部副總裁兼封裝測試技術發展總監Nasser Grayeli指出：“從淘汰鉛的使用、致力于提高我們產品的能效，到降低空氣排放和提高水及其他材料的循環利用，英特爾正積極地朝著環境可持續發展的目標邁進。” 

鉛被廣泛的使用在多種微電子產品的封裝（package）中，包括象連接英特爾芯片到封裝的凸焊點（bump）中都在使用鉛。封裝的作用是將硅芯片包裝起來，使封裝好的硅芯片可以最終連接到主板上。面向移動計算、臺式機和服務器等特定細分市場的處理器會采用不同類型的封裝。封裝設計類型包括針腳矩陣（pin grid array）、球狀矩陣（ball grid array）和板狀矩陣（land grid array）等，而在英特爾下一代45納米高-k技術中，這些封裝都會實現百分之百無鉛化。2008年，英特爾還將實現65納米芯片組產品的百分之百無鉛化。 

英特爾的45納米處理器不僅無鉛，而且還會利用英特爾的高-k硅技術降低晶體管的漏電，使處理器的能效和性能都得到極大提升。英特爾公司的45納米高-k硅技術還包括了第三代應變硅技術以改進驅動電流，同時利用低-k電介質降低互連電容，從而在提高性能的同時降低功率。最終，英特爾45納米高-k處理器系列將能使臺式機、筆記本電腦、移動互聯網設備以及服務器設計變得更輕巧時尚，體積更小，能效更高。

邁向無鉛化之路

因其特別的電子特性和機械特性，鉛在電子產品中已經使用了數十年之久。尋找能夠滿足性能和可靠性要求的替代材料，是一項巨大的科學和技術挑戰。

由于鉛對環境和公共健康存在著潛在的影響，作為其支持可持續發展的長期承諾的一部分，英特爾與其供應商以及半導體和電子行業的其他公司一起，多年來一直致力于開發無鉛產品的方案。2002年，英特爾生產出了第一個無鉛閃存產品。從2004年開始，英特爾向市場提供的微處理器和芯片組封裝產品的鉛含量較以往產品低95%。

剩余的5%的鉛（大約0.2克）當時存在于第一層連接的鉛焊料之中，這些焊料起著連接硅芯片（silicon die）到封裝底層的作用。為了替換掉最后的這些鉛，英特爾將使用一種錫/銀/銅的合金來替換掉原來的錫/鉛焊料，這種新材料就是英特爾的“秘密配方”。由于英特爾先進硅技術的復雜連接構造，要剔除掉英特爾處理器封裝中殘余的這點鉛，引入全新的焊料合金系統，需要做大量的工程性工作。 

英特爾的工程師們開發了一種使用新合金的封裝生產工藝，能夠保證在使用新的合金的情況下，英特爾組件仍發揮應有的高性能、高質量和高可靠性。 

環境可持續發展——從晶體管到加工工廠

英特爾長期以來一直堅持對環境保護的承諾，這種環保理念從英特爾的創始人戈登-摩爾（Gordon Moore） 就開始了。除了消除鉛在其產品中的使用，英特爾還在其工廠和運營中開發了一系列綠色環保的最佳方案。從英特爾即將面世的無鉛處理器中最小的45納米晶體管，到今天高性能的英特爾®酷睿™2雙核處理器（能耗降低多達40%），再到對行業標準和強有力的公共政策的廣泛支持，英特爾在其所從事業務的方方面面都設計和融入了高能效表現的理念。

今年早些時候，英特爾在其Intel StrataFlash® 蜂窩內存的封裝中實現了向無鹵素技術的轉移。英特爾目前正在評估將無鹵阻燃素用于其CPU封裝技術中。

年，英特爾領導制定一個覆蓋全行業的半導體加工協議，旨在降低全球溫室氣體排放。目前，英特爾正在與歐盟合作，討論技術行業如何支持歐盟實現其設定的在2020年將溫室氣體排放量降低20%的目標。

英特爾正專注于減少其生產過程中產品對自然資源的使用和浪費。在過去的3年中，英特爾通過保護性措施節約了超過90億加侖的淡水；其全球的溫室氣體排放量的降低，相當于讓公路上少跑了5萬輛汽車。

英特爾降低了其產品中有害物質的使用，并對超過70%的化學和固體廢料實現了循環利用。

英特爾優先使用可再生能源。英特爾公司是美國俄勒岡州最大的風能發電采購者，也是新墨西哥州最大的可再生能源工業用戶。

英特爾正在努力從200毫米晶圓到300毫米晶圓轉變，這樣可以將生產每平方厘米硅的用水量降低大約40% 

英特爾在能源之星（Energy Star*）和雇員通勤計劃方面的工作，受到了美國環境保護署的好評。