ST推出2位每單元的256兆位NOR 3G手機閃存

    2005年2月22日世界最大的多應用NOR閃存芯片供應商之一的意法半導體公司今天公布一個256兆位的NOR閃存芯片，新產品采用經過驗證的2位每單元存儲結構，能夠在小尺寸芯片上提高存儲密度。ST的 M30L0R8000x0是2位每單元產品系列的第一款產品，這個產品系列還包括一個128兆位的IC，目前512兆位的芯片在開發之中。
新的256兆位閃存芯片為高性能代碼執行和數據存儲專門設計，目標應用是第三代(3G)手機市場。在3G市場上，復雜程度越來越高的應用和多媒體功能要求在一個物理面積很小的芯片上能夠提供巨大的存儲容量，而2位每單元技術將硅存儲陣列的容量擴大一倍，從而大幅度縮小了芯片的尺寸和封裝。
    M30L0R8000x0采用ST最先進的0.13微米制造技術，并采用尺寸緊湊的片級8x10mm TFBGA（薄型細節距焊球網格陣列）封裝。新器件的工作電源電壓1.8V（還有輸入輸出3V的產品），系統功耗很低，兼容最新的手機設計。ST是一個大型的存儲器供應商，特別是在1.8V 手機NOR閃存市場上實力雄厚，新的芯片系列將會補充ST的移動應用產品，使本來產品種類已經很齊全的產品變得更加完整。
    ST還是多片封裝MCP的知名供應商，MCP是在同一封裝內集成不同類型的存儲器，以提高產品的可靠性，節省制造商的電路板空間。在可預見的未來，新的芯片預計采用MCP的方法集成PSRAM 和 LPSDRAM芯片，以滿足第三代手機的需求。
    新器件兼容上一代的1位每單元產品，并在片內執行多電平單元結構所需的處理功能。新產品采用非對稱塊存儲結構，分為16兆位的存儲體和1個靈活的塊鎖定機制；其中15個存儲體中每個包含16個主塊，每塊由64千字組成；而1個參數體則包含15個主塊加上4個參數塊，這些參數塊或者位于存儲地址空間的頂部(M30L0R8000T0)或底部(M30L0R8000B0)。
    在異步頁讀取模式下，連續字讀取時間20ns；而在同步突發讀取模式下，每時鐘周期數據輸出頻率高達66MHz；突發讀取可以跨躍體的界限操作，具有讀取暫停和繼續功能。M30L0R8000x0的多體存儲結構支持讀寫同步，即在讀取一個存儲體的同時，可以擦寫另一個存儲體，讀寫之間沒有任何延時。
    每個塊可以單獨擦除；為了在另一個塊上進行讀寫操作，可以暫停在當前塊上的擦除操作，等讀寫完成后再繼續擦除操作。可以暫停在當前塊上的寫操作，以便在其它任何一個存儲單元上讀取數據。每塊可以讀寫100,000次以上，“緩存增強型出廠編程” (BEFP)提供高速編程功能，采用9V快速編程電源電壓，每字典型編程時間10微秒。
    存儲器的指令集兼容業內廣泛認可的JEDEC通用閃存接口（CFI）協議，從而確保不同類型的閃存之間相互兼容。安全性能包括一個出廠前編程的64位的唯一設備序列號和一個2112位用戶編程OTP（一次性編程）單元。為降低移動應用的功耗，新產品還提供一個自動待機模式，在異步讀取期間，當總線處于非活動狀態時，它可以自動切換到待機模式。