ST推出裸片最小的1-Gbit和512-Mbit 65nm多電平單元NOR閃存

　　ST推出了一個采用65nm制造工藝的PR系列NOR閃存產(chǎn)品。基于第四代多電平單元(MLC)技術(shù)，65nm PR系列閃存的軟硬件兼容現(xiàn)有的90nm PR系列NOR閃存，為客戶升級現(xiàn)有系統(tǒng)提供了一條捷徑，同時還提高了存儲密度和產(chǎn)品性能。

　　為滿足移動應(yīng)用市場對高分辨相機(jī)、多媒體內(nèi)容和快速聯(lián)網(wǎng)的需求，新的65nm PR系列閃存的突發(fā)讀取速度達(dá)到133MHz，編程速度達(dá)到1.0-MB/s，支持深關(guān)斷睡眠模式，采用1.8V電源電壓。這個先進(jìn)的NOR閃存系列產(chǎn)品與LPSDRAM、LPDDR-SDRAM、PSRAM和NAND存儲器芯片以共享總線或分用總線的配置組裝在一起，以多片封閉(MCP)和層疊封裝(PoP)解決方案的形式提供給廣大用戶。

　　“通過進(jìn)軍65nm蝕刻工藝，意法半導(dǎo)體提供了一個極具競爭力的解決方案，為OEM融入設(shè)計(jì)高密度NOR閃存解決方案增加了一個新的選擇，”Semiconductor Insights公司存儲器產(chǎn)品首席分析師Geoff MacGillivray表示，“與主要競爭產(chǎn)品相比，裸片尺寸50.8mm²的ST 1-Gbit MLC NOR閃存是市場上最小  
的閃存芯片，創(chuàng)造了20.16-Mbit/mm²的最高M(jìn)bit/mm²存儲密度。單元尺寸也非常小，僅為0.042µm²。”

　　“1000兆位單片存儲器采用65nm多電平單元制造技術(shù)，有助于提高系統(tǒng)性能，增強(qiáng)最終用戶的使用體驗(yàn)，”意法半導(dǎo)體無線NOR閃存產(chǎn)品部副總裁兼總經(jīng)理Marco Dallabora表示，“512兆位的65nm NOR閃存芯片是簡易的ST 90nm PR系列升級解決方案，目前該芯片已集成到現(xiàn)有的高性能平臺內(nèi)。” 

　　65nm PR系列是意法半導(dǎo)體與英特爾于2005年12月宣布的合作計(jì)劃的一部分，這項(xiàng)目前還在進(jìn)行的合作計(jì)劃的目的是為客戶提供最新的高性能產(chǎn)品，并提供多貨源的采購靈活性。

　　新產(chǎn)品樣片現(xiàn)已上市，擬定于2007年上半年開始量產(chǎn)，256-Mbit、512-Mbit和1-Gbit閃存與PSRAM、LPSDRAM和NAND存儲器芯片的堆疊封裝產(chǎn)品的預(yù)算價格估計(jì)在10美元到30美元之間。