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ST推出裸片最小的1-Gbit和512-Mbit 65nm多電平單元NOR閃存

• 　　ST推出了一個采用65nm制造工藝的PR系列NOR閃存產(chǎn)品。基于第四代多電平單元(MLC)技術，65nm PR系列閃存的軟硬件兼容現(xiàn)有的90nm PR系列NOR閃存，為客戶升級現(xiàn)有系統(tǒng)提供了一條捷徑，同時還提高了存儲密度和產(chǎn)品性能。 　　為滿足移動應用市場對高分辨相機、多媒體內(nèi)容和快速聯(lián)網(wǎng)的需求，新的65nm PR系列閃存的突發(fā)讀取速度達到133MHz，編程速度達到1.0-MB/s，支持深關斷睡眠模式，采用1.8V電源電壓。這個先進的NOR閃存系列產(chǎn)品與LPSDRAM、L
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