更小、更快、更酷、更高效，900V SiC MOSFET在PFC中的應用

　　Wolfspeed (原CREE Power產品)推出業界首款900V SiC MOSFET系列產品，拓展了高頻電力電子應用的范圍。相比于相當于硅MOSFET，這一突破900V SiC使我們的產品的新市場通過擴大我們在終端系統解決功率范圍。該系列產品提供了更高的開關速率和更低的開關損耗，從而為電力電子工程師們提供了設計出更小，更快，更酷，更高效的電源解決方案可能。

　　新的900V SiC MOSFET系列產品極大的擴大了產品應用空間，能夠更好的應對不斷發展變化的應用領域，更高的直流母線電壓可以覆蓋250V-450V的應用領域。

　　PFC電路的特點是尺寸小、可高速開關。該電路屬于“無橋”型，去掉了PFC中常見的整流電路，從而能夠實現電路的小型化。傳統的使用硅功率元件搭建的無橋PFC使用的元器件多、結構復雜，如下圖1是采用cool MOS的雙升壓型(Dual Boost)無橋PFC。采用雙升壓型無橋PFC的前提是，需要且必須使用SiC材料的肖特基二極管(SBD)，另外還需要使用兩個大型電抗器。如圖2所示的是SiC MOS搭建的無橋PFC拓撲，從圖中可以看出該拓撲結構除了省去了兩顆肖特基二極管，同時電抗器也由Si材料方案的兩個減少為一個。從中不難看出采用SiC MOS的無橋PFC具有更加簡化的電路拓撲、更具優勢的BOM成本、更小的尺寸。Wolfspeed (原CREE Power產品) 900V SiC MOSFET系列產品顯然是很好的選擇。

　　Wolfspeed (原CREE Power產品)900V SiC MOSFET供多種不同封裝形式供客戶選擇，其中既有標準工業封裝TO247-3和TO220-3，還有更節約PCB空間的低阻抗表面貼裝封裝的D2PAK-7L。此外，采用Kelvin連接方式能夠有效減少柵極振鈴。

　　圖1：傳統Si材料的無橋PFC

　　圖2：SiC無橋PFC

　　相對相同規格的硅MOSFET，SiC MOSFET的導通內阻RDS(ON)只有其的1/3，也就是說在導通內阻上損耗只有Si器件的1/3。900V SiC MOSFET具有目前市場上所有900V MOSFET器件中最低的導通電阻65mΩ。另外SiC器件的開關損耗只相當于Si器件的15%。高效的特性除了直接降低能耗以外，更主要的是減少用于散熱的器件，降低整個系統成本，減小系統體積。圖3為同等功率等級的SiC器件和Si器件構成的PFC模塊的效率。對于很多新能源或者電力領域3個百分點可能是關系到產品的合格與否。

　　圖3：SiC器件與Si器件的PFC效率對比