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        你造嗎? 四大MOSFET實用技巧

        作者:songzhige 時間:2014-11-17 來源:電子產品世界 收藏

          三, 管的防靜電使用技巧

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/265477.htm

          一般在管的使用過程中都非常注意防靜電破壞。FET 的柵極-源極間最大額定電壓約為±20V,如果驅動電壓超出這個范圍,就很有可能永久損壞,主要是因為 輸入阻抗大特點,電荷不能及時的流走,積聚在門極(G),就會造成Vgs大于這個±20V 的范圍,這時候MOSFET 就可能損壞。這就是為什么一定不準用手去摸MOSFET 的引腳的原因,手上的靜電高達千伏,MOSFET 一下子就被擊穿了。

          記住,不要用手拿住MOSFET 的腿,不然可很不專業。為了防止MOSFET 被靜電破壞,大家也是費盡腦汁,除了嚴格按照規章制度外,帶上放電手套,電烙鐵接地等等都是必要的。

          靜電問題往往是MOSFET 的薄弱處。在電路設計中應該怎么來保護MOSFET 呢?既然Vgs 不能大于20V,那我們就可以在G 和S 之間,加一個20V 的穩壓管,來防止干擾脈沖或是靜電破壞MOSFET。

          四,單片機控制MOSFET 的應用技巧

          說到底,MOS管主要是應用,按照MOS管的datasheet來說,確實比較復雜,對于初學者來說,就是名詞就夠折騰一陣。當然MOS管的datasheet中的主要參數還是必須要稍微了解的。今天就不在這里大談了。

          為了說明MOS管的應用技巧,為了給初學者一個鮮明的使用簡單的印象,這里只接受兩個簡單開關應用,讓大家迅速掌握這個應用技巧。

          1.一個簡單的單片機控制MOSFET 導通電路,包含著所要講的MOSFET 的應用技巧,如圖6

          圖6:單片機控制MOS管導通

          可以看得出,這個比較器的反向端我給他一個1V 的恒定電平(當然,0.5V/1.5V 都行),MCU_IO(接單片機的控制端口)如果輸出高電平(電壓肯定高于1V),比較器的輸出結果就接近于VCC。

          這里需要注意,比較器輸出的電壓到底是多少?NO。不知道就對了,因為此時比較器輸出的所謂高電平,其實是比較器的供電電壓VCC,給這個比較器供電電壓時多少,就輸出多少(略小于VCC),比如,這里我們給比較器的供電電壓12V,此時比較器輸出12V,這個12V 就加在MOSFET 的門極 上,MOSFET 就會導通,負載就會通電.實現這個電路芯片比較多,比如LM358/LM324 等等。

          2.比較常用的三極管控制MOS管應用實例,不要急著說簡單,還有個更簡單的,如圖7

          圖7 比較常用的三極管控制MOS管應用實例

          這個是摘自實際應用的驅動電路,選取其中一部分給大家了解。圖中電阻R17 和三極管Q4,當MCU_IO 是高電平1 的時候,三極管導通,MOS管的門極電壓降低到低電平,MOS管 關閉,當MCU_IO 是低電平的時候,三極管Q4 關閉,此時MOS管導通。

          這個是不是更簡單?怎么,太簡單了,懷疑會不會管用,放心好了,本官家里的樓頂上就有兩套太陽能發電系統,就是這樣設計的,每天晚上家里的燈會自動打開,其中一套的回路就是這個,沒有問題的。

          以上是四大MOSFET實用技巧,其實,MOSFET 的使用和應用的驅動電路靈活多變,還有很多很多,有時間再和大家討論,寫這些的目的就是給大家個啟事,明白了MOSFET 的這些技巧后,驅動電路就自己開動腦筋去設計吧。

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        關鍵詞: MOSFET MOS

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