專用高頻E類功率放大器的研究

4.測試結果及分析

測試芯片在DCS、GSM頻段內工作狀況經過頻譜分析儀截圖可以看出在高脈沖電壓下其輸出信號波形如圖4、圖5所示，從截圖中可以看出信號在 1800MHz的時候得到了放大且大小約為34dBm,800MHz的時候得到了放大且大小約為33dBm,滿足了信號經過芯片放大后在DCS下應該達到 32dBm以上GSM應達到30dBm以上，從波形中可以看出經過放大的信號沒有明顯的雜散現象說明芯片在高脈沖的時候能夠很好的將輸入信號進行放大。

當脈沖電壓是一個低電壓時，即GSM條件下令脈沖電壓值為0.55V而DCS條件下脈沖電壓值為0.45V.DCS和GSM頻段輸入信號經過功率放 大后的輸出波形分別如圖6和圖7所示，從圖6中可以看出信號在1800MHz時得到了放大效果其值達到了11dBm以上，達到了功率放大器在小脈沖電壓下 功率放大要求。GSM下低脈沖電壓輸出波形如圖7所示，從圖中可以看出信號在800MHz處得到了放大，其值在6dBm以上，達到了放大器在小脈沖電壓下 的功率放大要求。

因此芯片在高低脈沖電壓下都能很好的將DCS和GSM信號進行功率放大且放大后的信號無雜散。

5.總結

本次實驗模擬手機信號功率放大，對高頻E類功率放大器進行了測試實驗，通過觀察輸出信號的變化判定芯片是否能正常工作，測試效果良好。